半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價 第1部分：高度徑向二階導(dǎo)數(shù)法（ZDD） 編制說明_第1頁
半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價 第1部分：高度徑向二階導(dǎo)數(shù)法（ZDD） 編制說明_第2頁
半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價 第1部分：高度徑向二階導(dǎo)數(shù)法（ZDD） 編制說明_第3頁
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國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價第1部分：高度徑向二階導(dǎo)數(shù)法(ZDD)》編制說明(征求意見稿)義英寸硅片95%以上依賴進口。尤其在當(dāng)前國際形勢下，保障國家集成電路產(chǎn)1起草階段任務(wù)來源根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)委發(fā)[2021]號文件要求，由山東有研半導(dǎo)體材料有限公司負(ZDD)》的制定工作，計劃編號為20214647-T-469。項目承擔(dān)單位概況份公司和德州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)景泰投資有限公司共同出資成立，注冊資本公整套具有自主知識產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體硅材料的核心技術(shù)和符合國際標(biāo)準(zhǔn)的先進廠房4.主要工作過程3)山東有研半導(dǎo)體是隸屬于有研集團，技術(shù)力量雄厚，檢驗經(jīng)驗豐富，參經(jīng)主要內(nèi)容及依據(jù)本文件規(guī)定了適用于硅片或其他半導(dǎo)體材料晶片近邊緣幾何形態(tài)的評價方準(zhǔn)基本原理是將硅片測試數(shù)據(jù)按照空間原則分割為有限個單元(空間原則可以是同心圓環(huán)、扇形或矩形等等)，針對不同的分割原理以二階導(dǎo)數(shù)法為基的關(guān)系適用于硅片或其他

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