分立器件行業(yè)投資價(jià)值分析及發(fā)展前景預(yù)測(cè)

分立器件行業(yè)投資價(jià)值分析及發(fā)展前景預(yù)測(cè)半導(dǎo)體制程升級(jí)，銅鉭靶材有望成為主流根據(jù)靶材制造工藝的不同，可分為粉末冶金法和熔融鑄造法。粉末冶金法主要有熱等靜壓法、熱壓法、冷壓-燒結(jié)法三種方法，通過(guò)將各種原料粉混合再燒結(jié)成形的方式得到靶材，該方法優(yōu)點(diǎn)是靶材成分較為均勻、機(jī)械性能好、生產(chǎn)效率高、節(jié)約原材料成本，缺點(diǎn)是含氧量量高、密度低。熔融鑄造法主要有真空感應(yīng)熔煉、真空電弧熔煉、真空電子束熔煉等方法，通過(guò)機(jī)械加工將熔煉后的鑄錠制備成靶材，該制造方法的優(yōu)點(diǎn)是靶材雜質(zhì)含量低、密度高、可大型化，缺點(diǎn)是對(duì)兩種合金密度相似度要求高、較難做到成分均勻化。根據(jù)化學(xué)成分的不同，靶材可分為單質(zhì)金屬靶材、合金靶材和陶瓷化合物靶材三種。單質(zhì)金屬靶材包括純金屬鋁、鈦、銅等；合金靶材包括鎳鉻合金和鎳鈷合金等；陶瓷化合物靶材包括氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等。在半導(dǎo)體晶圓制造中，8英寸及以下晶圓通常以鋁制程為主，多數(shù)使用的靶材為鋁、鈦靶材。12英寸晶圓制造，多使用先進(jìn)的銅互連技術(shù)，以銅、鉭靶材為主。全球半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)漲幅穩(wěn)定，中國(guó)市場(chǎng)增速更為顯著。根據(jù)華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)數(shù)據(jù)，2020年全球半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)規(guī)模突破10億美元，同比上漲4%，2021年預(yù)計(jì)達(dá)10．4億美元。近年來(lái)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)高速發(fā)展，半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。自2019年起，受新冠疫情影響，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)芯片緊缺，上游半導(dǎo)體靶材行業(yè)迎來(lái)高速成長(zhǎng)期，2020年中國(guó)半導(dǎo)體靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)至17億元，同比上升12．88%，漲勢(shì)明顯。2022年市場(chǎng)缺芯現(xiàn)象仍將持續(xù)，有望進(jìn)一步促進(jìn)半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)需求量的上升。超高純金屬提純技術(shù)是核心壁壘。先進(jìn)半導(dǎo)體等高端制造行業(yè)所需金屬純度在6N及以上，一般的金屬提純技術(shù)無(wú)法滿(mǎn)足此要求。目前超高純銅、超高純鋁等多項(xiàng)核心專(zhuān)利技術(shù)掌握在如美國(guó)霍尼韋爾、日本日礦等外資巨頭手中。我國(guó)企業(yè)已在純化研究上取得一定突破，如有研億金的超純銅靶材已達(dá)到7N水平，并實(shí)現(xiàn)100噸/年的量產(chǎn)，有望在未來(lái)逐漸完成。美國(guó)企業(yè)為全球靶材市場(chǎng)主要廠(chǎng)商。亦如大多數(shù)半導(dǎo)體材料行業(yè)的細(xì)分市場(chǎng)，全球靶材市場(chǎng)主要由日本和美國(guó)企業(yè)占據(jù)。日本日礦金屬、美國(guó)霍尼韋爾、日本東曹和美國(guó)普萊克斯四家占據(jù)全球80%的市場(chǎng)份額。其中，日本日礦金屬所占市場(chǎng)份額最多，達(dá)30%。中國(guó)靶材市場(chǎng)呈外資壟斷格局。海外靶材公司憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)和數(shù)十年技術(shù)研發(fā)的沉淀，在國(guó)內(nèi)靶材市場(chǎng)中占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)份額達(dá)70%。國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)包括江豐電子、阿石創(chuàng)、隆華科技等，市場(chǎng)份額在1%-3%左右。目前我國(guó)靶材行業(yè)相關(guān)聯(lián)企業(yè)數(shù)量較少，江豐電子、阿石創(chuàng)、隆華科技靶材業(yè)務(wù)占比較高。美國(guó)、日本等高純金屬制造商主要集中在技術(shù)壁壘較高的高端靶材產(chǎn)品領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商競(jìng)爭(zhēng)集中在中低端產(chǎn)品領(lǐng)域。半導(dǎo)體行業(yè)供需持續(xù)緊張，加速硅片是半導(dǎo)體上游產(chǎn)業(yè)鏈中最重要的基底材料之一。硅片是以高純結(jié)晶硅為材料所制成的圓片，一般可作為集成電路和半導(dǎo)體器件的載體。與其他材料相比，結(jié)晶硅的分子結(jié)構(gòu)較為穩(wěn)定，導(dǎo)電性極低。此外，硅大量存在于沙子、巖石、礦物中，更容易獲取。因此，硅具有穩(wěn)定性高、易獲取、產(chǎn)量大等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于IC和光伏領(lǐng)域。硅片可以根據(jù)晶胞排列是否有序、尺寸、加工工序和摻雜程度的不同等方式進(jìn)行分類(lèi)。根據(jù)晶胞排列方式的不同，硅片可分為單晶硅和多晶硅。硅片是硅單質(zhì)材料的片狀結(jié)構(gòu)，有單晶和多晶之分。單晶是具有固定晶向的結(jié)晶體材料，一般用作集成電路的襯底材料和制作太陽(yáng)能電池片。多晶是沒(méi)有固定晶向的晶體材料，一般用于光伏發(fā)電，或者用于拉制單晶硅的原材料。單晶硅用作半導(dǎo)體材料有極高的純度要求，IC級(jí)別的純度要求達(dá)9N以上（99．9999999%），區(qū)熔單晶硅片純度要求在11N（99．999999999%）以上。根據(jù)尺寸大小的不同，硅片可分為50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）及300mm（12英寸）。英寸為硅片的直徑，目前8英寸和12英寸硅片為市場(chǎng)最主流的產(chǎn)品。8英寸硅片主要應(yīng)用在90nm-0．25μm制程中，多用于傳感、安防領(lǐng)域和電動(dòng)汽車(chē)的功率器件、模擬IC、指紋識(shí)別和顯示驅(qū)動(dòng)等。