2023模電總復(fù)習(xí)題

一、單選題(每題1分)1.半導(dǎo)體的導(dǎo)電阻率為。Aρ<10-6Ω·m，Bρ>108Ω·m，Cρ介于10-6～108Ω·m，∨Dρ>1010Ω·m2.本征激發(fā)是指現(xiàn)象。A價(jià)電子從外界獲得足夠能量而掙脫共價(jià)鍵束縛而變?yōu)樽杂呻娮拥摹臖價(jià)電子依靠本身的運(yùn)動(dòng)能量而掙脫共價(jià)鍵束縛而變?yōu)樽杂呻娮拥腃價(jià)電子依靠互相的碰撞增加運(yùn)動(dòng)能量而掙脫共價(jià)鍵束縛而變?yōu)樽杂呻娮拥?.P(N)型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體硅(或鍺)中摻入少量的而獲得的雜質(zhì)半導(dǎo)體。A二價(jià)元素，B三價(jià)元素，∨C四價(jià)元素，D五價(jià)元素(∨)5.模擬信號(hào)是指的信號(hào)。A時(shí)間連續(xù)，B數(shù)值連續(xù)，C時(shí)間和數(shù)值都連續(xù)，∨D時(shí)間和數(shù)值都不連續(xù)6.放大電路放大倍數(shù)是指。A輸出信號(hào)與輸入信號(hào)的比值，∨B輸入信號(hào)與輸出信號(hào)的比值，C輸出電壓與輸入電流的比值，D輸出電流與輸入電壓的比值。7.某放大電路的電壓增益為60dB，則該電路的電壓放大倍數(shù)為倍。A10，B102，C103，D1048.放大電路中的非線性失真是有引起的。A電抗元件，B放大元器件的非線性，∨C非電抗元件，D輸入信號(hào)的失真。9.PN結(jié)雪崩擊穿主要主要發(fā)生在情況下。APN結(jié)反偏較低，BPN結(jié)正偏電壓較高，CPN結(jié)反偏較高，∨DPN結(jié)正偏電壓較低。10.PN結(jié)齊納擊穿主要主要發(fā)生在情況下。APN結(jié)反偏較低，∨BPN結(jié)正偏電壓較高，CPN結(jié)反偏較高，DPN結(jié)正偏電壓較低。11.鍺(硅)晶體二極管的正常工作電壓約為。A0.7V，(∨)B0.5V，C0.1V，D0.2V。∨12.晶體三極管工作在放大(飽和、截止)狀態(tài)的外部條件為。A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，∨B.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏，C.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏，(飽∨)D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。(截∨)13.PNJ雪崩擊穿和齊納擊穿同時(shí)出現(xiàn)在反偏電壓為。A5V以下，B8~1000V，C5~8V，∨D10~500V。14.硅(鍺)晶體二極管的門坎電壓(又稱為死區(qū)電壓)為。A0.7V，∨B0.5V，C0.1V，(∨)D0.2V。15.對(duì)于低頻小功率晶體管的基區(qū)體電阻rb，通常情況下為。A.200Ω∨B.100ΩC.150ΩD.300Ω16.當(dāng)溫度升高1oC時(shí)，晶體管的參數(shù)VBE將增大。A.－(2~2.5)mV，∨B.(2~2.5)mV，C.(1~1.5)mV，D.－(1~1.5)mV17.當(dāng)溫度升高1oC時(shí)，晶體管的參數(shù)β將增大。A.0.5%，B.0.5%~1.0%，∨C.0.5%~2.0%，D.1.0%~2.0%18.三極管的電流分配關(guān)系為。A.IE＝IC+IB∨B.IE＝IC－IBC.IC＝IB－IED.IB＝IC－IE19.晶體三極管放大作用的實(shí)質(zhì)是。A.把微弱的電信號(hào)加以放大，B.以弱電流控制強(qiáng)電流，C.以強(qiáng)電流控制弱電流，D.以弱電流控制強(qiáng)電流，把直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能?！?0.多級(jí)放大電路總的放大倍數(shù)等于各級(jí)放大倍數(shù)。A.的乘積，∨B.的和，C.的差，D.相除的商。21.多級(jí)放大電路的頻率特性(響應(yīng))隨著級(jí)數(shù)的增加而。A.變寬，B.變窄，∨C.變大，D.變小。22.fH(fL)稱為放大電路的。A.截止頻率，B.上限頻率，∨C.下限頻率，(∨)D.特征頻率。23.fβ(fT)稱為共發(fā)射極。A.截止頻率，∨B.上限頻率，C.下限頻率，D.特征頻率。(∨)24.BJT(FET)又稱為。A.單極型晶體管，(∨)B.雙極型晶體管，∨C.電子型晶體管，D.空穴型晶體管。26.互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路BJT工作在甲乙類、負(fù)載電阻為理想值，忽略VCES時(shí)的效率約為。