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文檔簡介
4.3.2電流－電壓關系――主要的結構參數：LW,GL L N N -
--
x
selfalignedpoly-siliconprocess自對準多晶硅工藝,使柵區(qū) 高，表面斷鋁，增加了光刻 ，所以又發(fā)展了以作掩膜的局部氧化LOCOS--Localoxidationonsilicon(MOSIC的局部氧化工藝LocalOxidationIsolationforMOSIC)，或稱等平面硅柵工藝。MOSFET工作原理MOSFET工作原理MOSFET工作原理 gd＝W/L*un4.3.2MOSFET工作原理VDS較小時，ID－VDS VDS＝VDS·當達到VDS=VGS-VTN時，在漏端形成了VGD=VGS-VDS=VTN的VDS>VDS增加VDS(VDS>VGS-VTN)，在漏端的導電溝道 n溝增強型MOSFETIDS－VDS WnCOX V 2
(sat)WnCOX
V 4.3.3電流－電壓關系―4.3.3電流－電壓關系―4.3.3電流－電壓關系―4.3.3電流－電壓關系― QBM'(max) CCox
4.3.3電流－電壓關系――數學推演4.3.3電流－電壓關系――數學推演JxExenn(y)Ex在yz方向上對Jx積分即為總電流：IxJx Qn'en(IxJxdydzWnQn' 4.3.3電流－電壓關系――數學推演
('Eg Q'
nn
C 1 ' ' C IxWnQn'
WnCox V)V
WnCOX V
2
(sat)WnCOX V
gm (sat)WnCOX
V
ID(sat)WnCOX
V
m m
ID(sat)
V
零偏時反型條件：φs=2φfp,反偏時112eS2eS
2f2fp □Q
2eS2
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