12英寸硅片主要應(yīng)用在90nm以下的制程中，主要用于邏輯芯片、儲(chǔ)存器和自動(dòng)駕駛領(lǐng)域。大尺寸為硅片主流趨勢(shì)。硅片越大，單個(gè)產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多，制造成本越低，因此硅片廠(chǎng)商不斷向大尺寸硅片進(jìn)發(fā)。1980年4英寸占主流，1990年發(fā)展為6英寸，2000年開(kāi)始8英寸被廣泛應(yīng)用。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2008年以前，全球大尺寸硅片以8英寸為主，2008年后，12英寸硅片市場(chǎng)份額逐步提升，趕超8英寸硅片。2020年，12英寸硅片市場(chǎng)份額已提升至68．1%，為目前半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)最主流的產(chǎn)品。后續(xù)18英寸硅片將成為市場(chǎng)下一階段的目標(biāo)，但設(shè)備研發(fā)難度大，生產(chǎn)成本較高，且下游需求量不足，18英寸硅片尚未成熟。根據(jù)加工工序的不同，硅片可分為拋光片、外延片、SOI硅片等高端硅片。其中拋光片應(yīng)用范圍最為廣泛，是拋光環(huán)節(jié)的終產(chǎn)物。拋光片是從單晶硅柱上直接切出厚度約1mm的原硅片，切出后對(duì)其進(jìn)行拋光鏡面加工，去除部分損傷層后得到的表面光潔平整的硅片。拋光片可單獨(dú)使用于電動(dòng)汽車(chē)功率器件和儲(chǔ)存芯片中，也可用作其他硅片的襯底，成為其他硅片加工的基礎(chǔ)。外延片是一種將拋光片在外延爐中加熱后，通過(guò)氣相沉淀的方式使其表面外延生長(zhǎng)符合特定要求的多晶硅的硅片。該技術(shù)可有效減少硅片中的單晶缺陷，使硅片具有更低的缺陷密度和氧含量，從而提升終端產(chǎn)品的可靠性，常用于制造CMOS芯片。根據(jù)摻雜程度的不同，半導(dǎo)體硅片可分為輕摻和重?fù)?。重?fù)焦杵脑負(fù)诫s濃度高，電阻率低，一般應(yīng)用于功率器件。輕摻硅片摻雜濃度低，技術(shù)難度和產(chǎn)品質(zhì)量要求更高，一般用于集成電路領(lǐng)域。由于集成電路在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中占比超過(guò)80%，目前全球?qū)p摻硅片需求更大。含硅量提升驅(qū)動(dòng)行業(yè)快速增長(zhǎng)。伴隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車(chē)、人工智能等新興領(lǐng)域的高速成長(zhǎng)，汽車(chē)電子行業(yè)成為半導(dǎo)體硅片領(lǐng)域新的需求增長(zhǎng)點(diǎn)。據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)，2021年全球汽車(chē)行業(yè)的芯片出貨量同比增長(zhǎng)了30%，達(dá)524億顆。但全球汽車(chē)缺芯情況在2020年短暫緩解后，于2022年再度加劇，帶動(dòng)下游硅片市場(chǎng)需求量上升。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模為126億美元，同比增長(zhǎng)12．5%。半導(dǎo)體材料為芯片之基，覆蓋工藝全流程半導(dǎo)體材料包括晶圓制造材料和封裝材料。其中晶圓制造材料包括硅片、掩模版、電子氣體、光刻膠、CMP拋光材料、濕電子化學(xué)品、靶材等，封裝材料包括封裝基板、引線(xiàn)框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結(jié)材料和其他封裝材料。具體來(lái)說(shuō)，在芯片制造過(guò)程中，硅晶圓環(huán)節(jié)會(huì)用到硅片；清洗環(huán)節(jié)會(huì)用到高純特氣和高純?cè)噭怀练e環(huán)節(jié)會(huì)用到靶材；涂膠環(huán)節(jié)會(huì)用到光刻膠；曝光環(huán)節(jié)會(huì)用到掩模板；顯影、刻蝕、去膠環(huán)節(jié)均會(huì)用到高純?cè)噭涛g環(huán)節(jié)還會(huì)用到高純特氣；薄膜生長(zhǎng)環(huán)節(jié)會(huì)用到前驅(qū)體和靶材；研磨拋光環(huán)節(jié)會(huì)用到拋光液和拋光墊。在芯片封裝過(guò)程中，貼片環(huán)節(jié)會(huì)用到封裝基板和引線(xiàn)框架；引線(xiàn)鍵合環(huán)節(jié)會(huì)用到鍵合絲；模塑環(huán)節(jié)會(huì)用到硅微粉和塑封料；電鍍環(huán)節(jié)會(huì)用到錫球。半導(dǎo)體行業(yè)全球市場(chǎng)空間超50億美元，國(guó)內(nèi)增速更快受益于三大下游市場(chǎng)擴(kuò)容，濕電子化學(xué)品需求量有望實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定增速。近年來(lái)，半導(dǎo)體、顯示面板、光伏三大板塊下游市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，產(chǎn)業(yè)迎來(lái)高速發(fā)展，帶動(dòng)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模平穩(wěn)增長(zhǎng)。據(jù)智研咨詢(xún)數(shù)據(jù)，2020年全球濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模為50．84億美元，受疫情影響略有下滑。國(guó)內(nèi)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模于2020年達(dá)到100．6億元，同比增長(zhǎng)9．2%。中低端領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)轉(zhuǎn)化率較高，產(chǎn)業(yè)升級(jí)主要面向G4-G5級(jí)產(chǎn)品。國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）于1975年制定了國(guó)際統(tǒng)一的濕電子化學(xué)品雜質(zhì)含量標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)下，產(chǎn)品級(jí)別越高，所對(duì)應(yīng)的集成電路加工工藝精細(xì)度程度越高，制程越先進(jìn)。半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)耠娮踊瘜W(xué)品的純度要求較高，集中在G3、G4級(jí)水平，且晶圓尺寸越大對(duì)純度的要求越高，12英寸晶圓制造一般要求G4級(jí)以上水平。