CNAS-GL053:2022 電磁兼容實(shí)驗(yàn)室場(chǎng)地確認(rèn)技術(shù)指南_第1頁(yè)
CNAS-GL053:2022 電磁兼容實(shí)驗(yàn)室場(chǎng)地確認(rèn)技術(shù)指南_第2頁(yè)
CNAS-GL053:2022 電磁兼容實(shí)驗(yàn)室場(chǎng)地確認(rèn)技術(shù)指南_第3頁(yè)
CNAS-GL053:2022 電磁兼容實(shí)驗(yàn)室場(chǎng)地確認(rèn)技術(shù)指南_第4頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

2022

目錄

適用范圍

引用文件

術(shù)語(yǔ)、定義和符號(hào)

針對(duì)不同產(chǎn)品領(lǐng)域的

場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目

.............................................................. ...................................................................................................... 民標(biāo)產(chǎn)品

場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目和要求

2022

2022

TEM

GTEM

TEM

汽車產(chǎn)品

場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目和要求

2022

2022

TEM

專用電子、電氣和機(jī)電設(shè)備及系統(tǒng)

場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目和要求

TEM

GTEM

TEM

2022

2022

通信產(chǎn)品

場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目和要求

TEM

2022

2022

本文件是對(duì)《檢測(cè)和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室能力認(rèn)可準(zhǔn)則

域的應(yīng)用說(shuō)明》在電磁兼容實(shí)驗(yàn)室場(chǎng)地確認(rèn)要求方面的補(bǔ)充說(shuō)明和技術(shù)指南,并不增加其他的要求。本文件為首次制定的第一版文件。2022

2022

電磁兼容實(shí)驗(yàn)室場(chǎng)地確認(rèn)技術(shù)指南1適用范圍本文件適用于申請(qǐng)認(rèn)可和已獲認(rèn)可的實(shí)驗(yàn)室從事電磁兼容2引用文件下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,

2018《檢測(cè)和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室能力認(rèn)可準(zhǔn)則》

《實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可領(lǐng)域分類》:2018《檢測(cè)和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室能力認(rèn)可準(zhǔn)則

的應(yīng)用說(shuō)明》GB/T

《無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備和測(cè)量方法規(guī)范

第部分:

無(wú)線

輻射騷擾測(cè)量用天線和試驗(yàn)場(chǎng)地》GB/T

《無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備和測(cè)量方法規(guī)范

第部分:無(wú)線

輻射騷擾測(cè)量》GB/T

《電磁屏蔽室屏蔽效能的測(cè)量方法》GB/T

《電磁兼容

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)》GB/T

《電磁兼容

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

TEM擾度試驗(yàn)》GB/T

《電磁兼容

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

混波室試驗(yàn)方法》3 術(shù)語(yǔ)、定義和符號(hào)

術(shù)語(yǔ)、定義為便于理解,給出幾個(gè)重要的術(shù)語(yǔ)定義如下:

SAAS當(dāng)一副天線在規(guī)定的高度范圍內(nèi)垂直移動(dòng),另外一副天線架設(shè)在固定高度時(shí),位于試驗(yàn)場(chǎng)地上的這兩幅極化匹配的天線之間測(cè)得的最小場(chǎng)地插入損耗。2022

2022

[

,術(shù)語(yǔ)

]全電波暗室

fully

;FAR六個(gè)內(nèi)表面裝有射頻吸波材料(即射頻吸收體)的屏蔽室,該吸波材料能夠吸收所關(guān)注頻率范圍內(nèi)的電磁能量。[

,術(shù)語(yǔ)

] 半電波暗室

chamber;

SAC6個(gè)內(nèi)表面中的5面安裝有能夠吸收所關(guān)注頻率范圍內(nèi)的電磁能量的吸波材料(即射頻吸收體)的屏蔽室、底部的水平面鋪設(shè)有試驗(yàn)布置中所使用的導(dǎo)電接地平板的屏蔽室。[

