安徽省亳州市渦陽縣第九中學(xué)2019-2020學(xué)年高二7月月考化學(xué)試題含答案

學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精安徽省亳州市渦陽縣第九中學(xué)2019-2020學(xué)年高二7月月考化學(xué)試題含答案渦陽九中高二7月份月考試卷化學(xué)試卷考試范圍:選修3第I卷（選擇題)一、選擇題（本題共20道小題,每小題3分，共20分）1。下列說法正確的是（)A．離子晶體中一定不含分子B．分子晶體中一定不含離子C．金屬離子一定滿足最外層電子數(shù)為2或8D．H2O是一種非常穩(wěn)定的化合物，這是由于氫鍵所致2。下列分子中，所有原子不是處于同一平面的是A。H2O B。CH4 C。C2H4 D.3。下列說法正確的是A。3p2表示3p能級有兩個軌道B。同一原子中，1s、2s、3s電子的能量逐漸減小C。每個周期中最后一種元素的第一電離能最大D.短周期中，電負(fù)性（稀有氣體未計)最大的元素是Na4。根據(jù)下列電子排布式判斷，處于激發(fā)態(tài)的原子是A.1s22s22p6 B.1s22s22p63s1 C。1s22s23s1 D.［Ar]3d14s5.下列敘述正確的是A.離子晶體中,只存在離子健，不可能存在其它化學(xué)鍵B?？扇急屑淄榉肿优c水分子之間存在氫鍵C。Na2O2、NaHSO4晶體中的陰、陽離子個數(shù)比均為12D。晶體熔點:金剛石＞食鹽＞冰＞干冰6.下列說法正確的是（）A。將過量的氨水加入到CuSO4溶液中，最終得到藍色沉淀B.由于氫鍵的作用，H2O的穩(wěn)定性強于H2SC.在核電荷數(shù)為26的元素原子核外價電子排布圖為D.核外電子數(shù)為奇數(shù)的基態(tài)原子，其原子軌道中可能不含“未成對電子”7.固體熔化時，必須破壞非極性共價鍵的是A。冰B。晶體硅C。溴.D.二氧化硅8.下列敘述正確的是A。鉻原子的電子排布式：ls22s22p63s23p63d44s2B。Na、Mg、Al的第一電離能逐漸增大C。碳原子的軌道表示式：D。N、O、F的電負(fù)性逐漸增大9。下列對一些實驗事實的理論解釋正確的是(）選項實驗事實理論解釋A碘單質(zhì)在CCl4中溶解度比在水中大CCl4和I2都是非極性分子，而H2O是極性分子BCO2為直線形分子CO2分子中C═O是極性鍵C金剛石的熔點低于石墨金剛石是分子晶體，石墨是原子晶體DHF的沸點高于HClHF的相對分子質(zhì)量小于HCl10。下列有關(guān)化學(xué)用語表示正確的是（）A.35Cl和37Cl的原子結(jié)構(gòu)示意圖均為B。HC1O的電子式：C.CO2的比例模型：D.HCl的電子式:11.下列物質(zhì)的沸點變化順序正確的是（

