門驅動光電耦合器行業(yè)市場前瞻與投資戰(zhàn)略規(guī)劃

門驅動光電耦合器行業(yè)市場前瞻與投資戰(zhàn)略規(guī)劃半導體制程升級，銅鉭靶材有望成為主流根據(jù)靶材制造工藝的不同，可分為粉末冶金法和熔融鑄造法。粉末冶金法主要有熱等靜壓法、熱壓法、冷壓-燒結法三種方法，通過將各種原料粉混合再燒結成形的方式得到靶材，該方法優(yōu)點是靶材成分較為均勻、機械性能好、生產(chǎn)效率高、節(jié)約原材料成本，缺點是含氧量量高、密度低。熔融鑄造法主要有真空感應熔煉、真空電弧熔煉、真空電子束熔煉等方法，通過機械加工將熔煉后的鑄錠制備成靶材，該制造方法的優(yōu)點是靶材雜質含量低、密度高、可大型化，缺點是對兩種合金密度相似度要求高、較難做到成分均勻化。根據(jù)化學成分的不同，靶材可分為單質金屬靶材、合金靶材和陶瓷化合物靶材三種。單質金屬靶材包括純金屬鋁、鈦、銅等；合金靶材包括鎳鉻合金和鎳鈷合金等；陶瓷化合物靶材包括氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等。在半導體晶圓制造中，8英寸及以下晶圓通常以鋁制程為主，多數(shù)使用的靶材為鋁、鈦靶材。12英寸晶圓制造，多使用先進的銅互連技術，以銅、鉭靶材為主。全球半導體靶材市場漲幅穩(wěn)定，中國市場增速更為顯著。根據(jù)華經(jīng)情報網(wǎng)數(shù)據(jù)，2020年全球半導體靶材市場規(guī)模突破10億美元，同比上漲4%，2021年預計達10．4億美元。近年來國內(nèi)半導體行業(yè)高速發(fā)展，半導體靶材市場規(guī)模不斷擴大。自2019年起，受新冠疫情影響，國內(nèi)市場芯片緊缺，上游半導體靶材行業(yè)迎來高速成長期，2020年中國半導體靶材行業(yè)市場規(guī)模增長至17億元，同比上升12．88%，漲勢明顯。2022年市場缺芯現(xiàn)象仍將持續(xù)，有望進一步促進半導體靶材市場需求量的上升。超高純金屬提純技術是核心壁壘。先進半導體等高端制造行業(yè)所需金屬純度在6N及以上，一般的金屬提純技術無法滿足此要求。目前超高純銅、超高純鋁等多項核心專利技術掌握在如美國霍尼韋爾、日本日礦等外資巨頭手中。我國企業(yè)已在純化研究上取得一定突破，如有研億金的超純銅靶材已達到7N水平，并實現(xiàn)100噸/年的量產(chǎn)，有望在未來逐漸完成。美國企業(yè)為全球靶材市場主要廠商。亦如大多數(shù)半導體材料行業(yè)的細分市場，全球靶材市場主要由日本和美國企業(yè)占據(jù)。日本日礦金屬、美國霍尼韋爾、日本東曹和美國普萊克斯四家占據(jù)全球80%的市場份額。其中，日本日礦金屬所占市場份額最多，達30%。中國靶材市場呈外資壟斷格局。海外靶材公司憑借先發(fā)優(yōu)勢和數(shù)十年技術研發(fā)的沉淀，在國內(nèi)靶材市場中占據(jù)絕對優(yōu)勢，市場份額達70%。國內(nèi)靶材企業(yè)包括江豐電子、阿石創(chuàng)、隆華科技等，市場份額在1%-3%左右。目前我國靶材行業(yè)相關聯(lián)企業(yè)數(shù)量較少，江豐電子、阿石創(chuàng)、隆華科技靶材業(yè)務占比較高。美國、日本等高純金屬制造商主要集中在技術壁壘較高的高端靶材產(chǎn)品領域，國內(nèi)廠商競爭集中在中低端產(chǎn)品領域。半導體行業(yè)工藝制程持續(xù)升級，CMP市場穩(wěn)定增長半導體行業(yè)高景氣帶動CMP市場穩(wěn)定增長。伴隨半導體材料行業(yè)景氣度向上，CMP材料市場有望受下游市場驅動，保持穩(wěn)健增速。2020年全球拋光液和拋光墊全球市場規(guī)模分別為13．4和8．2億美元。中國CMP材料市場漲幅趨勢與國際一致，2021年拋光液和拋光墊市場規(guī)模分別為22和13億元。中國正全面發(fā)展半導體材料產(chǎn)業(yè)，CMP拋光產(chǎn)業(yè)未來增長空間廣闊。先進制程為CMP材料市場擴容提供動力。隨著芯片制程不斷微型化，IC芯片互聯(lián)結構變得更加復雜，所需拋光次數(shù)和拋光材料的種類也逐漸變多。