目前國(guó)外主流濕電子化學(xué)品企業(yè)已實(shí)現(xiàn)G5級(jí)標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品的量產(chǎn)。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的濕電子化學(xué)品，G2、G3級(jí)中低端產(chǎn)品進(jìn)口轉(zhuǎn)化率高，因?yàn)榇思夹g(shù)范圍內(nèi)國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品本土化生產(chǎn)、性?xún)r(jià)比高、供應(yīng)穩(wěn)定等優(yōu)勢(shì)較為突出。G4、G5級(jí)高端產(chǎn)品仍有較大進(jìn)口替代空間，為未來(lái)主要升級(jí)方向。集成電路對(duì)超凈高純?cè)噭┘兌鹊囊蠓浅８?。按照SEMI等級(jí)的分類(lèi)，G1級(jí)屬于低檔產(chǎn)品，G2級(jí)屬于中低檔產(chǎn)品，G3級(jí)屬于中高檔產(chǎn)品，G4和G5級(jí)則屬于高檔產(chǎn)品。集成電路用超高純?cè)噭┑募兌纫蠡炯性贕3、G4級(jí)水平，中國(guó)的研發(fā)水平與國(guó)際仍存在較大差距。濕電子化學(xué)品技術(shù)制造復(fù)雜，且品類(lèi)眾多，每種產(chǎn)品的制備要求各不相同，無(wú)法設(shè)計(jì)加工通用設(shè)備。企業(yè)必須根據(jù)不同品種的特性來(lái)確定適合的工藝路徑，設(shè)計(jì)加工所需的設(shè)備，因此顯著提升了制造成本和供應(yīng)難度。研發(fā)能力及技術(shù)積累。濕電子化學(xué)品的生產(chǎn)技術(shù)包括混配技術(shù)、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與其生產(chǎn)相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù)、環(huán)境處理與監(jiān)測(cè)技術(shù)等。以上技術(shù)都需要企業(yè)具備研發(fā)能力和一定的技術(shù)積累。同時(shí)，下游產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝和專(zhuān)用性需求不盡相同，這需要企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力和一定的時(shí)間去掌握核心的配方工藝以滿(mǎn)足不同產(chǎn)品的需求。國(guó)內(nèi)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)百舸爭(zhēng)流。由于進(jìn)入壁壘相對(duì)較低，我國(guó)濕電子化學(xué)品制造企業(yè)眾多，約有40余家。其中，以江化微和格林達(dá)為首的濕電子化學(xué)品專(zhuān)業(yè)制造商，主要產(chǎn)品集中在濕電子化學(xué)品，產(chǎn)品種類(lèi)豐富且毛利率高；以晶瑞電材和飛凱材料為代表的綜合型微電子材料制造商，涉及領(lǐng)域更廣，客戶(hù)體量相對(duì)較大。此外還有例如巨化股份等大型化工企業(yè)，濕電子化學(xué)品類(lèi)產(chǎn)品營(yíng)收占比較少，具有原材料方面的優(yōu)勢(shì)。目前國(guó)內(nèi)制造商產(chǎn)能主要集中在G3、G4級(jí)領(lǐng)域，多數(shù)已開(kāi)始布局G5級(jí)產(chǎn)品產(chǎn)線(xiàn)，預(yù)計(jì)在2022年實(shí)現(xiàn)逐步放量。但目前相較于國(guó)際主流公司，國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)量較小。電子特種氣體又稱(chēng)電子特氣，是電子氣體的一個(gè)分支，相較于傳統(tǒng)工業(yè)氣體，純度更高，其中一些具有特殊用途。電子特氣下游應(yīng)用廣泛，是集成電路、顯示面板、太陽(yáng)能電池等行業(yè)不可或缺的支撐性材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，電子特氣的純度直接影響IC芯片的集成度、性能和良品率，在清洗、氣相沉積成膜（CVD）、光刻、刻蝕、離子注入等半導(dǎo)體工藝環(huán)節(jié)中都扮演著重要的角色。電子特氣可以根據(jù)其化學(xué)成分本身和用途的不同進(jìn)行分類(lèi)。根據(jù)化學(xué)成分的不同，電子特氣可分為氟系、硅系、硼系、鍺系氧化物和氫化物等幾大類(lèi)別。半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展迅速，為上游電子特氣市場(chǎng)打開(kāi)成長(zhǎng)空間。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，在晶圓材料328億美元的市場(chǎng)份額中，電子特氣占比達(dá)13%，43億美元，是僅次于硅片的第二大材料領(lǐng)域。近年來(lái)，伴隨下游晶圓廠(chǎng)的加速擴(kuò)張，特氣市場(chǎng)景氣度向好，需求量有望持續(xù)擴(kuò)容。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球晶圓制造電子氣體市場(chǎng)規(guī)模為43．7億美元。在全球產(chǎn)業(yè)鏈向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)下，中國(guó)電子特氣市場(chǎng)規(guī)模在過(guò)去十年快速增長(zhǎng)，2020年達(dá)到了173．6億元。特氣市場(chǎng)毛利率高、盈利能力強(qiáng)。在各半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中，電子特氣公司的平均毛利率處于較高水平。對(duì)比半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，晶圓廠(chǎng)的盈利能力最強(qiáng)，例如世界最大晶圓代工廠(chǎng)臺(tái)積電的毛利率為51．6%，國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)龍頭中芯國(guó)際的毛利率約為30%。而對(duì)于特種氣體公司來(lái)說(shuō)，電子特氣平均毛利率能達(dá)到近50%。世界第二的法國(guó)液化空氣集團(tuán)，2010年-2019年的毛利率穩(wěn)定在60%-65%，而一般化工氣體或大宗氣體的毛利率僅在20-30%水平。國(guó)內(nèi)企業(yè)電子特氣毛利率相對(duì)較低，約為30%-40%，相較國(guó)際巨頭有一定差距，未來(lái)成長(zhǎng)空間廣闊。