）A、CH4＞SiH4＞GeH4＞SnH4

B、NH3＜PH3＜AsH3＜SbH3

C、H2O＞H2S＞H2Se＞H212。下列各原子或離子的電子排布式錯誤的是（

）A、K+

1s22s22p63s23p6B、F

1s22s22p5

C、S2﹣

1s22s22p63s23p4D、Ar

1s22s22p63s23p13.下列有關(guān)化學(xué)用語使用正確的是A。石英的分子式:SiO2B。NH4Cl的電子式:C.Cr原子的基態(tài)簡化電子排布式為[Ar］3d54s1D。S原子的外圍電子排布圖為14.共價鍵、離子鍵和范德華力是粒子之間的三種作用力。下列晶體：①Na2O2、②SiO2、③石墨、④金剛石、⑤NaCl、⑥白磷中，含有兩種作用力的是(）A.①②③B。①③⑥C。②④⑥D(zhuǎn)。①②③⑥15.某物質(zhì)的晶體中，含A、B、C三種元素，其排列方式如右圖所示（其中前后兩面心上的B原子不能畫出），晶體中A、B、C的原子個數(shù)比依次為(）A。1:3：1B。2:3：1C.2:2：1D。1：3:316。下列說法中錯誤的是(）A。SO2、SO3都是極性分子B.在NH和［Cu（NH3）4]2＋中都存在配位鍵C。元素電負(fù)性越大的原子，吸引電子的能力越強D.原子晶體中原子以共價鍵結(jié)合,具有鍵能大、熔點高、硬度大的特征17。下列分子中含有“手性碳原子”的是(）A。CBr2F2B。CH3CH2CH2C。CH3CH2CH3D.CH3CH(NO2)COOH18。下列各原子或離子的電子排列式錯誤的是（）A。Na+1s22s22p6B。Fˉ1s22s22p6C.N3+1s22s22p6D.O2ˉ1s22s22p619.A元素的陽離子與B元素的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)，有關(guān)兩元素的下列敘述:①原子半徑A＜B；②離子半徑A＞B；③原子序數(shù)A＞B；④原子最外層電子數(shù)A＜B；⑤A的正價與B的負(fù)價絕對值一定相等；⑥A的電負(fù)性小于B的電負(fù)性;⑦A的第一電離能大于B的第一電離能．其中正確的組合是(）A．③④⑥ B．①②⑦ C．③⑤ D．③④⑤⑥⑦20.下列各組表述中，兩個微粒一定不屬于同種元素原子的是（）A．3p能級有一個空軌道的基態(tài)原子和核外電子排布為1s22s22p63s23p2的原子B．M層全充滿而N層為4s2的原子和核外電子排布為1s22s22p63s23p63d64s2的原子C．最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的1/5的原子和價電子排布為4s24p5的原子D．2p能級有一個未成對電子的基態(tài)原子和原子的價電子排布為2s22p5的原子第II卷（非選擇題）二、填空題（本題共4道小題，每小題10分，共40分）21。隨新能源汽車的發(fā)展，新能源電池技術(shù)也在不斷創(chuàng)新，典型的鋰離子電池一般以LiCoO2或LiFePO4等為正極材料，以石墨碳為負(fù)極材料，以溶有LiPF6等的有機溶液為電解質(zhì)溶液.(1）P原子的電子排布式為_________。Fe2+中未成對電子數(shù)為___________。（2）N、O、F原子的第一電離能由小到大的順序為_______。（3）等電子體具有相似的化學(xué)鍵特征，它們的許多性質(zhì)是相近的。ClO4-與PO43—互為等電子體,ClO4-的立體構(gòu)型為_______，中心原子的雜化軌道類型為________。（4)烷烴同系物中，CH4的沸點最低，原因是______________。（5）向CuSO4溶液中加入氨水,首先形成藍色沉淀，繼續(xù)加氨水,沉淀溶解,得到深藍色溶液,在此溶液中加入乙醇，析出深藍色的晶體。由藍色沉淀得到深藍色溶液的離子方程式為_______________;深藍色晶體中存在的化學(xué)鍵類型有__________。（填代號）A．離子鍵B．σ鍵C．非極性共價鍵D．配位鍵E．金屬鍵F氫鍵（6)如圖所示為Co的某種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)圖,則該氧化物的化學(xué)式為______；若該晶胞的棱長為apm,則該晶體的密度為_____________g/cm3。(NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)22。鈷、銅及其化合物在工業(yè)上有重要用途,回答下列問題：（1）請補充完基態(tài)Co的簡化電子排布式：［Ar］_________,Co2+有_______個未成對電子。（2）Na3[Co(NO2)6]常用作檢驗K+的試劑，配位體NO2－的中心原子的雜化形式為________，空間構(gòu)型為_____。大π鍵可用符號表示,其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù)，n為各原子的單電子數(shù)（形成σ鍵的電子除外)和得電子數(shù)的總和（如苯分子中的大π鍵可表示為），則NO2－中大π鍵應(yīng)表示為____________.（3)配合物［Cu(En）2]SO4的名稱是硫酸二乙二胺合銅（Ⅱ),是銅的一種重要化合物.其中En是乙二胺（H2NCH2CH2NH2)的簡寫.①該配合物［Cu(En）2］SO4中N、O、Cu的第一電離能由小到大的順序是______________.②乙二胺和三甲胺［N（CH3）3]均屬于胺，且相對分子質(zhì)量相近，但乙二胺比三甲胺的沸點高得多，原因是______________________________________________________.（4)金屬Cu晶體中的原子堆積方式如圖所示，其配位數(shù)為______，銅的原子半徑為anm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,Cu的密度為_________g/cm3(列出計算式即可）。23。硅及其化合物有許多用途，回答下列問題：（1)基態(tài)Si原子價層電子的排布圖（軌道表達式）為_________，含有長硅鏈的化合物不是氫化物,而是氯化物。主要原因是F比H多了一種形狀的原子軌道，該原子軌道的形狀為___________。(2)SiF4分子的立體構(gòu)型為_______形,SiCl4的熔、沸點均高于SiF4，主要原因是________________。（3）SiF4可KF反應(yīng)得K2SiF6晶體，該晶體可用于制取高純硅,K2SiF6晶體中微觀粒子之間的作用力有______.a。離子鍵b。共價鍵c.配位鍵d。分子間作用力e。氫鍵(4)H4SiO4的結(jié)構(gòu)簡式如圖(1），中心原子Si的軌道雜化類型為_________，H4SiO4在常溫下能穩(wěn)定存在，但H4CO4不能，會迅速脫水生成H2CO3，最終生成CO2，主要原因是___________。(5)硅的晶胞結(jié)構(gòu)如圖（2)所示，若該立方晶胞的邊長為anm，阿伏伽德羅常數(shù)的數(shù)值為NA,則距離最近的兩個硅原子間的距離為_____nm，晶體硅密度的計算表達式為_____g/cm3。24.黃銅礦是工業(yè)冶煉銅的原料，主要成分為CuFeS2。試回答下列問題:（1）基態(tài)硫原子核外電子有_____種不同運動狀態(tài),能量最高的電子所占據(jù)的原子軌道形狀為_________。(2）基態(tài)Cu原子的價層電子排布式為_________；Cu、Zn的第二電離能大小I2(Cu）_________I2（Zn）(填“〉"“<"或“="）。(3)SO2分子中S原子的軌道雜化類型為_________，分子空間構(gòu)型為_________;與SO2互為等電子體的分子有_________（寫一種)。（4)請從結(jié)構(gòu)角度解釋H2SO3的酸性比H2SO4酸性弱的原因_________。(5）Cu（CH3CN)4比四氨合銅離子穩(wěn)定，其配離子中心原子配位數(shù)為_________,配位體中σ鍵與π鍵個數(shù)之比為_________。（6）鐵鎂合金是目前已發(fā)現(xiàn)的儲氫密度最高的儲氫材料之一,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。若該晶體儲氫時，H2分子在晶胞的體心和棱的中心位置，距離最近的兩個H2分子之間距離為anm.則該晶體的密度為_________g/cm3（列出計算表達式）.