在芯片制造過程中，需要將電路以堆疊的方式組合起來，制程越精細，所堆疊的層數(shù)就越多。在堆疊的過程中，需要使用到氧化層、介質層、阻擋層、互連層等多個薄膜層交錯排列，且每個薄膜層所用到的拋光材料也不相同。此外，隨著D存儲芯片結構逐漸由2D轉向3D，CMP拋光層數(shù)和所用到的拋光材料種類也在不斷增加。根據(jù)美國陶氏杜邦公司公開數(shù)據(jù)，5nm制程中拋光次數(shù)將達25-34次，64層3DD芯片中的拋光次數(shù)將達到17-32次，拋光次數(shù)均較前一代制程大幅增加。伴隨制程工藝的發(fā)展，CMP材料市場有望不斷擴容，成長空間較大。專用化、定制化拋光材料為未來發(fā)展趨勢。定制化發(fā)展有望給國產(chǎn)企業(yè)帶來更多機遇，國內(nèi)CMP拋光材料企業(yè)可以憑借本土化優(yōu)勢與國內(nèi)晶圓制造商展開深度合作，專注于具有專用性產(chǎn)品的研發(fā)。專用化、定制化有望成為CMP材料制造商產(chǎn)業(yè)升級趨勢。為匹配晶圓加工制程，CMP技術平整度要求高。CMP拋光材料的技術更新動力源自下游晶圓的技術更新。晶圓制程工藝不斷提升，從10nm到現(xiàn)在5nm、3nm，工藝制程迭代速度極快。為了滿足精細化程度更高的工藝制程，對CMP材料的要求也隨之變高。當前IC芯片要求全局平整落差100A°-1000A°（約等于原子級10-100nm）的超高平整度。配方的調(diào)配為一大技術難點。由于CMP拋光液應用眾多，不同的客戶有不同的需求，專用性較強，且需要加入氧化劑、絡合劑、表面活性劑、緩蝕劑等多種添加試劑，如何調(diào)配出合適的拋光液配方需要企業(yè)長時間的技術積累和不斷的研發(fā)嘗試。目前許多配方受到專利保護，行業(yè)研發(fā)壁壘高。試錯成本高、認證時間長。企業(yè)需要不斷找到合適配方、穩(wěn)定制作工藝及設計圖案，從而獲得較好的、穩(wěn)定的拋光速率和拋光效果，因此CMP材料的研究消耗時間成本較高，需要較長時間來試錯摸索工藝指標、產(chǎn)品配方等對物理參數(shù)及性能的影響，形成較高的行業(yè)know-how壁壘。半導體硅片要求高，多重因素構筑行業(yè)壁壘半導體硅片壁壘較高，主要體現(xiàn)在技術、資金、人才、客戶認證等方面。1）技術壁壘：半導體硅片行業(yè)是一個技術高度密集型行業(yè)，主要體現(xiàn)在：①硅片尺寸越大，拉單晶難度越高，對溫度控制和旋轉速度要求越高；②減少半導體硅片晶體缺陷、表面顆粒和雜質；③提高半導體硅片表面平整度、應力和機械強度等方面。2）資金壁壘：半導體硅片行業(yè)是一個資金密集型行業(yè)，要形成規(guī)?；?、商業(yè)化生產(chǎn)，所需投資規(guī)模巨大，如一臺關鍵設備價值達數(shù)千萬元。3）人才壁壘：半導體硅片的研發(fā)和生產(chǎn)過程較為復雜，涉及固體物理、量子力學、熱力學、化學等多學科領域交叉。4）認證壁壘：鑒于半導體芯片的高精密性和高技術性，芯片生產(chǎn)企業(yè)對應半導體硅片的質量要求極高，因此對于半導體硅片供應商的選擇相當謹慎，并設有嚴格的認證標準和程序。前五大制造商格局穩(wěn)定，外資壟斷現(xiàn)象持續(xù)。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球前五大硅片制造商分別為日本信越化學、環(huán)球晶圓、德國世創(chuàng)、SUMCO和韓國SKSiltron，共占據(jù)86．6%的市場份額。國內(nèi)市場在大尺寸硅片上對外資企業(yè)依然具有依賴性，主要進口地區(qū)為日本、中國臺灣和韓國。國產(chǎn)廠商加大研發(fā)投入，加速實現(xiàn)。由于硅片供應緊缺，海外大廠會優(yōu)先保障海外晶圓廠硅片供給，給國內(nèi)硅片廠帶來了加速替代的機遇。國內(nèi)供應商產(chǎn)品技術水平快速提升，國內(nèi)晶圓廠對國產(chǎn)半導體材料的驗證及導入正在加快，如滬硅產(chǎn)業(yè)、立昂微、中環(huán)股份等企業(yè)已順利通過驗證。