半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)及特性_第1頁
半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)及特性_第2頁
半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)及特性_第3頁
半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)及特性_第4頁
半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)及特性_第5頁
已閱讀5頁，還剩1頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)及特性第1頁/共6頁第2頁/共6頁1.2.2二極管的伏安特性第1章半導(dǎo)體二極管OuD/ViD/mA正向特性Uth死區(qū)電壓iD

=0Uth=

0.5V

0.2V(硅管)(鍺管)UUthiD急劇上升0U

Uth

UD(on)

=0.60.7V硅管0.7V0.20.3V鍺管0.2V反向特性ISU(BR)反向擊穿U（BR)

U0iD=IS<0.1A(硅)

幾十A

(鍺)第3頁/共6頁U<

U（BR）反向電流急劇增大(反向擊穿)反向擊穿類型：電擊穿熱擊穿反向擊穿原因：齊納擊穿：（Zener)反向電場太強(qiáng)，將電子強(qiáng)行拉出共價(jià)鍵。

(擊穿電壓<6V,負(fù)溫度系數(shù))雪崩擊穿:反向電場使電子加速，動(dòng)能增大，撞擊使自由電子數(shù)突增。—PN結(jié)未損壞，斷電即恢復(fù)?！狿N結(jié)燒毀。(擊穿電壓>6V,正溫度系數(shù))擊穿電壓在6V左右時(shí)，溫度系數(shù)趨近零。第1章半導(dǎo)體二極管第4頁/共6頁iD

/mAuD

/V0.20.4–25–5051015–0.01–0.02鍺管的伏安特性0604020–0.02–0.0400.40.8–25–50iD

/mAuD/V硅管的伏安特性1.2.3溫度對(duì)二極管特性的影響604020–0.02O0.4–25–50iD

/mAuD/V20C90CT升高時(shí)，UD(on)以22.5mV/C下降第

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論