試卷答案1。B略2。B【詳解】A.H2O的分子構(gòu)型為V型，三點可以確定一個面，即H2O的三個原子共處一面，A不符合題意;B。CH4的分子構(gòu)型為正四面體,則其5個原子中，最多有3個原子共平面,B符合題意；C。C2H4的空間構(gòu)型為矩形，由于碳碳雙鍵不可扭轉(zhuǎn),其6個原子形成了平面矩形，C不符合題意;D.苯環(huán)可以看成是單雙鍵交替的六元環(huán)，由于碳碳雙鍵不可扭轉(zhuǎn)，所以6個C共平面，則6個H也在該平面上，即苯環(huán)的12個原子共平面，D不符合題意;故合理選項為B?！军c睛】對于原子共平面的問題，要先想象并熟記分子的空間結(jié)構(gòu),再去判斷有幾個原子共平面。其中碳碳雙鍵、碳碳三鍵、苯環(huán)的構(gòu)成原子及與其直接相連的原子一定共平面.3.C【詳解】A。3p2表示3p軌道上有兩個電子,故A錯誤;B.同一原子中,1s、2s、3s電子的能量逐漸升高,故B錯誤；C.同周期中從左向右,元素的非金屬性增強，第一電離能增強，且同周期中稀有氣體元素的第一電離能最大，故C正確；D。在元素周期表中，同周期中從左向右，元素非金屬性增強,電負(fù)性增強;同主族元素從上向下，元素的非金屬性減弱，電負(fù)性減弱；在元素周期表中，電負(fù)性最大的元素是F，故D錯誤；綜上所述,本題正確答案為C?！军c睛】判斷依據(jù)：同周期中從左向右,元素的非金屬性增強,第一電離能增強，同周期中稀有氣體元素的第一電離能最大；在元素周期表中，同周期中從左向右，元素的非金屬性增強,電負(fù)性增強，同主族元素從上向下,元素的非金屬性減弱，電負(fù)性減弱。4。C【詳解】原子的電子排布是使整個原子的能量處于最低狀態(tài)，處于最低能量的原子叫基態(tài)原子，所以A、B、D都是基態(tài)原子，C原子沒有排2p軌道直接排了3s軌道,不是能量最低，所以是激發(fā)態(tài)。所以符合條件的為1s22s23s1；所以，正確答案選C。5.DA，離子晶體中，一定存在離子鍵,可能會含共價鍵，如氯化銨晶體中既有離子鍵又有共價鍵，A不正確。B，甲烷分子與水分子之間不可能存在氫鍵，因為碳原子半徑較大、電負(fù)性較小不具備形成氫鍵的條件,所以B不正確。C,過氧化鈉中含鈉離子和過氧根離子，陰、陽離子個數(shù)比為2：1，所以C不正確。D，金剛石是原子晶體,氯化鈉是離子晶體，而冰和干冰都是分子晶體。比較不同類型晶體的熔點，一般原子晶體〉離子晶體>分子晶體，冰和干冰都是分子晶體，可以根據(jù)常溫下水為液態(tài)，而二氧化碳為氣態(tài)判斷冰的熔點高于干冰，所以D正確。點睛：比較不同類型晶體的熔點，一般原子晶體〉離子晶體>分子晶體。都是原子晶體，成鍵的原子半徑越小則鍵長越短、鍵能越大，熔點越高;都是離子晶體，離子半徑越小、離子電荷越多則晶格能越大，熔點越高；都是分子晶體，如果分子組成和結(jié)構(gòu)相似，則相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，熔點越高。還可以根據(jù)常溫下狀態(tài)判斷，如水為液態(tài)，而二氧化碳為氣態(tài)，則可判斷冰的熔點高于干冰。6.CA.將過量的氨水加入到CuSO4溶液中，首先生成氫氧化銅藍色沉淀，然后沉淀逐漸溶解形成深藍色溶液，故A錯誤；B.氫鍵與物質(zhì)的穩(wěn)定性無關(guān)，H2O的穩(wěn)定性強于H2S，是因為H-O比H-S鍵牢固,故B錯誤；C、根據(jù)能量最低原理、保里不相容原理、洪特規(guī)則知，F(xiàn)e原子3d能級上有6個電子，4s能級上有2個電子,該原子最穩(wěn)定、能量最低，因此價電子排布圖為，故C正確；D．奇數(shù)族元素的基態(tài)原子，則原子最外層電子數(shù)為奇數(shù),若最外層為nsx，則x=1，含有未成對電子；若最外層為ns2npy，則y=1或3或5，np軌道一定含有未成對電子，故D錯誤;故選C。7。B試題分析：冰和單質(zhì)溴都是分子晶體，熔化破壞的是分子間作用力；晶體硅和二氧化硅都是原子晶體，熔化破壞的分別是非極性鍵和極性鍵,答案選B。點評：本題是基礎(chǔ)性知識的考查，難度不大。主要是訓(xùn)練學(xué)生的答題能力，調(diào)動學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣和學(xué)習(xí)積極性。8.DA.鉻原子的電子排布式：1s22s22p63s23p63d54s1，選項A錯誤；B．Mg的最外層為3s電子全滿，穩(wěn)定結(jié)構(gòu),難以失去電子，第一電離能最大，Na的最小,選項B錯誤；C.碳原子的軌道表示式：，選項C錯誤；D。元素非金屬性越強電負(fù)性越強,故N、O、F電負(fù)性依次增大,選項D正確。答案選D。9。AA.CCl4和I2都是非極性分子，而H2O是極性分子，根據(jù)相似相溶原理可知碘單質(zhì)在水溶液中的溶解度很小，但在CCl4中溶解度很大，故A正確；B.理論解釋不對，CO2分子是直線型，中心C原子雜化類型為SP雜化，分子構(gòu)型與鍵的極性無關(guān)，故B錯誤；C.金剛石是原子晶體，故C錯誤；D.理論解釋不對，HF分子中間含有氫鍵，故HF的沸點高于HCl，故D錯誤。答案選A。10.AA.35Cl與37Cl核外電子數(shù)均為17,二者的原子結(jié)構(gòu)示意圖相同，均為,A正確；B．HClO的電子式為，B錯誤；C.二氧化碳分子中,C的原子半徑大于O原子,所以CO2正確的比例模型為：，C錯誤;D.HCl的電子式為；，D錯誤；答案選A.點睛：HC1O的結(jié)構(gòu)式為H—O—Cl，因此次氯酸正確的電子式為。11.D解：A．沸點為CH4＜SiH4＜GeH4＜SnH4，故A錯誤；B．沸點為PH3＜AsH3＜SbH3＜NH3，故B錯誤;