,術(shù)語(yǔ)

] 開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)

test

site;注1:OATSCOMTS)。OATSCALTS注2:OATS為無(wú)覆蓋物的室外場(chǎng)地,其遠(yuǎn)離建筑物、電力線、籬笆、樹(shù)木、地下電纜、OATS的結(jié)構(gòu)參見(jiàn)6113.104-2016。[

,術(shù)語(yǔ)

屏蔽室

注:它通常由金屬材料建成,在金屬板接縫和門(mén)等處采取一定的措施以保證連續(xù)的電連接。高性能的屏蔽室在不同頻率可以將電場(chǎng)、磁場(chǎng)抑制一到七個(gè)數(shù)量級(jí)。[GB/T

,術(shù)語(yǔ)帶狀線

TEM模傳輸以產(chǎn)生滿足試驗(yàn)要求的特定場(chǎng)。[

,術(shù)語(yǔ)

] 橫電磁波室

TEM

封閉的TEMTEM模傳輸以產(chǎn)生滿足試驗(yàn)需要的特定場(chǎng),外導(dǎo)體完全包含內(nèi)導(dǎo)體。[

,術(shù)語(yǔ)

]2022

2022

吉赫茲?rùn)M電磁波室

electromagnetic

GTEM

上限頻率范圍擴(kuò)展至的TEM波導(dǎo)室。 混波室(混響室)

chamber專門(mén)設(shè)計(jì)的具有相當(dāng)長(zhǎng)混波時(shí)間的小室。注1//電磁場(chǎng)的邊界條件,進(jìn)而改變電磁場(chǎng)分布。注2注3:機(jī)械調(diào)諧器/[

,術(shù)語(yǔ)

3.1.6

]

(混波室的)品質(zhì)因數(shù)

quality

factor;Q(品質(zhì)因數(shù))對(duì)于諧振頻率下的諧振電路,最大儲(chǔ)存能量與一周期內(nèi)消耗能量之比的2π倍。衡量混波室儲(chǔ)能的能力。注:對(duì)于一個(gè)給定的混波室,Q1)計(jì)算:Q=η

η??

λ

??

….(1)式中:V ——

混波室的體積,單位為立方米(m);λ ——

波長(zhǎng),單位為米(m);P/P

——接收功率與輸入功率的比值,其為在整個(gè)調(diào)諧器/攪拌器序列上的平均值;<> ——關(guān)于天線位置和方位數(shù)n平均;ηTx ——發(fā)射天線(Tx天線的效率可取0.75,喇叭天線的效率可取0.9;η ——接收天線(Rx天線的效率可取0.75,喇叭天線的效率可取0.9;n ——求Q個(gè)位置和方位計(jì)算,然后求平均。[

,術(shù)語(yǔ)

]

屏蔽效能(SE)

沒(méi)有屏蔽體時(shí)接收到的信號(hào)值與在屏蔽體內(nèi)接收到的信號(hào)值的比值,即發(fā)射天線與2022

2022

[GB/T

,術(shù)語(yǔ)

均勻場(chǎng)域

UFA場(chǎng)校準(zhǔn)的假想垂直平面,在該平面內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)的變化足夠小。場(chǎng)校準(zhǔn)的目的在于確保試驗(yàn)結(jié)果的有效性。[

,術(shù)語(yǔ)

]

通用符號(hào)SA:場(chǎng)地衰減NSA:歸一化場(chǎng)地衰減AF:天線系數(shù)SVSWR:場(chǎng)地電壓駐波比FU:均勻場(chǎng)域AN:環(huán)境本底噪聲SE:屏蔽效能SAC:半電波暗室FAR:全電波暗室SR:屏蔽室OATS:開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)4 針對(duì)不同產(chǎn)品領(lǐng)域的