中國大陸硅片整體產(chǎn)能加大投入，加速追趕國際龍頭廠商。中國為全球最大半導體市場，國產(chǎn)化提升大勢所趨復盤半導體行業(yè)發(fā)展歷史，共經(jīng)歷三次轉移。第一次轉移：1973年爆發(fā)石油危機，歐美經(jīng)濟停滯，日本趁機大力發(fā)展半導體行業(yè)，實施超大規(guī)模集成電路計劃。1986年，日本半導體產(chǎn)品已經(jīng)超越美國，成為全球第一大半導體生產(chǎn)大國；第二次轉移：20世紀90年度，日本經(jīng)濟泡沫破滅，韓國通過技術引進實現(xiàn)DRAM量產(chǎn)。與此同時，半導體廠商從IDM模式向設計+制造+封裝模式轉變，催生代工廠商大量興起，以臺積電為首的中國臺灣廠商抓住了半導體行業(yè)垂直分工轉型機遇；第三次轉移：2010年后，伴隨國內(nèi)手機廠商崛起、貿(mào)易摩擦背景下國家將集成電路的發(fā)展上升至國家戰(zhàn)略，半導體產(chǎn)業(yè)鏈逐漸向國內(nèi)轉移。中國為全球最大半導體市場，占比約1/3。隨著中國經(jīng)濟的快速發(fā)展，在手機、PC、可穿戴設備等消費電子，以及新能源、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興領域的快速推動下，中國半導體市場快速增長。據(jù)WSTS數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導體銷售達到5559億美元，而中國仍然為全球最大的半導體市場，2021年銷售額為1925億美元，占比34．6%。國產(chǎn)化率極低，提升自主能力日益緊迫。近年來，隨著產(chǎn)業(yè)分工更加精細化，半導體產(chǎn)業(yè)以市場為導向的發(fā)展態(tài)勢愈發(fā)明顯。從生產(chǎn)環(huán)節(jié)來看，制造基地逐步靠近需求市場，以減少運輸成本；從產(chǎn)品研發(fā)來看，廠商可以及時響應用戶需求，加快技術研發(fā)和產(chǎn)品迭代。我國作為全球最大的半導體消費市場，半導體封測經(jīng)過多年發(fā)展在國際市場已經(jīng)具備較強市場競爭力，而在集成電路設計和制造環(huán)節(jié)與全球領先廠商仍有較大差距，特別是半導體設備和材料。SIA數(shù)據(jù)顯示，2020年國內(nèi)廠商在封測、設計、晶圓制造、材料、設備的全球市占率分別為38%、16%、16%、13%、2%，半導體材料與設備的重要性日益凸顯。半導體細分行業(yè)概況（一）分立器件行業(yè)概況分立器件是指具有單一功能的電路基本元件，如二極管、晶體管等，主要實現(xiàn)電能的處理與變換，是半導體市場重要的細分領域。受益于國家產(chǎn)業(yè)政策對新興產(chǎn)業(yè)的大力支持和對傳統(tǒng)行業(yè)的升級改造，我國半導體分立器件行業(yè)的市場規(guī)模穩(wěn)步增長。2018年度至2020年度，我國半導體分立器件市場銷售規(guī)模持續(xù)增長。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2020年度我國半導體分立器件銷售額達2，966．3億元，同比增長7．0%。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會預測，我國半導體分立器件市場銷售規(guī)模將在2021年至2023年度繼續(xù)保持增長，2021年度、2022年度和2023年度預測銷售額分別為3，371．5億元、3，879．6億元和4，427．7億元，分別較上年同期增加13．7%、15．1%和14．1%。（二）功率半導體行業(yè)概況能夠進行功率處理的半導體器件為功率半導體器件，功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，典型的功率處理功能包括變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理等。