C．沸點為H2O＞H2Te＞H2Se＞H2S，故C錯誤；

D．HF分子間含氫鍵，其它氫化物的相對分子質(zhì)量越大,沸點越大,則沸點為HCl＜HBr＜HI＜HF,故D正確；

故選D．

【分析】A．均為分子晶體,相對分子質(zhì)量越大，沸點越大；

B．氨氣分子間含氫鍵，其它氫化物的相對分子質(zhì)量越大，沸點越大；

C．水分子間含氫鍵，其它氫化物的相對分子質(zhì)量越大，沸點越大；

D．HF分子間含氫鍵，其它氫化物的相對分子質(zhì)量越大,沸點越大．12.C解：A．K的原子核外電子數(shù)為19，失去最外層4s電子，滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則電子排布式為1s22s22p63s23p6，故A正確；B．F的質(zhì)子數(shù)為9，最外層電子數(shù)為7，則電子排布式為1s22s22p5，故B正確；

C．S的質(zhì)子數(shù)為16，得到2個電子變?yōu)殡x子,滿足最外層8個電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則電子排布式為1s22s22p63s23p6，故C錯誤；

D．Ar的質(zhì)子數(shù)為18，電子排布式為1s22s22p63s23p6,故D正確；

故選C．

【分析】A．K的原子核外電子數(shù)為19，失去最外層4s電子，滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；

B．F的質(zhì)子數(shù)為9,最外層電子數(shù)為7；

C．S的質(zhì)子數(shù)為16,得到2個電子變?yōu)殡x子,滿足最外層8個電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；