EMC

場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目

概述參照

《實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可領(lǐng)域分類》及

《檢測(cè)和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室能力認(rèn)可準(zhǔn)則

及的產(chǎn)品大類,歸類到民標(biāo)產(chǎn)品;汽車產(chǎn)品;專用電子、電氣和機(jī)電設(shè)備及系統(tǒng);通信產(chǎn)品四類,對(duì)其適用的場(chǎng)地分別進(jìn)行場(chǎng)地確認(rèn)要求說(shuō)明。4.1~4.4列出了不同產(chǎn)品類別涉及場(chǎng)地的通用場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目,于輻射抗擾度測(cè)試,則無(wú)需進(jìn)行均勻場(chǎng)域確認(rèn)。

民標(biāo)產(chǎn)品場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目民標(biāo)產(chǎn)品的場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目見(jiàn)表4.1。2022

產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場(chǎng)地場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目民標(biāo)產(chǎn)品信息技術(shù)設(shè)備()音視頻設(shè)備()()醫(yī)療設(shè)備()療設(shè)備()一般電子電氣產(chǎn)品(道交通的車輛、裝置和設(shè)備()屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電平半電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場(chǎng)地衰減、場(chǎng)地電壓駐波比、場(chǎng)均勻性、輻射發(fā)射測(cè)試桌的影響評(píng)估、環(huán)境噪聲電平全電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場(chǎng)地衰減、場(chǎng)地電壓駐波比、場(chǎng)均勻性、輻射發(fā)射測(cè)試桌的影響評(píng)估、環(huán)境噪聲電平開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)歸一化場(chǎng)地衰減、環(huán)境噪聲電平混波室場(chǎng)均勻性、品質(zhì)因數(shù)(Q

值)、時(shí)間常數(shù)、混波室加載系數(shù)(CLF)橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場(chǎng)均勻性、TEM

模的驗(yàn)證、屏蔽效能GTEM

小室阻抗、輸入端電壓駐波比、場(chǎng)均勻性、TEM

模的驗(yàn)證、屏蔽效能產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場(chǎng)地場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目汽車產(chǎn)品汽車、摩托車()屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電平半電波暗室(整車)屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場(chǎng)地衰減、場(chǎng)地電壓駐波比、場(chǎng)均勻性、環(huán)境噪聲電平半電波暗室(汽車零部件)屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電平、長(zhǎng)線天線法或參考測(cè)量法

ALSE

性能確認(rèn)、測(cè)試桌接地電阻開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)歸一化場(chǎng)地衰減、環(huán)境噪聲電平混波室CCF載系數(shù)(CLF)橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場(chǎng)均勻性、TEM

模的驗(yàn)證、屏蔽效能帶狀線阻抗、場(chǎng)均勻性2022

10

54

民標(biāo)產(chǎn)品場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目表

民標(biāo)產(chǎn)品場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目

汽車產(chǎn)品場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目表

汽車產(chǎn)品場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目2022

汽車產(chǎn)品場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場(chǎng)地場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目專用電子、電氣和機(jī)電設(shè)備及系統(tǒng)軍用設(shè)備和分系統(tǒng)()屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、電磁環(huán)境電平半電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、電磁環(huán)境電平全電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、電磁環(huán)境電平開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)平坦度、電磁環(huán)境電平混波室場(chǎng)均勻性、品質(zhì)因數(shù)(Q

值)、時(shí)間常數(shù)、混波室加載系數(shù)(CLF)橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場(chǎng)均勻性、TEM

模的驗(yàn)證、傳輸損耗、屏蔽效能GTEM

小室阻抗、輸入端電壓駐波比、場(chǎng)均勻性、TEM

模的驗(yàn)證、屏蔽效能平行板傳輸線阻抗、場(chǎng)均勻性

m、

m

m

波比、場(chǎng)均勻性應(yīng)符合要求。若測(cè)量距離按照

m、

m

m

設(shè)計(jì)的開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng),其歸一化場(chǎng)地衰減應(yīng)符合要求。產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場(chǎng)地場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目通信產(chǎn)品通信設(shè)備()靠近耳邊的移動(dòng)通信終端電磁輻射()屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電平半電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場(chǎng)地衰減、場(chǎng)地電壓駐波比、場(chǎng)均勻性、輻射發(fā)射測(cè)試桌的影響評(píng)估、環(huán)境噪聲電平全電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場(chǎng)地衰減、場(chǎng)地電壓駐波比、場(chǎng)均勻性、輻射發(fā)射測(cè)試桌的影響評(píng)估、環(huán)境噪聲電平開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)歸一化場(chǎng)地衰減、輻射發(fā)射環(huán)境本底噪聲2022