伴隨技術(shù)研發(fā)的進(jìn)步和需求量的增長(zhǎng)，電子特氣廠(chǎng)商盈利能力有望持續(xù)升級(jí)。特種氣體純度提升為核心技術(shù)瓶頸。集成電路對(duì)電子特氣的純度有著苛刻的要求，因?yàn)樵谛酒庸み^(guò)程中，極微量的雜質(zhì)也可能導(dǎo)致產(chǎn)品重大缺陷，特種氣體純度越高，產(chǎn)品的良率越高、性能越優(yōu)。伴隨IC芯片制程技術(shù)的不斷發(fā)展，產(chǎn)品的生產(chǎn)精度越來(lái)越高，用于集成電路制造的電子特氣亦提出了更高的純度要求。電子特氣的純度主要受三個(gè)因素影響：一是提純技術(shù)。電子特氣的分離和提純?cè)砩峡煞譃榫s分離、分子篩吸附分離以及膜分離三大類(lèi)。在實(shí)際提純分離過(guò)程中，為提升效率和良品率，會(huì)利用多種方法進(jìn)行組合，配置工藝更為復(fù)雜，還需保證產(chǎn)品配比精度，因此抬高了研發(fā)壁壘。二是氣體檢測(cè)技術(shù)。隨著電子特氣的純度越來(lái)越高，對(duì)分析檢測(cè)方法和儀器提出了更高的要求。目前國(guó)外電子氣體的分析己經(jīng)經(jīng)歷了離線(xiàn)分析、在線(xiàn)分析、原位分析等幾個(gè)階段，對(duì)于高純度電子特氣的分析已開(kāi)發(fā)出完整的測(cè)試體系。而由于我國(guó)電子特氣行業(yè)重生產(chǎn)而輕檢測(cè)，因此分析方法和儀器同國(guó)外廠(chǎng)商都有一定差距。三是氣體的儲(chǔ)存和運(yùn)輸。高純電子特氣運(yùn)輸為一大難關(guān)，在儲(chǔ)存和運(yùn)輸過(guò)程中要求使用高質(zhì)量的氣體包裝儲(chǔ)運(yùn)容器、以及相應(yīng)的氣體輸送管線(xiàn)、閥門(mén)和接口，以防止氣體二次污染。我國(guó)加工工藝整體落后以及不符合國(guó)際規(guī)范，大部分市場(chǎng)被國(guó)外公司占據(jù)。專(zhuān)業(yè)人才缺乏，技術(shù)人員培養(yǎng)目前面臨較大困局。電子氣體生產(chǎn)環(huán)節(jié)較多、操作復(fù)雜，因此企業(yè)除了研發(fā)人才，還需要大量掌握生產(chǎn)技術(shù)、具有實(shí)際操作經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)人員。據(jù)統(tǒng)計(jì)，培養(yǎng)一名合格的生產(chǎn)技術(shù)工人至少需要2年時(shí)間，但目前國(guó)內(nèi)各大院?；疚丛O(shè)立工業(yè)氣體學(xué)科，因此企業(yè)需要花費(fèi)大量時(shí)間和資金成本對(duì)新進(jìn)人員進(jìn)行深度培養(yǎng)，制約了我國(guó)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新水平的提升速度。電子特氣市場(chǎng)正處于穩(wěn)定增長(zhǎng)階段，從地理位置上看，亞太地區(qū)是電子特氣的最大消費(fèi)市場(chǎng)。國(guó)內(nèi)電子特氣相關(guān)需求一直依賴(lài)進(jìn)口，主要市場(chǎng)由空氣化工、德國(guó)林德集團(tuán)、液化空氣和太陽(yáng)日酸等國(guó)外廠(chǎng)商占據(jù)，CR4約88%，形成寡頭壟斷的局面。國(guó)際局勢(shì)疊加國(guó)內(nèi)新興產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展，本土化優(yōu)勢(shì)顯著。新興終端市場(chǎng)加速成長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)經(jīng)過(guò)多年技術(shù)積累有望迎來(lái)國(guó)產(chǎn)化全面開(kāi)花。伴隨俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)、經(jīng)濟(jì)制裁等事件的頻繁發(fā)生，國(guó)際局勢(shì)變得更加復(fù)雜動(dòng)蕩。在此背景下，進(jìn)口產(chǎn)品價(jià)格昂貴、運(yùn)輸不便，本土化產(chǎn)品供應(yīng)穩(wěn)定、性?xún)r(jià)比高等特點(diǎn)更為顯著，國(guó)內(nèi)下游企業(yè)逐步轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)供應(yīng)。電子特氣國(guó)產(chǎn)化是必然趨勢(shì)，將在市場(chǎng)化因素主導(dǎo)下全面加速。截至2022年Q1，我國(guó)擁有眾多生產(chǎn)工業(yè)氣體的企業(yè)，其中約一半位于華東地區(qū)。由于行業(yè)技術(shù)壁壘高且客戶(hù)粘性大，短期內(nèi)行業(yè)的馬太效應(yīng)將繼續(xù)延續(xù)，但近些年國(guó)家推出的相關(guān)支持政策及法律法規(guī)有望在往來(lái)助力相關(guān)細(xì)分行業(yè)的內(nèi)資企業(yè)大力發(fā)展。靶材又稱(chēng)為濺射靶材，是制作薄膜的主要材料。在濺射鍍膜工藝中，靶材是在高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，可通過(guò)不同的離子光束和靶材相互作用得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等），以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電和阻擋的功能。靶材主要是由靶坯、背板等部分組成，工作原理是利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中聚集并提速，用形成的高速離子束流來(lái)轟擊靶材表面，發(fā)生動(dòng)能交換，讓靶材表面的原子沉積在基底。半導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)概況（一）分立器件行業(yè)概況分立器件是指具有單一功能的電路基本元件，如二極管、晶體管等，主要實(shí)現(xiàn)電能的處理與變換，是半導(dǎo)體市場(chǎng)重要的細(xì)分領(lǐng)域。受益于國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策對(duì)新興產(chǎn)業(yè)的大力支持和對(duì)傳統(tǒng)行業(yè)的升級(jí)改造，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)。2018年度至2020年度，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)銷(xiāo)售規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2020年度我國(guó)半導(dǎo)體分立器件銷(xiāo)售額達(dá)2，966．