D．Ar的質(zhì)子數(shù)為18,按照1s、2s、2p、3s、3p的順序填充電子．13.CA．石英SiO2是原子晶體，不存在分子式，應(yīng)為化學(xué)式,故A錯誤；B．NH4Cl的電子式為，故B錯誤；C．Cr核電荷數(shù)為24，其原子的基態(tài)簡化電子排布式為[Ar]3d54s1，故C正確；D．電子排布在同一能級的不同軌道時，總是優(yōu)先單獨占據(jù)一個軌道，且自旋方向相同，所以3p能級上電子排布圖違反洪特規(guī)則,故D錯誤；答案為C.點睛：解決這類問題過程中需要重點關(guān)注的有：①書寫電子式時應(yīng)特別注意如下幾個方面:陰離子及多核陽離子均要加“［］"并注明電荷,書寫共價化合物電子式時，不得使用“[]”，沒有成鍵的價電子也要寫出來。②書寫結(jié)構(gòu)式、結(jié)構(gòu)簡式時首先要明確原子間結(jié)合順序（如HClO應(yīng)是H—O—Cl，而不是H—Cl-O)，其次是書寫結(jié)構(gòu)簡式時，碳碳雙鍵、碳碳三鍵應(yīng)該寫出來.③比例模型、球棍模型要能體現(xiàn)原子的相對大小及分子的空間結(jié)構(gòu)。④電離方程式的書寫中要注意酸式鹽的書寫,如溶液中NaHSO4=Na++H++SO42—；NaHCO3=Na++HCO3-，同時注意電離條件，熔融狀態(tài)：KHSO4K++HSO4-.14.B試題分析：①Na2O2中鈉離子與過氧根離子之間形成離子鍵,過氧根離子中氧原子之間形成共價鍵,含有離子鍵和共價鍵兩種作用力，故①正確；②SiO2是原子晶體，只存在共價鍵，故②錯誤；③石墨是層狀結(jié)構(gòu),層內(nèi)碳原子之間形成共價鍵,層與層之間通過分子間作用力結(jié)合，故③正確；④金剛石是原子晶體，只存在共價鍵，故④錯誤；⑤氯化鈉屬于離子晶體，鈉離子與氯離子之間形成離子鍵,中只存在離子鍵，故⑤錯誤;⑥白磷屬于分子晶體，白磷分子中磷原子之間形成共價鍵，分子間存在分子間作用力，故⑥正確；故選B。15。A根據(jù)均攤法可知A位于頂點上,個數(shù)是8×1/8＝1，B位于面心處，個數(shù)是6×1/2＝3,C在晶胞內(nèi)部,共計1個，所以晶體中A、B、C的原子個數(shù)比依次為1:3：1,答案選A。16.A試題分析：A．SO2是V形結(jié)構(gòu)，是極性分子、SO3是平面三角形，是非極性分子，A錯誤；B．N元素可以形成配位健，則在NH4+和[Cu（NH3）4]2+中都存在配位鍵,B正確；C．元素電負(fù)性越大的原子，非金屬性強，吸引電子的能力越強,C正確;D．原子晶體中原子以共價鍵結(jié)合,具有鍵能大、熔點高、硬度大的特性，D正確，答案選A。17。D試題分析：在有機物分子中，當(dāng)一個碳原子連有4個不同的原子或原子團時，這種碳原子被稱為“手性碳原子"，題目所給4個選項中,只有CH3CH(NO2）COOH的第2個C原子連接了4個不同的原子或原子團，故D項正確.18。C試題分析:根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知，A、鈉離子的核外電子數(shù)是10個，其排布式是1s22s22p6，A正確；B、氟離子的核外電子數(shù)是10個，則核外電子排布是1s22s22p6，B正確；C、N3+的核外電子數(shù)是4，則核外電子排布是1s22s2，C錯誤；D、氧離子的核外電子數(shù)是10個,則核外電子排布是1s22s22p6，D正確，答案選C。19。A【考點】原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)．【分析】A元素的陽離子與B元素的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)，則A在B的下一周期，且A為金屬元素，在反應(yīng)中易失去電子,具有較強的金屬性，B為非金屬元素,在反應(yīng)中易得到電子，在反應(yīng)中易得到電子．【解答】解：A元素的陽離子與B元素的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu),則A在B的下一周期，則①A在B的下一周期，原子半徑A＞B，故①錯誤；②A在B的下一周期，原子序數(shù)A＞B，A元素的陽離子與B元素的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu),則離子半徑A＜B，故②錯誤;③A在B的下一周期，原子序數(shù)A＞B，故③正確;④當(dāng)原子最外層電子數(shù)＜4時易失去最外層電子形成陽離子,當(dāng)原子最外層電子＞4時，易得到電子形成陰離子,則原子最外層電子數(shù)A＜B，故④正確；⑤A、B原子最外層電子數(shù)不能確定，則元素的化合價關(guān)系不能確定,故⑤錯誤；⑥A能形成陽離子，說明A易失去電子，具有較強的金屬性，的電負(fù)性較弱，B能形成陰離子，說明在反應(yīng)時易得到電子，具有較強的電負(fù)性，則A的電負(fù)性小于B的電負(fù)性，故⑥正確;⑦A易失去電子，第一電離能較小,B易得電子，說明難以失去電子，電離能較大，故A的第一電離能小于B的第一電離能，故⑦錯誤．