54

專用電子、電氣和機(jī)電設(shè)備及系統(tǒng)場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目專用電子、電氣和機(jī)電設(shè)備及系統(tǒng)的場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目見(jiàn)表4.3。表

4.3-

專用電子、電氣和機(jī)電設(shè)備及系統(tǒng)場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目表

4.3-

專用電子、電氣和機(jī)電設(shè)備及系統(tǒng)場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目

通信產(chǎn)品場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目表

通信產(chǎn)品場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目2022

通信產(chǎn)品場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場(chǎng)地場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目混響室場(chǎng)均勻性、品質(zhì)因數(shù)(Q

值)、時(shí)間常數(shù)、混波室加載系數(shù)(CLF)橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場(chǎng)均勻性、TEM

模的驗(yàn)證、屏蔽效能2022

12

54

5民標(biāo)產(chǎn)品

5民標(biāo)產(chǎn)品

EMC

場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目和要求屏蔽效能 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1) GB/T

12190

電磁屏蔽室屏蔽效能的測(cè)量方法2) EN

50147-1

-

性能要求:屏蔽室的屏蔽效能至少應(yīng)滿足的要求:1)

kHz-1

2) 1

MHz >

GHz

GHzc) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證 報(bào)告要求:應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具的報(bào)告,報(bào)告應(yīng)包含測(cè)試位置及布置圖等信息,相關(guān)內(nèi)容符合的要求。 接地電阻 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:GB/T

16895.23

低壓電氣裝置

第6 于4

Ω。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證。報(bào)告要求:應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具的報(bào)告,報(bào)告應(yīng)包含測(cè)試點(diǎn)位置等相關(guān)信息,相關(guān)內(nèi)容符合的要求。絕緣電阻依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:GB/T

16895.23

低壓電氣裝置

第62022

2022

13

54

性能要求:屏蔽室的絕緣電阻至少應(yīng)滿足的要求:電源進(jìn)線對(duì)屏蔽室金屬壁2

MΩ。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證。 報(bào)告要求:應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具的報(bào)告,報(bào)告相關(guān)內(nèi)容符合的要求。 環(huán)境噪聲電平 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1) GB/T

6113.201

無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備和測(cè)量方法規(guī)范

線電騷擾和抗擾度測(cè)量方法

傳導(dǎo)騷擾測(cè)量2)

16-2-1

Specification

radio

immunity

measuringapparatus

and

methods

Part

2-1:

of

measurement

of

disturbances

immunity

Conducted

measurements3) EN

55016-2-1

radio

immunity

measuringapparatus

and

methods

Part

2-1:

of

measurement

of

disturbances

immunity

Conducted

measurements4) 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)等 性能要求:屏蔽室的環(huán)境噪聲電平應(yīng)比相應(yīng)適用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的限值至少低。c)測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證,其后實(shí)驗(yàn)室可自行規(guī)范每次測(cè)試前的環(huán)境噪聲電平確認(rèn) 報(bào)告要求:首次驗(yàn)證報(bào)告應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具。

半電波暗室屏蔽效能 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1) GB/T

12190

電磁屏蔽室屏蔽效能的測(cè)量方法2) EN

50147-1

-

備注:進(jìn)行復(fù)測(cè)時(shí),由于吸波材料已布置好,此時(shí)僅在天線能按照標(biāo)準(zhǔn)布置的部位進(jìn)行屏蔽效性能要求:半電波暗室的屏蔽效能應(yīng)至少滿足的要求:2022