功率半導體器件主要用于電力設備的電能變換和電路控制，是弱電控制與強電運行間的橋梁。除保證設備正常運行以外，功率半導體器件還起到有效的節(jié)能作用。功率半導體可以分為功率IC和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。根據(jù)MordorIntelligence統(tǒng)計，2020年度，全球功率半導體市場規(guī)模為379．0億美元，并且預計到2026年度，全球功率半導體市場規(guī)模將達到460．2億美元，2020年度至2026年度，全球功率半導體市場規(guī)模年華增長率為3．17%。MOSFET全稱金屬氧化物半導體場效應管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場效應晶體管。MOSFET具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點，應用范圍涵蓋電源管理、計算機及外設設備、通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等多個領域。根據(jù)YoleDeveloppement統(tǒng)計，2020年度，全球MOSFET市場規(guī)模達到75億美元，并且預測2020年度至2026年，全球MOSFET市場將會達到年化3．8%的增長。2020年度，用于消費品市場的MOSFET占據(jù)37%的市場份額，是目前占比最高的應用領域，但汽車應用市場，特別是電動汽車應用市場的爆發(fā)將會極大帶動MOSFET的應用，預計截至2026年，用于包括電動汽車在內(nèi)的汽車市場的MOSFET占比將達到32%。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管BJT和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式功率器件。IGBT具有電導調(diào)制能力，相對于MOSFET和雙極晶體管具有較強的正向電流傳導密度和低通態(tài)壓降。IGBT的開關特性可以實現(xiàn)直流電和交流電之間的轉化或者改變電流的頻率，有逆變和變頻的作用，可以應用于逆變器、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。根據(jù)YoleDeveloppement統(tǒng)計，2020年度，全球IGBT市場規(guī)模達到54億美元，并且預測2020年度至2026年，全球IGBT市場將會達到年化7．5%的增長。2020年度，IGBT最大的應用領域為工業(yè)和家用領域。預計受益于碳減排等政府政策帶來的電動汽車對內(nèi)燃機汽車的替代趨勢，應用于電動汽車領域的IGBT市場規(guī)模在2020年度至2026年度的年化增幅將達到23%，截至2026年，用于電動汽車的IGBT市場份額占比將超過2020年度市場規(guī)模占比的一倍占據(jù)37%的市場份額市場規(guī)模電動汽車，占比在2026年將超過2020年度占比的一倍。（三）數(shù)字三極管行業(yè)概況與普通三極管相比，數(shù)字三極管是將三極管和一個或兩個偏置電阻R1和R2集成在同一款芯片上，類同于小規(guī)模集成電路。數(shù)字三極管的R1電阻主要用來穩(wěn)定三極管的工作狀態(tài)，R2電阻主要用來吸收降低輸入端的漏電流和噪聲，電阻R1和R2有不同的阻值搭配，形成了豐富的產(chǎn)品組合。數(shù)字三極管以中小功率為主，當前市場上主流數(shù)字三極管產(chǎn)品的最大輸出電流為500mA。數(shù)字三極管技術發(fā)展的趨勢是芯片尺寸向小型化方向發(fā)展，產(chǎn)品的輸出電流不斷增大，電阻要求更加精準，同時增加R1和R2的電阻組合，以滿足客戶使用時不同輸入電壓和電流的要求。數(shù)字三極管使用方便，同時可以節(jié)省外圍使用電路的空間，在手機等對內(nèi)部空間要求比較嚴格的電子產(chǎn)品中應用廣泛。