故選A．20。B【考點】原子核外電子排布．【分析】A、3p能級有一個空軌道的基態(tài)原子,該原子3p能級有2個電子．B、M層全充滿而N層為4s2的原子的核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s2．C、最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的1/5的原子，討論最外層電子數(shù),計算核外電子總數(shù)，根據(jù)核外電子排布規(guī)律書寫價電子排布，進行判斷元素進行解答．D、2p能級有一個未成對電子的基態(tài)原子，該原子2p能級有1個電子或5個電子．【解答】解：A、3p能級有一個空軌道的基態(tài)原子，該原子3p能級有2個電子，核外電子排布式為1s22s22p63s23p2,二者核外電子排布相同，為同一原子，故A不符合；B、M層全充滿而N層為4s2的原子的核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s2，二者原子核外電子排布不相同，不表示同一原子，故B符合；C、最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的的原子，若最外層電子數(shù)為1，則核外電子總數(shù)為5,最外層電子排布為2s22p1，最外層電子數(shù)為3，不符合題意，故舍去；若最外層電子數(shù)為2，則核外電子總數(shù)為10，最外層電子排布為2s22p6，最外層電子數(shù)為8，不符合題意，故舍去;若最外層電子數(shù)為3，則核外電子總數(shù)為15,最外層電子排布為3s23p3，最外層電子數(shù)為5，不符合題意，故舍去；若最外層電子數(shù)為4,則核外電子總數(shù)為20，最外層電子排布為4s2，最外層電子數(shù)為2，不符合題意，故舍去；若最外層電子數(shù)為5,則核外電子總數(shù)為25，最外層電子排布為4s2，最外層電子數(shù)為2，不符合題意，故舍去;若最外層電子數(shù)為6，則核外電子總數(shù)為30，最外層電子排布為4s2，最外層電子數(shù)為2,不符合題意，故舍去;若最外層電子數(shù)為7,則核外電子總數(shù)為35，最外層電子排布為4s22p5，最外層電子數(shù)為7，符合題意；若最外層電子數(shù)為8,則核外電子總數(shù)為40，最外層電子排布為5s2,最外層電子數(shù)為2，不符合題意，故舍去．故該原子核外電子總數(shù)為35，核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s24p5，價層電子排布為4s22p5，二者原子價層電子排布相同,為同一原子，故C不符合；D、2p能級有一個未成對電子的基態(tài)原子，該原子2p能級有1個電子或5個電子,價電子排布為2s22p1或2s22p5的原子,可能為同一原子，故D不符合．故選:B．21.（1)1s22s22p63s23p34(2）O<N<F（O、N、F）（3）正四面體形sp3（4)相對分子質(zhì)量最小,分子間作用力（范德華力）最弱（5）Cu(OH）2+4NH3=[Cu(NH3)4］2++2OH-ABD(6）CoO【詳解】（1)該原子核外有15個電子,根據(jù)構(gòu)造原理書寫其核外電子排布式為1s22s22p63s23p3；Fe2+中未成對電子數(shù)為3d能級上4個電子，；(2)同一周期元素，元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素,N、O、F元素位于同一周期，分別位于第VA族、第VIA族、第VIIA族，所以第一電離能從小到大順序是O＜N＜F；(3)ClO4-原子價層電子對個數(shù)為=4，孤電子對數(shù)為0，根據(jù)價層電子對互斥理論判斷其空間構(gòu)型為正四面體、中心原子雜化軌道類型為sp3；（4）結(jié)構(gòu)相似的分子晶體中，熔沸點與分子間作用力成正比，分子間作用力與相對分子質(zhì)量成正比,烷烴都屬于分子晶體，其相對分子質(zhì)量隨著碳原子個數(shù)增大而增大,所以范德華力隨著碳原子個數(shù)增大而增大，則熔沸點最小的是甲烷；（5)向CuSO4溶液中加入氨水，首先形成藍色沉淀，該沉淀為氫氧化銅，繼續(xù)加氨水,沉淀溶解，得到深藍色溶液,是因為Cu(OH)2和氨氣反應(yīng)生成［Cu（NH3）4]2+、OH—，離子方程式為Cu(OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-；該深藍色晶體為［Cu(NH3)4］SO4,SO42—與[Cu（NH3)4]2+離子鍵，氨氣分子與銅離子之間為配位鍵,氨氣分子中N-H鍵為σ鍵，所以選ABD;（6）該晶胞中O原子個數(shù)=4，Co原子個數(shù)=8×+6×=4，O、Co原子個數(shù)之比=4:4=1：1，其化學(xué)式為CoO；晶體體積V=a3pm3=a3×10—30cm3，晶胞密度=?！军c睛】同一周期元素,元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素；有關(guān)晶胞的計算要注意單位的換算，1cm=107nm=1010pm。