A.30%，B.78.5%，∨C.60%，D.85%。27.甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路當(dāng)工作點(diǎn)不合適時(shí)，將產(chǎn)生。A.交越失真，∨B.線性失真，C.頻率失真，D.相位失真。28.甲乙(甲、乙)類功放電路晶體管的導(dǎo)通角θ為。A.2π，(甲∨)B.π，(乙∨)C.π<θ<2π，∨D.θ<π。29.乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路實(shí)際上是。A.由兩個(gè)不同類型晶體管構(gòu)成的共發(fā)射極放大電路組成，B.由兩個(gè)不同類型晶體管構(gòu)成的共基極放大電路組成，C.由兩個(gè)不同類型晶體管構(gòu)成的射極輸出器組成，∨D.由兩個(gè)相同類型晶體管構(gòu)成的射極輸出器組成。30.大規(guī)模集成電路在一個(gè)硅片上可集中制作。A.十～幾十個(gè)元件，B.幾十個(gè)～幾百個(gè)元件，C.幾百個(gè)～幾千個(gè)元件，∨D.幾千個(gè)以上元件；31.三點(diǎn)式振蕩電路的相位平衡條件為。A.基(集同)射反，B.射同基(集)反，∨C.基同射反，D.集同射反，32.正弦振蕩的起振(平衡)條件為。∨A.AF>1，B.AF<1，(∨)C.AF＝1，D.AF<0。33.在電源電壓不變的情況下，提高OTL功率放大電路輸出功率的有效方法是。A.加接自舉電路，∨B.改變工作狀態(tài)，C.降低靜態(tài)工作點(diǎn)，D.提高靜態(tài)工作點(diǎn)。34.正弦波電壓信號(hào)的數(shù)學(xué)表達(dá)式是。Av(t)＝C，BCD∨35.如圖所示，設(shè)二極管是理想二極管，該電路A。A：VAO＝－6V，二極管處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。B：VAO＝－12V，二極管處于反偏截止?fàn)顟B(tài)。C：VAO＝－6V，二極管處于反偏截止?fàn)顟B(tài)。D：VAO＝－12V，二極管處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。36.如圖所示，設(shè)二極管是理想二極管，該電路B。A：VAO＝－15V，二極管處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。B：VAO＝－12V，二極管處于反偏截止?fàn)顟B(tài)。C：VAO＝－15V，二極管處于反偏截止?fàn)顟B(tài)。D：VAO＝－12V，二極管處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。37.如圖所示，設(shè)二極管是理想二極管，該電路C。A：VAO＝－12V，D1正偏導(dǎo)通，D2反偏截止。B：VAO＝－15V，D1反偏截止，D2正偏導(dǎo)通。C：VAO＝0V，D1正偏導(dǎo)通，D2反偏截止。D：VAO＝0V，。D2正偏導(dǎo)通，D1反偏截止。38.如圖所示，設(shè)二極管是理想二極管，該電路D。A：VAO＝－12V，D1正偏導(dǎo)通，D2反偏截止。B：VAO＝－12V，D1反偏截止，D2正偏導(dǎo)通。C：VAO＝—6V，D1正偏導(dǎo)通，D2反偏截止。D：VAO＝—6V，D1反偏截止，D2正偏導(dǎo)通。39.有兩個(gè)BJT，其中一個(gè)管子的β＝150，ICEO＝200μA,另一個(gè)管子的β＝50，ICEO＝10μA，其它參數(shù)一樣，你選B。A：β＝150，ICEO＝200μA的管子。B：β＝50，ICEO＝10μA的管子。二、多選題(每空1分，共20分)40.橋式整流輸出電壓與電源變壓器次級(jí)電壓的關(guān)系為A，電容濾波電路輸出電壓與電源變壓器次級(jí)電壓的關(guān)系為C。A.VL＝0.9V2，B.VL＝1.0V2，C.VL＝1.2V2，D.VL＝1.4V2。41.給乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路D，可消除E。A.加一放大電路，B.加一很大的集電極電流，C.加一衰減電路，D.加一合適的靜態(tài)工作點(diǎn)。E.交越失真，F(xiàn).線性失真，G.頻率失真，H.相位失真。42.晶體三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律為B、D、C。A.基區(qū)向發(fā)射區(qū)注入載流子B.發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入載流子C.集電區(qū)收集載流子D.非平衡載流子在基區(qū)的擴(kuò)散與復(fù)合E.發(fā)射區(qū)收集載流子F.載流子在發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散與復(fù)合43.BJT的制造工藝特點(diǎn)為:A、D、C。