手機等移動終端對空間要求較高，為了節(jié)省空間，在電路設計時將更多選擇將電阻集成在三極管內(nèi)部，因此，隨著手機等移動終端的發(fā)展，數(shù)字三極管的市場需求將越來越大。據(jù)公開資料顯示，2019年全球包括三極管、MOSFET和IGBT在內(nèi)整個晶體管市場規(guī)模約為138．27億美元，2020年則為147．88億美元，同比增長6．95%。從競爭格局看，數(shù)字三極管國內(nèi)市場參與者主要包括燕東微、日本Phenitec、杭州友旺電子等，市場格局相對固定。（四）ECM前置放大器行業(yè)概況ECM（ElectretCondenserMicrophone，駐極體電容傳聲器）麥克風是一種將聲音轉換為電信號的電子器件，因外圍電路結構簡單、使用靈活、靈敏度高、指向性好和性價比高等特點，廣泛應用于各類智能終端上，如耳機、音箱、遙控器和電視機等。外界的聲波信號使駐極體薄膜發(fā)生振動，振動使駐極體與另一極板的距離發(fā)生變化，進而使由駐極體振膜和另一極板組成的電容器兩端的電壓放生變化，ECM前置放大器將這一電壓信號采集放大后輸出。ECM前置放大器具有工作電壓范圍廣、功耗低和外圍配置簡單等特點，是ECM麥克風的核心組成部分，其參數(shù)優(yōu)劣決定了ECM麥克風的性能高低。目前麥克風領域主要有兩條技術路線，分別為ECM麥克風和MEMS（微型機電系統(tǒng)）麥克風。其中MEMS麥克風為新興路線，其基于MEMS技術將電容器集成制造在硅芯片上，與ECM麥克風相比，具有體積小、一致性好、抗干擾能力強和可使用回流焊技術進行表面貼裝等優(yōu)點，近年來在智能手機和平板電腦等消費類電子產(chǎn)品中得到越來越多的應用。但由于二者各具特點，將在較長時期內(nèi)共存。ECM麥克風由于其指向性強、工作電壓范圍廣和性價比高等特點，廣泛應用于專業(yè)音頻、語音聲控等領域。經(jīng)過長期發(fā)展，ECM前置放大器業(yè)內(nèi)已圍繞放大器外形尺寸和電流大小等參數(shù)開發(fā)出一系列產(chǎn)品。ECM前置放大器今后將向更高的增益、更高的信噪比和更高的參數(shù)一致性等方向發(fā)展，以獲得更高的拾音能力。同時，ECM前置放大器在技術上還呈現(xiàn)小型化趨勢，以適應更小更薄的封裝。根據(jù)YoleDeveloppement預測，ECM麥克風、MEMS麥克風、微型揚聲器和音頻IC市場規(guī)模2017年-2022年復合年增長率將達到6%，到2022年市場規(guī)模將達到200億美元。新興的MEMS麥克風和ECM麥克風由于各具特點，將在較長時期內(nèi)共存。由于ECM麥克風在專業(yè)音頻和語音聲控等領域具有的獨特應用優(yōu)勢和性價比優(yōu)勢，以及TWS耳機、語音識別組件等下游市場發(fā)展帶來的麥克風總體市場需求量的上升，根據(jù)取得的來自用戶端的反饋，近年來ECM麥克風的需求量呈增長趨勢。此外，ECM前置放大器市場集中度較高，主要供應商包括燕東微、韓國RFsemi等，隨著行業(yè)成熟度的提高，市場集中度可能進一步提升，對于出貨量較大，已形成規(guī)模經(jīng)濟優(yōu)勢的廠商，將占據(jù)越來越大的市場份額。（五）浪涌保護器件行業(yè)概況浪涌保護器件，是一種為各種電子設備、儀器儀表、通訊線路提供安全防護的半導體器件。TVS是一種二極管形式的高效能浪涌保護器件。當TVS的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能在極短的時間內(nèi)將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?，吸收高達數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓鉗位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元器件，使其免受各種浪涌脈沖的損壞。普通的TVS在20世紀80年代開始出現(xiàn)，由單個PN結構成，結構單一，工藝簡單。與大多數(shù)二極管正向導通的特性不同，其基于反向擊穿特性，通過對浪涌的快速泄放，可以起到對電子產(chǎn)品的保護作用，對初級浪涌防護效果較好。