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金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管

MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)：MOS(MetalOxideSemiconductor),以金屬層(M)的柵極隔著氧化物(O),利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)管(FET)，用于功率開關(guān)管

MOSFET的分類：

1、耗盡型(N/P溝道)

2、增強型(N/P溝道)

MOSFET的結(jié)構(gòu)：

1、橫向通道型，有利于集成，功率不高，開關(guān)速度(相當(dāng)小的電容)可以很快，柵極驅(qū)動損耗也比較小

2、垂直通道型，允許通過電流大，電壓大

1)VMOS：導(dǎo)通阻抗較小，開關(guān)響應(yīng)快

2)DMOS：制作簡單，成本低，導(dǎo)通阻抗大

3)UMOS：導(dǎo)通阻抗更小，功率大，制作復(fù)雜，成本高

3、為了防止MOSFET接電感負(fù)載，產(chǎn)生高壓擊穿MOSFET管，一般功率MOSFET的漏極和源極都并上一個快速恢復(fù)二極管

4、功率MOSFET主要是N溝道增強型

MOSFET的特點：

1、在電子電力器件工作頻率最高的，可達到10ns—60ns

2、驅(qū)動功率小

3、熱穩(wěn)定性好

4、電流容量小、耐壓低，一般功率不超過10KW

5、管子耐壓越高，壓降越大，功耗越大

MOSFET的參數(shù)：

1、Vdss：

2、Rds(on)：完全導(dǎo)通時，漏源間的電阻

3、Vgs(th)：閥值電壓

4、Id(max)：漏源最大電流

MOSFET的驅(qū)動：

1、MOSFET的開關(guān)速度以達到雙極型晶體管的速度，MOSFET技術(shù)以其更加簡單的、高效的驅(qū)動電路使它比晶體管設(shè)備具有更大的經(jīng)濟效益

2、并聯(lián)的MOSFET管都通過相同的電流

3、當(dāng)MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)下，目標(biāo)是在可能的最短時間內(nèi)實現(xiàn)器件在最低阻抗和最高阻抗之間的切換

4、開關(guān)速度和性能決定于三端引腳之間的三個電容上電壓變化的快慢，在高速開關(guān)應(yīng)用中，器件的寄生電容是一個重要的參數(shù)

5、電流較大時設(shè)備溫度將會升高，溫度升高將會使源漏極間電阻變大

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