介質損耗角測量方法課件

4.2介質損耗角正切值的測量

上節(jié)的基本內容：絕緣預防性試驗：絕緣特性試驗耐壓試驗絕緣電阻的測量：數字兆歐表所能發(fā)現的缺陷：總體絕緣質量下降絕緣整體受潮存在貫穿性導電通道介質損耗：電介質在電壓作用下有能量損耗，電介質的能量損耗簡稱介質損耗電介質的等值電路：當絕緣介質劣化時，介質損耗增加，但介質損耗難以形成標準

tanδ的測量方法：西林電橋法測量設備：(a)QS-1型西林電橋(b)智能型介質損耗測量儀(a)(b)QS-1型西林電橋原理接線圖4-6西林電橋原理接線圖

圖中Cx，Rx為被測試樣的等效并聯電容與電阻，R3、R4表示電阻比例臂，Cn為平衡試樣電容Cx的標準，C4為平衡損耗角正切的可變電容。

4.2.1西林電橋測量法的基本原理

為了讀數方便，取

若以計，則的讀數就為的值。當時，試樣電容可近似地按下式計算：

（4-10）

因此，當橋臂電阻R3，R4和電容CN，C4已知時就可以求得試樣電容和損耗角正切。

通常被試品阻抗要比Z3和Z4大得多，所以工作電壓主要作用在被試品上，因此它們被稱為高壓臂，而Z3和Z4為低壓臂，其作用電壓往往只有數伏。這種接線方式稱為正接線。為了確保人身和設備安全，在低壓臂上并聯有放電管（A、B兩點對地），以防止在R3、C4等需要調節(jié)的元件上出現高壓。

在現場進行測量時，試品和橋體往往處在周圍帶電部分的電場作用范圍之內，雖然電橋本體及連接線都如前所述采取了屏蔽，但對試品通常無法做到全部屏蔽。這時等值干擾電源電壓就會通過對試品高壓電極的雜散電容產生干擾電流，影響測量。

圖4-9外接電源引起的電磁干擾4.2.2西林電橋測量法的電磁干擾

消除或減小由于電場干擾引起的誤差，可以采取下列措施：（1）加設屏蔽，用金屬屏蔽罩或網把試品與干擾源隔開。返回

因為被試品的阻抗比和變壓器漏抗大得多，所以干擾電流流過和變壓器形成回路。圖4-10移相電源消除干擾的接線圖

（2）采用移相電源法（3）倒相法

不用移相器，接一反向開關，分別測量開關正向和開關反向時的介質損耗角正切值。被試品實際介質損耗角正切值為：4.2.3西林電橋測量法的其他影響因素

1.溫度的影響

溫度對tanδ值的影響很大，具體的影響程度隨絕緣材料和結構的不同而異。一般來說，tanδ隨溫度的增高而增大?，F場試驗時的絕緣溫度是不一定的，所以為了便于比較，應將在各種溫度下測得的tanδ值換算到20℃時的值。

3.試品電容量的影響

對于電容量較小的試品(例如套管、互感器等)，測量tanδ能有效地發(fā)現局部集中性缺陷和整體分布性缺陷。但對電容量較大的試品(例如大中型發(fā)電機、變壓器、電力電纜、電力電容器等)測量tanδ只能發(fā)現整體分布性缺陷4.試品表面泄漏的影響

試品表面泄漏電阻總是與試品等值電阻Rx并聯，顯然會影響所測得的tanδ值，這在試品的Cx較小時尤需注意。

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