普通TVS主要采用臺面結構技術。21世紀初期以來，普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發(fā)展中不斷提高的防靜電和浪涌沖擊保護要求，于是兼具漏電小、鉗位電壓低、響應時間快、抗靜電能力強且能夠防浪涌等特點的新型TVS在近十幾年開始出現(xiàn)并不斷創(chuàng)新與升級。新型TVS對結構設計和工藝要求更高，結構更加復雜，一般設計成多路PN結集成結構，采用多次外延、雙面擴結或溝槽設計。新型TVS能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護，代表著TVS小型化、更強的浪涌保護能力、更低的電容、多路集成的技術發(fā)展方向。隨著半導體芯片制程的發(fā)展，集成電路芯片呈現(xiàn)出小型化趨勢，線寬變窄，同時追求更高的集成度和更低的工作電壓，致使集成電路芯片變得更加敏感，極易受到靜電和浪涌沖擊，造成損壞。TVS通常具有響應時間短、靜電防護和浪涌吸收能力強等優(yōu)點，可用于保護設備電路免受各類靜電及浪涌的損傷，順應了集成電路芯片發(fā)展的趨勢和需要，廣泛應用于移動通訊、個人電腦、工業(yè)電子、汽車電子等。隨著下游市場需求的增長，TVS市場前景廣闊。根據(jù)OMDIA發(fā)布的研究報告《TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021》，2020年全球TVS市場規(guī)模約為16．21億美元，2021年全球TVS市場規(guī)模預計約為18．19億美元。國內(nèi)市場來看，TVS主要廠商包括安世半導體、英飛凌（Infineon）、安森美（ONSemiconductor）、商升特半導體（Semtech）、韋爾股份、樂山無線電、燕東微等。（六）射頻功率器件行業(yè)概況射頻（RF）是RadioFrequency的縮寫，表示可以輻射到空間的電磁頻率，頻率范圍在300kHz-300GHz之間，射頻功率器件即工作在該頻率范圍內(nèi)的電子器件。目前成熟的硅基射頻功率器件主要有射頻LDMOS、射頻VDMOS和高頻三極管（雙極型晶體管）三種。由于工作頻率高，射頻功率器件的關鍵尺寸達到微米或亞微米，同時芯片設計必須解決射頻功率性能設計、可靠性設計、寬帶內(nèi)匹配電路設計問題；工藝必須解決精細線條加工、大面積橫向分布均勻的淺摻雜和一致性封裝等關鍵技術，才能得到符合要求的產(chǎn)品。射頻功率器件的技術發(fā)展方向主要是更大功率、更高效率、更高的頻率以及定制化的內(nèi)匹配方案，以滿足用戶在各種射頻應用場景的需求。射頻功率器件廣泛應用于通訊系統(tǒng)、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等領域。目前，國內(nèi)射頻功率器件市場主要由國外廠商占據(jù)，包括美高森美、意法半導體、恩智浦、日本NEC、日本瑞薩、美國Polyfet等，國內(nèi)廠商在產(chǎn)品開發(fā)上逐漸取得突破并開始向國內(nèi)市場供貨，國內(nèi)廠商包括燕東微、蘇州華太電子技術等。對講機市場是射頻LDMOS的細分市場之一，中研網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，我國對講機行業(yè)產(chǎn)量呈現(xiàn)逐年增長趨勢，2020年，我國對講機產(chǎn)量規(guī)模已經(jīng)達到約6，700萬臺。一般每臺對講機需2-3顆LDMOS，按照2．5顆/臺推算，對講機用射頻LDMOS的市場規(guī)模約為1．68億顆。（七）特種集成電路及器件行業(yè)概況特種集成電路及器件是指在高溫、低溫、腐蝕、機械沖擊等特殊使用環(huán)境下仍具有較高的安全性、可靠性、環(huán)境適應性及穩(wěn)定性的集成電路及器件。長期以來，特種集成電路及器件領域除了關注技術指標以外，更加關注產(chǎn)品可靠性和質量一致性，風險控制嚴格，行業(yè)壁壘較高。近年來，特種集成電路及器件呈現(xiàn)向更高集成度、更低功耗、小型化、高冗余度、高適應性等方向發(fā)展的趨勢。