3億元，同比增長(zhǎng)7．0%。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)測(cè)，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)銷(xiāo)售規(guī)模將在2021年至2023年度繼續(xù)保持增長(zhǎng)，2021年度、2022年度和2023年度預(yù)測(cè)銷(xiāo)售額分別為3，371．5億元、3，879．6億元和4，427．7億元，分別較上年同期增加13．7%、15．1%和14．1%。（二）功率半導(dǎo)體行業(yè)概況能夠進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件為功率半導(dǎo)體器件，功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，典型的功率處理功能包括變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理等。功率半導(dǎo)體器件主要用于電力設(shè)備的電能變換和電路控制，是弱電控制與強(qiáng)電運(yùn)行間的橋梁。除保證設(shè)備正常運(yùn)行以外，功率半導(dǎo)體器件還起到有效的節(jié)能作用。功率半導(dǎo)體可以分為功率IC和功率分立器件兩大類(lèi)，其中功率分立器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。根據(jù)MordorIntelligence統(tǒng)計(jì)，2020年度，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為379．0億美元，并且預(yù)計(jì)到2026年度，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到460．2億美元，2020年度至2026年度，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模年華增長(zhǎng)率為3．17%。MOSFET全稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。MOSFET具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、抗擊穿性好等特點(diǎn)，應(yīng)用范圍涵蓋電源管理、計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、通信、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。根據(jù)YoleDeveloppement統(tǒng)計(jì)，2020年度，全球MOSFET市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到75億美元，并且預(yù)測(cè)2020年度至2026年，全球MOSFET市場(chǎng)將會(huì)達(dá)到年化3．8%的增長(zhǎng)。2020年度，用于消費(fèi)品市場(chǎng)的MOSFET占據(jù)37%的市場(chǎng)份額，是目前占比最高的應(yīng)用領(lǐng)域，但汽車(chē)應(yīng)用市場(chǎng)，特別是電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用市場(chǎng)的爆發(fā)將會(huì)極大帶動(dòng)MOSFET的應(yīng)用，預(yù)計(jì)截至2026年，用于包括電動(dòng)汽車(chē)在內(nèi)的汽車(chē)市場(chǎng)的MOSFET占比將達(dá)到32%。IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管BJT和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率器件。IGBT具有電導(dǎo)調(diào)制能力，相對(duì)于MOSFET和雙極晶體管具有較強(qiáng)的正向電流傳導(dǎo)密度和低通態(tài)壓降。IGBT的開(kāi)關(guān)特性可以實(shí)現(xiàn)直流電和交流電之間的轉(zhuǎn)化或者改變電流的頻率，有逆變和變頻的作用，可以應(yīng)用于逆變器、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。根據(jù)YoleDeveloppement統(tǒng)計(jì)，2020年度，全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到54億美元，并且預(yù)測(cè)2020年度至2026年，全球IGBT市場(chǎng)將會(huì)達(dá)到年化7．5%的增長(zhǎng)。2020年度，IGBT最大的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)楣I(yè)和家用領(lǐng)域。預(yù)計(jì)受益于碳減排等政府政策帶來(lái)的電動(dòng)汽車(chē)對(duì)內(nèi)燃機(jī)汽車(chē)的替代趨勢(shì)，應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的IGBT市場(chǎng)規(guī)模在2020年度至2026年度的年化增幅將達(dá)到23%，截至2026年，用于電動(dòng)汽車(chē)的IGBT市場(chǎng)份額占比將超過(guò)2020年度市場(chǎng)規(guī)模占比的一倍占據(jù)37%的市場(chǎng)份額市場(chǎng)規(guī)模電動(dòng)汽車(chē)，占比在2026年將超過(guò)2020年度占比的一倍。（三）數(shù)字三極管行業(yè)概況與普通三極管相比，數(shù)字三極管是將三極管和一個(gè)或兩個(gè)偏置電阻R1和R2集成在同一款芯片上，類(lèi)同于小規(guī)模集成電路。數(shù)字三極管的R1電阻主要用來(lái)穩(wěn)定三極管的工作狀態(tài)，R2電阻主要用來(lái)吸收降低輸入端的漏電流和噪聲，電阻R1和R2有不同的阻值搭配，形成了豐富的產(chǎn)品組合。數(shù)字三極管以中小功率為主，當(dāng)前市場(chǎng)上主流數(shù)字三極管產(chǎn)品的最大輸出電流為500mA。數(shù)字三極管技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)是芯片尺寸向小型化方向發(fā)展，產(chǎn)品的輸出電流不斷增大，電阻要求更加精準(zhǔn)，同時(shí)增加R1和R2的電阻組合，以滿(mǎn)足客戶(hù)使用時(shí)不同輸入電壓和電流的要求。數(shù)字三極管使用方便，同時(shí)可以節(jié)省外圍使用電路的空間，在手機(jī)等對(duì)內(nèi)部空間要求比較嚴(yán)格的電子產(chǎn)品中應(yīng)用廣泛。