A.e區(qū)摻雜濃度最高，B.e區(qū)摻雜濃度最低，C.c區(qū)摻雜濃度適中，D.b區(qū)摻雜濃度最低且最薄，E.c區(qū)摻雜濃度最高，F(xiàn).b區(qū)摻雜濃度最高且最薄。44.PNJ的單向?qū)щ娦员憩F(xiàn)為:B、C。APNJ反偏導(dǎo)通，BPNJ正偏導(dǎo)通，CPNJ反偏截止，DPNJ正偏截止。45.PN結(jié)又稱為A、C、和E。A空間電荷區(qū)，B電阻層，C耗盡層，D電位區(qū)，E勢(shì)壘區(qū)，F(xiàn)擴(kuò)散區(qū)。46.PN結(jié)的形成過程是:B、A、F。A少子的漂移運(yùn)動(dòng)，B多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)C多子與少子的相互作用，D少子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，E多子的漂移運(yùn)動(dòng)，F(xiàn)多子的擴(kuò)散與少子的漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。G多子的漂移與少子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。47.一般情況下，當(dāng)信號(hào)源內(nèi)阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于放大電路輸入電阻(即Rs<<Ri)時(shí)，信號(hào)源使用A更為有利；當(dāng)信號(hào)源內(nèi)阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于放大電路輸入電阻(即Rs>>Ri)時(shí)，信號(hào)源C使用更為有利。A.電壓源，B.分壓電路，C.電流源，D.集成運(yùn)放。48.測(cè)得某放大電路中BJT的三個(gè)電極A、B、C的對(duì)地電壓分別為VA＝—9V，VB＝—6V，VC＝—6.2V，則A，該管D。A：A為集電極，B為發(fā)射極，C基極；B：A為發(fā)射極，B為集電極，C基極；C：A為集電極，B基極；C為發(fā)射極，D:為PNP管E:為NPN管49.某放大電路中BJT三個(gè)電極A、B、C的電流如圖所示，用萬用表電流檔測(cè)得IA＝—2mA，IB＝—0.04mA，IC＝+2.04mA，該管為B，其中E。A:為PNP管B:為NPN管C：A為集電極，B為發(fā)射極，C基極；D：A為發(fā)射極，B為集電極，C基極；E：A為集電極，B基極；C為發(fā)射極，三、判斷題(每題2分，共20分)50.晶體二極管正向工作時(shí)也具有穩(wěn)壓作用。(∨)51.晶體二極管正向工作時(shí)沒有穩(wěn)壓作用。(×)52.圖a所示電路對(duì)正弦交流信號(hào)有放大作用。(×)53.圖a所示電路對(duì)正弦交流信號(hào)無放大作用。(∨)54.圖b所示電路對(duì)正弦交流信號(hào)有放大作用。(×)55.圖b所示電路對(duì)正弦交流信號(hào)無放大作用。(∨)56.晶體三極管發(fā)生電擊穿，當(dāng)把電源關(guān)閉后不可以恢復(fù)。(×)57.晶體三極管發(fā)生電擊穿，當(dāng)把電源關(guān)閉后可以恢復(fù)。(∨)58.微變等效電路即可以分析放大電路的靜態(tài),也可以分析動(dòng)態(tài)。((∨)×)59.微變等效電路僅能分析放大電路的動(dòng)態(tài)，不可以分析靜態(tài),。60.圖1所示電路無直流負(fù)反饋。(×)61.圖1所示電路有直流負(fù)反饋。(∨)62.圖1所示電路有交流負(fù)反饋。(×)63.圖1所示電路無交流負(fù)反饋。(∨)64.圖2所示電路級(jí)間為交直流電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路。(×)65.圖2所示電路級(jí)間為交流電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路。(×)66.圖2所示電路級(jí)間為交直流電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。(×)67.圖2所示電路級(jí)間為交流電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。(∨)68.圖3所示電路為交直流電流串聯(lián)負(fù)反饋電路。(∨)69.圖3所示電路為交直流電流并聯(lián)負(fù)反饋電路。(×)70.圖3所示電路為交直流電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。(×)71.圖3所示電路為交流電流串聯(lián)負(fù)反饋電路。