2022

14

54

kHz-1

1

MHz>

1

GHz>

c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證 報(bào)告要求:應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具的報(bào)告,報(bào)告應(yīng)包含測(cè)試位置及布置圖等信息,相關(guān)內(nèi)容符合的要求。接地電阻同要求絕緣電阻同要求歸一化場(chǎng)地衰減 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:CISPR

for

immunity

measuring

and

methods

-

immunity

-

test

for

measurements GB/T

無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備和測(cè)量方法規(guī)范

第部分:

無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備

輻射騷擾測(cè)量用天線和試驗(yàn)場(chǎng)地 EN

for

immunity

measuring

and

methods

-

immunity

-

test

for

measurementsANSI

for

Emissions

Electrical

the

Range

9

GHzANSI

American

Standard

for

Emissions

Electrical

the

Range

9

GHz

Amendment

Test

性能要求:NSA4

場(chǎng)地可接受原則。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證2022

2022

15

54

報(bào)告要求:應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具的報(bào)告,報(bào)告應(yīng)包含足夠的場(chǎng)地布置信息、測(cè)試布置照片,測(cè)試軸線的位置,應(yīng)有根據(jù)天線類型分頻段給出不同極化方式下的歸一化場(chǎng)地衰減偏差的測(cè)試曲線和限值線,相關(guān)內(nèi)容符合的要求。 場(chǎng)地電壓駐波比依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范: CISPR

for

immunity

and

methods

-

and

immunity

-

and

test

for

measurements GB/T

無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備和測(cè)量方法規(guī)范

第部分:

無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備

輻射騷擾測(cè)量用天線和試驗(yàn)場(chǎng)地 EN

for

immunity

and

methods

-

and

immunity

-

and

test

for

measurements 性能要求:半電波暗室的場(chǎng)地電壓駐波比(SVSWR的要求:≤。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證報(bào)告要求:應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具的報(bào)告,報(bào)告應(yīng)包含足夠的場(chǎng)地布置信息、測(cè)試布置照片,測(cè)試軸線的位置,應(yīng)有根據(jù)天線類型分頻段給出不同極化方式下的場(chǎng)地電壓駐波比偏差的測(cè)試曲線和限值線,相關(guān)內(nèi)容符合的要求。 場(chǎng)均勻性依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1)IEC61000-4-3

(EMC)

-

Part

4-3:

Testing

andmeasurement

-

Radiated,

electromagnetic

immunity

test2) EN

61000-4-3

(EMC)

-

Part

4-3:

Testing

andmeasurement

-

Radiated,

electromagnetic

immunity

test3) GB/T

17626.3

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)2022

2022

16

54

性能要求:電波暗室的場(chǎng)均勻域滿足相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求,如

或IEC等。c)測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證報(bào)告要求:應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具的報(bào)告。輻射發(fā)射測(cè)試桌的影響評(píng)估 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:CISPR

for

immunity

and

methods

-

and

immunity

-

and

test

for

measurements GB/T

無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備和測(cè)量方法規(guī)范

第部分:

無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備

輻射騷擾測(cè)量用天線和試驗(yàn)場(chǎng)地 EN

for

immunity

and

methods

-

and

immunity

-

and

test

for

measurementsANSI

American

for

Emissions

Electrical

the

Range

9

GHz 性能要求:輻射發(fā)射測(cè)試桌的影響評(píng)估結(jié)果需引入到輻射發(fā)射測(cè)量不確定評(píng)估的貢獻(xiàn)值中。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證或更換測(cè)試桌后。報(bào)告要求:應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具的報(bào)告,報(bào)告中應(yīng)記1GHz頻段以上測(cè)試桌的影響評(píng)估。環(huán)境噪聲電平 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1) GB/T

6113.203

無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備和測(cè)量方法規(guī)范

線電騷擾和抗擾度測(cè)量方法

輻射騷擾測(cè)量2)

