電子顯微技術(shù)測試題及答案

電子顯微技術(shù)測試題及答案1.由于原子核對電子散射后，散射電子的能量損失相比于入射時的能量可以忽略不計，因此原子核對入射電子的散射可以看成是非彈性散射彈性散射相干散射非相干散射2.當(dāng)入射電子與核外電子的作用為主要過程時，入射電子被散射后其能量將顯著減小，是一種非彈性散射彈性散射相干散射非相干散射3.一張衍射花樣圖譜反映了與入射方向同向的晶帶軸上各晶帶面之間的相對關(guān)系反映了與入射方向垂直的晶帶軸上各晶帶面之間的相對關(guān)系反映了與入射方向斜交的晶帶軸上各晶帶面之間的相對關(guān)系反映了與衍射方向同向的晶帶軸上各晶帶面之間的相對關(guān)系4.電子衍射測量晶格常數(shù)比X射線衍射測量精度高低一樣不確定5.一般情況下，高能電子衍射用的波長遠(yuǎn)比X射線衍射用的波長長短一樣不確定6.輸入同樣功率時，電子衍射的強度要比X射線衍射的強度高低一樣不確定7.樣品的轉(zhuǎn)動，（theta）從0°到90°，則衍射晶面間距從最大降到最小從最小升至最大不變晶面間距先減小后增大8.改變勵磁電流可改變電磁透鏡的焦距，使之由正變負(fù)焦距，使之由負(fù)變正焦距，僅在正焦距中變動焦距，僅在負(fù)焦距中變動9.電磁透鏡中軟磁鐵縫隙可使磁場在該處更加集中，且縫隙愈小，集中程度愈高更加發(fā)散，且縫隙愈小，發(fā)散程度愈高更加集中，但縫隙愈小，集中程度愈低更加集中，且縫隙愈大，集中程度愈高10.景深是指像平面固定，在保證像清晰的前提下，像平面沿光軸可以前后移動的最大距離像平面固定，在保證像清晰的前提下，物平面沿光軸可以前后移動的最小距離像平面固定，在保證像清晰的前提下，物平面沿光軸可以前后移動的最大距離像平面固定，在保證像清晰的前提下，像平面沿光軸可以前后移動的最小距離11.焦長是指在樣品固定，在保證像清晰的前提下，物平面可以沿光軸移動的最大距離范圍在樣品固定，在保證像清晰的前提下，物平面可以沿光軸移動的最小距離范圍在樣品固定，在保證像清晰的前提下，像平面可以沿光軸移動的最小距離范圍在樣品固定，在保證像清晰的前提下，像平面可以沿光軸移動的最大距離范圍12.電磁透鏡分辨率主要的制約因素是衍射效應(yīng)像差可見光波長衍射效應(yīng)+透鏡像差13.單晶體的電子衍射花樣本質(zhì)上是垂直于電子束入射方向的零層倒易陣面上的陣點在熒光屏上的投影平行于電子束入射方向的零層倒易陣面上的陣點在熒光屏上的投影垂直于電子束入射方向的+1層倒易陣面上的陣點在熒光屏上的投影平行于電子束入射方向的-1層倒易陣面上的陣點在熒光屏上的投影14.SEM掃描線圈的作用是使電子束發(fā)生聚焦，并在樣品表面實現(xiàn)光柵掃描和角光柵掃描使電子束發(fā)生發(fā)散，并在樣品表面實現(xiàn)光柵掃描和角光柵掃描使電子束發(fā)生衍射，并在樣品表面實現(xiàn)光柵掃描和角光柵掃描使電子束發(fā)生偏轉(zhuǎn)，并在樣品表面實現(xiàn)光柵掃描和角光柵掃描15.相比于背散射電子作為調(diào)制信號成像時的分辨率，二次電子的分辨率高低不具可比性有可比性，但需附加一些條件16.電子束作用物質(zhì)的區(qū)域輕元素是倒梨狀，重元素是半球狀輕元素是半球狀，重元素是倒梨狀輕元素、重元素均是倒梨狀輕元素、重元素均是半球狀17.SEM的試樣要求導(dǎo)電絕緣表面光滑表面粗糙18.透射電子顯微（TEM）技術(shù)中，通過（）可實現(xiàn)成像模式和衍射模式的轉(zhuǎn)換。物鏡中間鏡聚焦鏡投影鏡19.掃描電鏡與電子探針結(jié)合可實現(xiàn)對試樣的形貌、成分和結(jié)構(gòu)的綜合分析成分和結(jié)構(gòu)的綜合分析形貌和結(jié)構(gòu)的綜合分析成分和形貌的綜合分析20.電子探針/能譜