手機(jī)等移動(dòng)終端對(duì)空間要求較高，為了節(jié)省空間，在電路設(shè)計(jì)時(shí)將更多選擇將電阻集成在三極管內(nèi)部，因此，隨著手機(jī)等移動(dòng)終端的發(fā)展，數(shù)字三極管的市場(chǎng)需求將越來(lái)越大。據(jù)公開(kāi)資料顯示，2019年全球包括三極管、MOSFET和IGBT在內(nèi)整個(gè)晶體管市場(chǎng)規(guī)模約為138．27億美元，2020年則為147．88億美元，同比增長(zhǎng)6．95%。從競(jìng)爭(zhēng)格局看，數(shù)字三極管?chē)?guó)內(nèi)市場(chǎng)參與者主要包括燕東微、日本Phenitec、杭州友旺電子等，市場(chǎng)格局相對(duì)固定。（四）ECM前置放大器行業(yè)概況ECM（ElectretCondenserMicrophone，駐極體電容傳聲器）麥克風(fēng)是一種將聲音轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的電子器件，因外圍電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用靈活、靈敏度高、指向性好和性?xún)r(jià)比高等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)智能終端上，如耳機(jī)、音箱、遙控器和電視機(jī)等。外界的聲波信號(hào)使駐極體薄膜發(fā)生振動(dòng)，振動(dòng)使駐極體與另一極板的距離發(fā)生變化，進(jìn)而使由駐極體振膜和另一極板組成的電容器兩端的電壓放生變化，ECM前置放大器將這一電壓信號(hào)采集放大后輸出。ECM前置放大器具有工作電壓范圍廣、功耗低和外圍配置簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，是ECM麥克風(fēng)的核心組成部分，其參數(shù)優(yōu)劣決定了ECM麥克風(fēng)的性能高低。目前麥克風(fēng)領(lǐng)域主要有兩條技術(shù)路線(xiàn)，分別為ECM麥克風(fēng)和MEMS（微型機(jī)電系統(tǒng)）麥克風(fēng)。其中MEMS麥克風(fēng)為新興路線(xiàn)，其基于MEMS技術(shù)將電容器集成制造在硅芯片上，與ECM麥克風(fēng)相比，具有體積小、一致性好、抗干擾能力強(qiáng)和可使用回流焊技術(shù)進(jìn)行表面貼裝等優(yōu)點(diǎn)，近年來(lái)在智能手機(jī)和平板電腦等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中得到越來(lái)越多的應(yīng)用。但由于二者各具特點(diǎn)，將在較長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)共存。ECM麥克風(fēng)由于其指向性強(qiáng)、工作電壓范圍廣和性?xún)r(jià)比高等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于專(zhuān)業(yè)音頻、語(yǔ)音聲控等領(lǐng)域。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期發(fā)展，ECM前置放大器業(yè)內(nèi)已圍繞放大器外形尺寸和電流大小等參數(shù)開(kāi)發(fā)出一系列產(chǎn)品。ECM前置放大器今后將向更高的增益、更高的信噪比和更高的參數(shù)一致性等方向發(fā)展，以獲得更高的拾音能力。同時(shí)，ECM前置放大器在技術(shù)上還呈現(xiàn)小型化趨勢(shì)，以適應(yīng)更小更薄的封裝。根據(jù)YoleDeveloppement預(yù)測(cè)，ECM麥克風(fēng)、MEMS麥克風(fēng)、微型揚(yáng)聲器和音頻IC市場(chǎng)規(guī)模2017年-2022年復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到6%，到2022年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到200億美元。新興的MEMS麥克風(fēng)和ECM麥克風(fēng)由于各具特點(diǎn)，將在較長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)共存。由于ECM麥克風(fēng)在專(zhuān)業(yè)音頻和語(yǔ)音聲控等領(lǐng)域具有的獨(dú)特應(yīng)用優(yōu)勢(shì)和性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)，以及TWS耳機(jī)、語(yǔ)音識(shí)別組件等下游市場(chǎng)發(fā)展帶來(lái)的麥克風(fēng)總體市場(chǎng)需求量的上升，根據(jù)取得的來(lái)自用戶(hù)端的反饋，近年來(lái)ECM麥克風(fēng)的需求量呈增長(zhǎng)趨勢(shì)。此外，ECM前置放大器市場(chǎng)集中度較高，主要供應(yīng)商包括燕東微、韓國(guó)RFsemi等，隨著行業(yè)成熟度的提高，市場(chǎng)集中度可能進(jìn)一步提升，對(duì)于出貨量較大，已形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)的廠(chǎng)商，將占據(jù)越來(lái)越大的市場(chǎng)份額。（五）浪涌保護(hù)器件行業(yè)概況浪涌保護(hù)器件，是一種為各種電子設(shè)備、儀器儀表、通訊線(xiàn)路提供安全防護(hù)的半導(dǎo)體器件。TVS是一種二極管形式的高效能浪涌保護(hù)器件。當(dāng)TVS的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能在極短的時(shí)間內(nèi)將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓鉗位于一個(gè)預(yù)定值，有效地保護(hù)電子線(xiàn)路中的精密元器件，使其免受各種浪涌脈沖的損壞。普通的TVS在20世紀(jì)80年代開(kāi)始出現(xiàn)，由單個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，結(jié)構(gòu)單一，工藝簡(jiǎn)單。與大多數(shù)二極管正向?qū)ǖ奶匦圆煌?，其基于反向擊穿特性，通過(guò)對(duì)浪涌的快速泄放，可以起到對(duì)電子產(chǎn)品的保護(hù)作用，對(duì)初級(jí)浪涌防護(hù)效果較好。普通TVS主要采用臺(tái)面結(jié)構(gòu)技術(shù)。21世紀(jì)初期以來(lái)，普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無(wú)法滿(mǎn)足集成電路芯片發(fā)展中不斷提高的防靜電和浪涌沖擊保護(hù)要求，于是兼具漏電小、鉗位電壓低、響應(yīng)時(shí)間快、抗靜電能力強(qiáng)且能夠防浪涌等特點(diǎn)的新型TVS在近十幾年開(kāi)始出現(xiàn)并不斷創(chuàng)新與升級(jí)。