16-2-3

Specification

radio

immunity

measuringapparatus

and

methods

Part

2-3:

of

measurement

of

disturbances

2022

2022

17

54

immunity

Radiated

3)EN

55016-2-3

radio

immunity

measuringapparatus

and

methods

Part

2-3:

of

measurement

of

disturbances

immunity

Radiated

4) 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)等 性能要求:半電波暗室的環(huán)境噪聲電平應(yīng)比規(guī)定的限值低,但至少要低6

。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證,其后實(shí)驗(yàn)室可自行規(guī)范每次測(cè)試前的環(huán)境噪聲電平確認(rèn)。 報(bào)告要求:首次驗(yàn)證報(bào)告應(yīng)由

全電波暗室 屏蔽效能同5.2.1要求 接地電阻同要求絕緣電阻同要求歸一化場(chǎng)地衰減同要求 場(chǎng)地電壓駐波比同

5.2.5

要求 場(chǎng)均勻性同

5.2.6

要求 輻射發(fā)射測(cè)試桌的影響評(píng)估同

5.2.7

要求 環(huán)境噪聲電平同

5.2.8

要求

開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)歸一化場(chǎng)地衰減 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范: CISPR

for

immunity

2022

2022

18

54

and

methods

-

and

immunity

-

and

test

for

measurements GB/T

無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備和測(cè)量方法規(guī)范

第部分:

無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備

輻射騷擾測(cè)量用天線和試驗(yàn)場(chǎng)地 EN

for

immunity

and

methods

-

and

immunity

-

and

test

for

measurements ANSI

American

for

Emissions

Electrical

the

Range

9

GHz ANSI

American

for

Emissions

Electrical

the

Range

9

GHz

Amendment

Test

性能要求:開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)的歸一化場(chǎng)地衰減(NSA)滿足的要求:±4

場(chǎng)地可接受原則。c) 報(bào)告要求:應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具的報(bào)告,報(bào)告應(yīng)包含足夠的場(chǎng)地布置信息、測(cè)試布置照片,測(cè)試軸線的位置,應(yīng)有根據(jù)天線類型分頻段給出不同極化方式下的歸一化場(chǎng)地衰減偏差的測(cè)試曲線和限值線,相關(guān)內(nèi)容符合的要求。 環(huán)境噪聲電平 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1) GB/T

6113.203

無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備和測(cè)量方法規(guī)范

線電騷擾和抗擾度測(cè)量方法

輻射騷擾測(cè)量2)

16-2-3

Specification

radio

immunity

measuringapparatus

and

methods

Part

2-3:

of

measurement

of

disturbances

immunity

Radiated

3) EN

55016-2-3

radio

immunity

measuringapparatus

and

methods

Part

2-3:

of

measurement

of

disturbances

immunity

Radiated

2022

頻率范圍標(biāo)準(zhǔn)差限值要求

a4

a

MHz時(shí)為4

,線性減小至

MHz

時(shí)的3

MHz以上a3

a

每8個(gè)頻點(diǎn)最多可有31

。2022

19

54

4) 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)等 性能要求:開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)周圍的電磁環(huán)境電平與相應(yīng)限值相比應(yīng)足夠低,試驗(yàn)場(chǎng)地的質(zhì)量按下述四級(jí)給予評(píng)估: 第一級(jí)周圍環(huán)境電平比相應(yīng)限值低

6

; 第二級(jí)周圍環(huán)境電平中有些發(fā)射比相應(yīng)的限值低,但其差值小于

;有限的可識(shí)別頻率上; 現(xiàn);其中,第四級(jí)場(chǎng)地不符合要求。評(píng)審報(bào)告中應(yīng)注明場(chǎng)地級(jí)別。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證,其后實(shí)驗(yàn)室可自行規(guī)范每次測(cè)試前的環(huán)境噪聲電平確認(rèn)。報(bào)告要求:首次驗(yàn)證報(bào)告應(yīng)由

混波室場(chǎng)均勻性依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1)