22。(1)3d74s23（2)sp2V型（3)Cu<O〈N乙二胺分子之間可以形成氫鍵，三甲胺分子之間不能形成氫鍵（4）12【分析】（1）Co元素核外有27個電子，根據(jù)構(gòu)造原理書寫；（2)NO2－中心原子N原子價層電子對數(shù)為3，故雜化軌道數(shù)為3，所以N原子的雜化方式為sp2雜化，空間構(gòu)型為V型；NO2－中參與形成大π鍵的原子個數(shù)為3個，每個原子提供一個單電子，得電子數(shù)為1個，所以NO2－的大π鍵可以表示為.（3）①同一周期主族原素從左到右，原子半徑逐漸減小，第一電離能有增大趨勢,但IIA和VA元素例外，O的第一電離能小于N，O和N為非金屬元素，Cu為金屬元素，Cu比O、N易失電子；②乙二胺（H2NCH2CH2NH2）分子中含有氮氫鍵，分子間能形成氫鍵，三甲胺［N(CH3）3］分子中不含氮氫鍵，分子間不能形成氫鍵;(4）由圖可知，距每個Cu原子最近的Cu原子有12個,即配位數(shù)為12；晶胞中實際含有的Cu為4個,其質(zhì)量為4×64g/NA；根據(jù)=計算密度。【詳解】（1）Co為27號元素，根據(jù)電子構(gòu)造原理可知其電子排布式為[Ar］3d74s2,Co2+電子排布式為[Ar]3d7，3d7軌道上有3個未成對的電子.故答案為：3d74s2；3；（2）NO2－中心原子N原子價層電子對數(shù)為3，故雜化軌道數(shù)為3，所以N原子的雜化方式為sp2雜化，空間構(gòu)型為V型；NO2－中參與形成大π鍵的原子個數(shù)為3個，每個原子提供一個單電子，得電子數(shù)為1個,所以NO2－的大π鍵可以表示為;故答案為：sp2；V型；；（3）①同一周期主族原素從左到右,原子半徑逐漸減小，第一電離能有增大趨勢，但IIA和VA元素例外，O的第一電離能小于N，O和N為非金屬元素,Cu為金屬元素，Cu比O、N易失電子，所以第一電離能由小到大的順序是Cu<O<N；②乙二胺（H2NCH2CH2NH2）分子中含有氮氫鍵，分子間能形成氫鍵，三甲胺[N(CH3）3]分子中不含氮氫鍵，分子間不能形成氫鍵，因而乙二胺比三甲胺的沸點高得多，故答案為：Cu<O〈N；乙二胺分子之間可以形成氫鍵，三甲胺分子之間不能形成氫鍵；(4)由圖可知，距每個Cu原子最近的Cu原子有12個，即配位數(shù)為12；晶胞中實際含有的Cu為4個，其質(zhì)量為4×64g/NA；已知銅的原子半徑為anm,由圖可知，晶胞中面對角線長為4anm，晶胞的棱長為2anm，則晶胞的體積為(2a×10-7)3cm3,所以有（2×10-7)3×=4×64g/NA，解得=g/cm3，故答案為:.23。（1)啞鈴形（2)正四面體SiCl4的的相對分子質(zhì)量大于SiF4,分子間作用力更大（3）abc(4)sp3雜化Si的原子半徑大于C(5）【分析】（1）根據(jù)構(gòu)造原理結(jié)合洪特規(guī)則書寫Si的軌道表達式；結(jié)合F、H原子核外電子排布式及各個軌道電子云的空間形狀判斷;(2)根據(jù)價層電子對數(shù)判斷空間形狀；根據(jù)分子間作用力與相對分子質(zhì)量的關(guān)系分析比較;(3）K2SiF6晶體為離子晶體，結(jié)合離子的結(jié)構(gòu)分析；(4)H4SiO4中的Si原子最外層電子排布為3s23p2,全形成共價鍵，為sp3雜化；同一主族的元素形成化合物結(jié)構(gòu)相似，但原子半徑大小不同，從二者的不同分析；(5）最近的兩個Si原子處于晶胞對角線的處;用均攤法計算一個晶胞中含有的Si的原子個數(shù)，然后利用密度公式計算密度大小。【詳解】(1)Si是14號元素,根據(jù)構(gòu)造原理可知其其核外電子排布式為1s22s22p63s23p2，結(jié)合洪特規(guī)則可知Si原子的價層電子的排布圖為;F是9號元素,核外電子排布式為：1s22s22p5；H核外只有1個電子，電子排布式為1s1,可見二者的區(qū)別在于F原子核外有p電子，p軌道為啞鈴形;(2）SiF4分子中的中心原子Si的價層電子對數(shù)為4，所以其立體構(gòu)型為正四面體；SiCl4的熔、沸點均高于SiF4，主要原因是二者都是分子晶體，結(jié)構(gòu)相似,對于結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)來說，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，克服分子間作用力使物質(zhì)熔化、氣化需要的能量更多，物質(zhì)的熔沸點就越高。由于SiCl4的的相對分子質(zhì)量于SiF4,分子間作用力更大；(3)K2SiF6晶體為離子晶體，陽離子K+與陰離子SiF62-通過離子鍵結(jié)合，在陰離子SiF62—中中心原子Si原子與6個F形成共價鍵,其中2個為配位鍵，因此含有的作用力為離子鍵、共價鍵、配位鍵，合理選項是abc;（4）H4SiO4中的Si原子最外層電子排布為3s23p2,全形成共價鍵,為sp3雜化;C、S都是第IVA的元素，原子最外層都有4個電子，但Si原子可組成H4SiO4,而C元素只能形成H2CO3,