(×)72.圖4所示電路為交直流電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路。(∨)73.圖4所示電路為交直流電流并聯(lián)負(fù)反饋電路。(×)74.圖4所示電路為交直流電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。(×)75.圖4所示電路為交直流電流串聯(lián)負(fù)反饋電路。(×)76.圖5所示電路為橋式振蕩電路?！?77.圖5所示電路為電容三點(diǎn)式振蕩電路。(∨)78.圖5所示電路為電感三點(diǎn)式振蕩電路。(×)79.圖5所示電路為RC振蕩電路。(×)80.圖6所示電路為橋式振蕩電路?！?81.圖6所示電路為電容三點(diǎn)式振蕩電路。(×)82.圖6所示電路為電感三點(diǎn)式振蕩電路。(×)83.圖6所示電路為RC移相振蕩電路?！?84.圖7所示電路能產(chǎn)生正弦振蕩。(×)85.圖7所示電路不能產(chǎn)生正弦振蕩。(∨)86.圖8所示電路能產(chǎn)生正弦振蕩。(∨)87.圖8所示電路不能產(chǎn)生正弦振蕩。(×)88.集成運(yùn)放的兩個(gè)重要特征是虛短和虛斷。(∨)89.集成運(yùn)放的兩個(gè)重要特征是短路和斷路。(×)90.三端穩(wěn)壓器7812表示輸出的是正12V的直流電壓。(∨)91.三端穩(wěn)壓器7812表示輸出的是負(fù)12V的直流電壓。(×)92.三端穩(wěn)壓器7915表示輸出的是正15V的直流電壓。(×)93.三端穩(wěn)壓器7915表示輸出的是負(fù)15V的直流電壓。(∨)94.并聯(lián)負(fù)反饋提高輸入電阻。(×)95.并聯(lián)負(fù)反饋降低輸入電阻。(∨)96.串聯(lián)負(fù)反饋降低輸入電阻。(×)97.串聯(lián)負(fù)反饋提高輸入電阻。(∨)98.電壓負(fù)反饋降低輸出電阻。(∨)99.電壓負(fù)反饋提高輸出電阻。(×)100.電流負(fù)反饋提高輸出電阻。(∨)101.電流負(fù)反饋降低輸出電阻。(×)四、作圖題(每小題5分，共10分)102.請(qǐng)畫出圖9所示電路的交流通路。103.請(qǐng)畫出圖9所示電路的直流通路。104.請(qǐng)畫出圖9所示電路的h參數(shù)等效電路，說明簡(jiǎn)化的條件，并畫出微變等效電路。當(dāng)hre、hoe很小時(shí)，對(duì)電路的影響可忽略不計(jì)，用rbe代替hie，β代替hfe，H參數(shù)等效電路可以簡(jiǎn)化為微變等效電路。105.請(qǐng)畫出圖10所示電路的交流通路。106.請(qǐng)畫出圖10所示電路的直流通路。107.請(qǐng)畫出圖10所示電路的h參數(shù)等效電路，說明簡(jiǎn)化的條件，并畫出微變等效電路。當(dāng)hre、hoe很小時(shí)，對(duì)電路的影響可忽略不計(jì)，用rbe代替hie，β代替hfe，H參數(shù)等效電路可以簡(jiǎn)化為微變等效電路。五、計(jì)算題(共20分)108.如圖9所示，Rb＝500kΩ，Rc＝4kΩ，VCC＝12V，β＝80，VBE＝0.7V，試計(jì)算電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。(6分)假設(shè)晶體管的β＝50，Rc＝RL＝4kΩ,rbe＝1.2kΩ，計(jì)算圖10所示電路的電壓放大倍數(shù)，輸入電阻，輸出電阻。(6分)110.如圖11所示，假設(shè)Rb1＝85kΩ，Rb2＝25kΩ，Re＝2kΩ，Rc＝RL＝4kΩ，VCC＝21V，β＝50，VBE＝0.7V，試計(jì)算電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。(8分)111.假設(shè)圖12晶體管的β＝50，Rc＝RL＝4kΩ，VCC＝21V，Ic＝1.262mA，計(jì)算所示電路的電壓放大倍數(shù)，輸入電阻，輸出電阻。(8分)112.如圖13所示，假設(shè)VI＝24V，VZ＝6V，R3＝R4＝Rp＝300Ω，試計(jì)算該電路的輸出電壓調(diào)整范圍。(6分)當(dāng)R''p＝0時(shí)，Vo＝VZ(R3+R4+Rp)/R4Vo＝Vomax＝6×(300＋300＋300)/300＝18V當(dāng)R''p＝Rp＝300Ω時(shí)，Vo＝Vomin＝VZ(R3+R4+Rp)/(R4+Rp)＝6×(300+300+300)/(300+300)＝9V解：由VN＝VP可得：VF＝VREF＝VZ，又所以，Vo解：由VN＝VP可得：VF＝VREF＝VZ，又所以，Vo＝VZ(R1+R2+Rp)/(R2+R''p)當(dāng)R''p＝0時(shí)，Vo＝VZ(R1+R2+Rp)/R2Vo＝Vomax＝6×(200＋200＋200)/200＝18V當(dāng)R''p＝200Ω時(shí)，Vo＝Vomin＝6×(200+200+