61000-4-21

compatibility

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Reverberation

chamber

methods2) EN

61000-4-21

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Reverberation

chamber

methods3) GB/T

17626.21

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

混波室試驗(yàn)方法 性能要求:2022

性能要求:2022

20

54

c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證。報(bào)告要求:應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具的報(bào)告,應(yīng)在所有的輔助設(shè)備(包括試驗(yàn)臺(tái))都移出混波室的情況下及在混響室內(nèi)擱置負(fù)載(模擬平AVF。 品質(zhì)因數(shù)(

值) 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1)

61000-4-21

compatibility

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Reverberation

chamber

methods2) EN

61000-4-21

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Reverberation

chamber

methods3) GB/T

17626.21

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

混波室試驗(yàn)方法限值要求:無(wú)c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證或重大改造后,每次試驗(yàn)前需要進(jìn)行確認(rèn)。 報(bào)告要求:首次驗(yàn)證報(bào)告應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具。應(yīng)在 時(shí)間常數(shù)依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1)

61000-4-21

compatibility

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Reverberation

chamber

methods2) EN

61000-4-21

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Reverberation

chamber

methods3) GB/T

17626.21

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

混波室試驗(yàn)方法 性能要求:在至少的測(cè)試頻率上,混波室的時(shí)間常數(shù)應(yīng)不大于任何試驗(yàn)波形的脈沖寬度的0.4。如果大于0.4,那么應(yīng)向混波室內(nèi)加入吸波材料或應(yīng)增加脈沖寬度。如果加入吸波材料,則在滿足時(shí)間常數(shù)要求的情況下,盡可能少地加入吸波材料。如果用吸波材料,應(yīng)重新測(cè)量,得一新的。如果吸波材料的加載量大于混波室的加載確認(rèn)的加載量,則混波室應(yīng)重新確認(rèn)。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證或重大改造后,每次試驗(yàn)前需要進(jìn)行確認(rèn)。 報(bào)告要求:首次驗(yàn)證報(bào)告應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具。應(yīng)在2022

2022

21

54

混波室加載系數(shù)( 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1)

61000-4-21

compatibility

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Reverberation

chamber

methods2)EN

61000-4-21

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Reverberation

chamber

methods3) GB/T

17626.21

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

混波室試驗(yàn)方法 性能要求:的倒數(shù)≤AVF加載;否則需要在及其輔助設(shè)備存在的情況下重新測(cè)量場(chǎng)的均勻性。c)的倒數(shù)>AVF空載/AVF加載,則需要在的均勻性。 報(bào)告要求:首次驗(yàn)證報(bào)告應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具。應(yīng)在

橫電磁波室阻抗依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1)

61000-4-20

compatibility

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Emission

and

testing

in

2)EN

61000-4-20

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Emission

and

testing

in

3)GB/T

17626.20

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

抗擾度試驗(yàn) 性能要求:橫電磁波室的阻抗應(yīng)至少滿足應(yīng)為

Ω。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證。 報(bào)告要求:報(bào)告應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具。2022

2022

22

54

輸入端電壓駐波比 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1)

61000-4-20

compatibility

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Emission

and

testing

in

2) EN

61000-4-20

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Emission

and

testing

in

electromagnetic

3) GB/T

17626.20

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

)波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度試驗(yàn) 性能要求:橫電磁波室的阻抗應(yīng)至少滿足的要求:橫電磁波室的輸入電壓駐波比應(yīng)≤1.5。c)測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證。報(bào)告要求:報(bào)告應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具。場(chǎng)均勻性 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1)

61000-4-20

compatibility

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Emission

and

testing

in

2) EN

61000-4-20

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Emission

and

testing

in

3) GB/T

17626.20

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

)波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度試驗(yàn) 性能要求:TEM小室的場(chǎng)均勻域滿足相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求,如

或IEC

2022等。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證。 報(bào)告要求:報(bào)告應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具。 TEM

模的驗(yàn)證依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:2022

2022

23

54

1)