新型TVS對(duì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝要求更高，結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜，一般設(shè)計(jì)成多路PN結(jié)集成結(jié)構(gòu)，采用多次外延、雙面擴(kuò)結(jié)或溝槽設(shè)計(jì)。新型TVS能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護(hù)，代表著TVS小型化、更強(qiáng)的浪涌保護(hù)能力、更低的電容、多路集成的技術(shù)發(fā)展方向。隨著半導(dǎo)體芯片制程的發(fā)展，集成電路芯片呈現(xiàn)出小型化趨勢(shì)，線(xiàn)寬變窄，同時(shí)追求更高的集成度和更低的工作電壓，致使集成電路芯片變得更加敏感，極易受到靜電和浪涌沖擊，造成損壞。TVS通常具有響應(yīng)時(shí)間短、靜電防護(hù)和浪涌吸收能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可用于保護(hù)設(shè)備電路免受各類(lèi)靜電及浪涌的損傷，順應(yīng)了集成電路芯片發(fā)展的趨勢(shì)和需要，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通訊、個(gè)人電腦、工業(yè)電子、汽車(chē)電子等。隨著下游市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，TVS市場(chǎng)前景廣闊。根據(jù)OMDIA發(fā)布的研究報(bào)告《TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021》，2020年全球TVS市場(chǎng)規(guī)模約為16．21億美元，2021年全球TVS市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)約為18．19億美元。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來(lái)看，TVS主要廠(chǎng)商包括安世半導(dǎo)體、英飛凌（Infineon）、安森美（ONSemiconductor）、商升特半導(dǎo)體（Semtech）、韋爾股份、樂(lè)山無(wú)線(xiàn)電、燕東微等。（六）射頻功率器件行業(yè)概況射頻（RF）是RadioFrequency的縮寫(xiě)，表示可以輻射到空間的電磁頻率，頻率范圍在300kHz-300GHz之間，射頻功率器件即工作在該頻率范圍內(nèi)的電子器件。目前成熟的硅基射頻功率器件主要有射頻LDMOS、射頻VDMOS和高頻三極管（雙極型晶體管）三種。由于工作頻率高，射頻功率器件的關(guān)鍵尺寸達(dá)到微米或亞微米，同時(shí)芯片設(shè)計(jì)必須解決射頻功率性能設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)、寬帶內(nèi)匹配電路設(shè)計(jì)問(wèn)題；工藝必須解決精細(xì)線(xiàn)條加工、大面積橫向分布均勻的淺摻雜和一致性封裝等關(guān)鍵技術(shù)，才能得到符合要求的產(chǎn)品。射頻功率器件的技術(shù)發(fā)展方向主要是更大功率、更高效率、更高的頻率以及定制化的內(nèi)匹配方案，以滿(mǎn)足用戶(hù)在各種射頻應(yīng)用場(chǎng)景的需求。射頻功率器件廣泛應(yīng)用于通訊系統(tǒng)、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等領(lǐng)域。目前，國(guó)內(nèi)射頻功率器件市場(chǎng)主要由國(guó)外廠(chǎng)商占據(jù)，包括美高森美、意法半導(dǎo)體、恩智浦、日本NEC、日本瑞薩、美國(guó)Polyfet等，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)上逐漸取得突破并開(kāi)始向國(guó)內(nèi)市場(chǎng)供貨，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商包括燕東微、蘇州華太電子技術(shù)等。對(duì)講機(jī)市場(chǎng)是射頻LDMOS的細(xì)分市場(chǎng)之一，中研網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，我國(guó)對(duì)講機(jī)行業(yè)產(chǎn)量呈現(xiàn)逐年增長(zhǎng)趨勢(shì)，2020年，我國(guó)對(duì)講機(jī)產(chǎn)量規(guī)模已經(jīng)達(dá)到約6，700萬(wàn)臺(tái)。一般每臺(tái)對(duì)講機(jī)需2-3顆LDMOS，按照2．5顆/臺(tái)推算，對(duì)講機(jī)用射頻LDMOS的市場(chǎng)規(guī)模約為1．68億顆。（七）特種集成電路及器件行業(yè)概況特種集成電路及器件是指在高溫、低溫、腐蝕、機(jī)械沖擊等特殊使用環(huán)境下仍具有較高的安全性、可靠性、環(huán)境適應(yīng)性及穩(wěn)定性的集成電路及器件。長(zhǎng)期以來(lái)，特種集成電路及器件領(lǐng)域除了關(guān)注技術(shù)指標(biāo)以外，更加關(guān)注產(chǎn)品可靠性和質(zhì)量一致性，風(fēng)險(xiǎn)控制嚴(yán)格，行業(yè)壁壘較高。近年來(lái)，特種集成電路及器件呈現(xiàn)向更高集成度、更低功耗、小型化、高冗余度、高適應(yīng)性等方向發(fā)展的趨勢(shì)。特種集成電路及器件市場(chǎng)通常更關(guān)注產(chǎn)品的質(zhì)量、可靠性和長(zhǎng)期持續(xù)穩(wěn)定供貨能力，且具有定制化程度較高、多品種小批量等特點(diǎn)，只有能夠穩(wěn)定提供可靠定制產(chǎn)品的廠(chǎng)商才能贏得特種集成電路及器件領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)，行業(yè)參與門(mén)檻較高。此外，因特種集成電路及器件產(chǎn)品門(mén)類(lèi)繁多，各家廠(chǎng)商各有側(cè)重，因此，特種集成電路及器件整體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)者呈現(xiàn)較為分散的局面，市場(chǎng)集中度不高，各大廠(chǎng)商往往僅在某個(gè)或某些細(xì)分品類(lèi)市場(chǎng)占據(jù)優(yōu)勢(shì)。