特種集成電路及器件市場通常更關注產(chǎn)品的質量、可靠性和長期持續(xù)穩(wěn)定供貨能力，且具有定制化程度較高、多品種小批量等特點，只有能夠穩(wěn)定提供可靠定制產(chǎn)品的廠商才能贏得特種集成電路及器件領域的競爭，行業(yè)參與門檻較高。此外，因特種集成電路及器件產(chǎn)品門類繁多，各家廠商各有側重，因此，特種集成電路及器件整體市場的競爭者呈現(xiàn)較為分散的局面，市場集中度不高，各大廠商往往僅在某個或某些細分品類市場占據(jù)優(yōu)勢。一方面，特種集成電路及器件在儀器儀表、通信傳輸、遙感遙測、水路運輸、陸路運輸?shù)忍胤N領域擁有廣泛的應用，市場空間較大；另一方面，伴隨著國際形勢不確定性的加劇以及貿(mào)易爭端的頻繁發(fā)生，我國半導體供應鏈受到了一定程度的限制，為維護供應安全，半導體全產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化成為大勢所趨，特種電子行業(yè)的國產(chǎn)化率會進一步提高。因此，特種集成電路及器件作為特種電子行業(yè)的重要支撐，具有廣闊的市場空間。半導體行業(yè)光刻膠：半導體工藝核心材料，道阻且長光刻膠是光刻工藝最重要的耗材。光刻膠是一種通過特定光源照射下發(fā)生局部溶解度變化的光敏材料，主要作用于光刻環(huán)節(jié)，承擔著將掩模上的圖案轉化到晶圓的重要功能。進行光刻時，硅片上的金屬層涂抹光刻膠，掩膜上印有預先設計好的電路圖案，光線透過掩膜照射光刻膠。如果曝光在紫外線下的光刻膠變?yōu)槿軇?，清除后留下掩膜上的圖案，此為正性膠，反之為負性膠。光刻膠可以根據(jù)曝光光源波長、顯示效果和化學結構三種方式進行分類。根據(jù)曝光波長的不同，目前市場上應用較多的光刻膠可分為g線、i線、KrF、ArF和EUV5種類型。光刻膠波長越短，加工分辨率越高，不同的集成電路工藝在光刻中對應使用不同波長的光源。隨著芯片制程的不斷進步，每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術與之相匹配。g/i線光刻膠誕生于20世紀80年代，當時主流制程工藝在0．8-1．2μm，適用于波長436nm的光刻光源。到了90年代，制程進步到0．35-0．5μm，對應波長更短的365nm光源。當制程發(fā)展到0．35μm以下時，g/i線光刻膠已經(jīng)無法制程工藝的需求，于是出現(xiàn)了適用于248納米波長光源的KrF光刻膠，和193納米波長光源的ArF光刻膠，兩者均是深紫外光刻膠。EUV（極紫外光）是目前最先進的光刻膠技術，適用波長為13．5nm的紫外光，可用于10nm以下的先進制程，目前僅有ASML集團掌握EUV光刻膠所對應的光刻機技術。根據(jù)顯示效果的不同，光刻膠可分為正性和負性。如果光刻膠是正性的，在特定光線照射下光刻膠會發(fā)生反應并變成溶劑，曝光部分的光刻膠可以被清除。如果為負性光刻膠，曝光的光刻膠反應不再是溶劑，未曝光的光刻膠被清除。光分解型光刻膠采用含有重氮醌類化合物材料作為感光劑，光線照射后發(fā)生光分解反應，由油性變?yōu)樗匀軇?，可制造正性光刻膠。光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯作為光敏材料，光線照射后形成一種網(wǎng)狀結構的不溶物，可起到抗蝕作用，適用于制成負性光刻膠。化學放大型光刻膠使用光致酸劑作為光引發(fā)劑，光線照射后，曝光區(qū)域的光致酸劑會產(chǎn)生一種酸，并在后熱烘培工序期間作為催化劑移除樹脂的保護基團，使樹脂變得可溶?；瘜W放大光刻膠對深紫外光源具有良好的光敏性，具有高對比度、分辨率等優(yōu)點。半導體光刻膠市場增速穩(wěn)定。伴隨芯片制程工藝的升級，光刻膠市場需求量也隨之增加。根據(jù)TECHECT數(shù)據(jù)，2021年全球光刻膠市場規(guī)模約為19億美元，同比增長11%，預計2022年將達到21．34億美元，同比增長12．32%。具體來看，在7nm制程的EUV技術成熟之前，ArFi光刻膠仍是市場主流，占比高達3