61000-4-20

compatibility

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Emission

and

testing

in

2)EN

61000-4-20

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Emission

and

testing

in

3) GB/T

17626.20

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

)波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度試驗(yàn)性能要求:采用抗擾度試驗(yàn)的場(chǎng)均勻區(qū)確認(rèn)步驟,在波導(dǎo)橫截面上(垂直于傳輸方向)規(guī)定的測(cè)量點(diǎn)中,應(yīng)至少在的測(cè)量點(diǎn)上次場(chǎng)分量(不需要的)小于主場(chǎng)分量以上。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證。報(bào)告要求:報(bào)告應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具。屏蔽效能依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1)

61000-4-20

compatibility

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Emission

and

testing

in

2) EN

61000-4-20

(EMC)-Part

Testing

andmeasurement

techniques-Emission

and

testing

in

3) GB/T

17626.20

試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

)波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度試驗(yàn) 性能要求:記錄橫電磁波室的屏蔽效能值。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證。 報(bào)告要求:報(bào)告應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具。

小室 阻抗同

要求輸入端電壓駐波比同

要求2022

2022

24

54

場(chǎng)均勻性同

要求 TEM

模的驗(yàn)證同

要求屏蔽效能同

5.6.5

要求6 汽車產(chǎn)品

EMC

場(chǎng)地確認(rèn)項(xiàng)目和要求

屏蔽室 屏蔽效能依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1) GB/T

12190

電磁屏蔽室屏蔽效能的測(cè)量方法2) EN

50147-1

-

性能要求:屏蔽室的屏蔽效能至少應(yīng)滿足的要求:

kHz-1

1

MHz >

GHz

GHzc) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證 報(bào)告要求:應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具的報(bào)告,報(bào)告應(yīng)包含測(cè)試位置及布置圖等信息,相關(guān)內(nèi)容符合的要求。接地電阻 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:GB/T

16895.23

低壓電氣裝置

第6 于4Ω。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證。報(bào)告要求:應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具的報(bào)告,報(bào)告應(yīng)包含測(cè)試點(diǎn)位置等相關(guān)信息,相關(guān)內(nèi)容符合的要求。絕緣電阻依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:2022

2022

25

54

GB/T

16895.23

低壓電氣裝置

第6 性能要求:屏蔽室的絕緣電阻至少應(yīng)滿足的要求:電源進(jìn)線對(duì)屏蔽室金屬壁2

MΩ。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證后,每年進(jìn)行一次驗(yàn)證。報(bào)告要求:應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具的報(bào)告,報(bào)告相關(guān)內(nèi)容符合的要求。環(huán)境噪聲電平 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1)GB/T

18655

車輛、船和內(nèi)燃機(jī)

無(wú)線電騷擾特性

用于保護(hù)車載接收機(jī)的限值和測(cè)量方法2)

25

Vehicles,

and

Radio

characteristics

methods

of

measurement

the

protection

of

receivers3) 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)等 性能要求:屏蔽室的環(huán)境噪聲電平應(yīng)比規(guī)定的限值至少低6

。c) 測(cè)量驗(yàn)證頻次:首次驗(yàn)證,其后實(shí)驗(yàn)室可自行規(guī)范每次測(cè)試前的環(huán)境噪聲電平確認(rèn)。 報(bào)告要求:首次驗(yàn)證報(bào)告應(yīng)由或其互認(rèn)框架下授權(quán)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)出具。

半電波暗室(整車)屏蔽效能依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范:1) GB/T

12190

電磁屏蔽室屏蔽效能的測(cè)量方法2) EN

50147-1

-

備注:進(jìn)行復(fù)測(cè)時(shí),由于吸波材料已布置好,此時(shí)僅在天線能按照標(biāo)準(zhǔn)布置的部位進(jìn)行屏蔽效 性能要求:半電波暗室的屏蔽效能應(yīng)至少滿足的要求:

kHz-1

1

MHz >

2022

2022

26

5

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