一方面，特種集成電路及器件在儀器儀表、通信傳輸、遙感遙測(cè)、水路運(yùn)輸、陸路運(yùn)輸?shù)忍胤N領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用，市場(chǎng)空間較大；另一方面，伴隨著國(guó)際形勢(shì)不確定性的加劇以及貿(mào)易爭(zhēng)端的頻繁發(fā)生，我國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?zhǔn)艿搅艘欢ǔ潭鹊南拗?，為維護(hù)供應(yīng)安全，半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的國(guó)產(chǎn)化成為大勢(shì)所趨，特種電子行業(yè)的國(guó)產(chǎn)化率會(huì)進(jìn)一步提高。因此，特種集成電路及器件作為特種電子行業(yè)的重要支撐，具有廣闊的市場(chǎng)空間。半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況及前景（一）全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況及前景過(guò)去五年，隨著智能手機(jī)平板電腦為代表的新興消費(fèi)電子市場(chǎng)的快速發(fā)展，以及汽車(chē)電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)等科技產(chǎn)業(yè)的興起，強(qiáng)力帶動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模迅速增長(zhǎng)。2020年受疫情影響全球經(jīng)濟(jì)出現(xiàn)了衰退。國(guó)際貨幣基金組織估計(jì)，2020年全球GDP增長(zhǎng)率按購(gòu)買(mǎi)力平價(jià)（PPP）計(jì)算約下降了4．4％。這是二戰(zhàn)結(jié)束以來(lái)世界經(jīng)濟(jì)最大幅度的產(chǎn)出萎縮。但是全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在居家辦公學(xué)習(xí)、遠(yuǎn)程會(huì)議等需求驅(qū)動(dòng)下，逆勢(shì)增長(zhǎng)。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體行業(yè)2020年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到4，424．09億美元，較2019年增長(zhǎng)約6．78%。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)，2021年度和2022年度，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模仍將保持增長(zhǎng)趨勢(shì)，預(yù)計(jì)增速分別為24．52和10．09%。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織統(tǒng)計(jì)，2020年美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為953．66億美元，占全球市場(chǎng)的21．65%；歐洲半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為375．20億美元，約占全球市場(chǎng)的8．52%，日本半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為364．71億美元，約占全球市場(chǎng)的8．28%，亞太地區(qū)（除日本外）市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2，710．32億美元，已占據(jù)全球市場(chǎng)61．54%的市場(chǎng)份額。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織預(yù)測(cè)，2021年度和2022年度，美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將分別上漲21．50%和12．00%，亞太地區(qū)（除日本外）市場(chǎng)規(guī)模將分別上漲27．16%和10．16%，至2022年度，亞太地區(qū)（除日本外）市場(chǎng)規(guī)模占比將繼續(xù)升高至62．60%。（二）中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況及前景十三五規(guī)劃以來(lái)，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局產(chǎn)生了重大變化。首先，得益于近年《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》《國(guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》等重要文件的出臺(tái)，以及社會(huì)各界對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的日益重視。中國(guó)近年來(lái)集成電路市場(chǎng)規(guī)模逐步增長(zhǎng)，我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)正站在國(guó)產(chǎn)化的起跑線(xiàn)上。其次，由于2019年底爆發(fā)并延續(xù)至2020年的新冠疫情，對(duì)于世界整體的經(jīng)濟(jì)格局造成巨大影響，疫情仍是影響全球經(jīng)濟(jì)走向的關(guān)鍵變量，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)性發(fā)展將面臨挑戰(zhàn)。同時(shí)，在近年來(lái)國(guó)際形勢(shì)的變化和地緣沖突的加劇等緊張形勢(shì)下，中國(guó)正在抓緊提升集成電路產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新能力和產(chǎn)業(yè)完整性，加快產(chǎn)業(yè)自主研發(fā)、加強(qiáng)人才培養(yǎng)、整合產(chǎn)業(yè)鏈。1、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)需求保持快速增長(zhǎng)根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，最近五年，我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)銷(xiāo)售額始終保持快速增長(zhǎng)。2020年度，我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)銷(xiāo)售額為11，814