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文檔簡介

第二章

程序升溫技術及其應用方法分類1程序升溫脫附TPD2程序升溫還原.氧化.硫化TPR.TPO.TPS3程序升溫(表面)反應TPSR程序升溫技術在程序控制溫度T=f(t)下測量氣體(吸附質(zhì))脫附,物質(zhì)(催化劑)還原,氧化,硫化和表面反應的技術方法分類1程序升溫脫附TPD2程序升溫還原.氧化.硫化TPR.TPO.TPS3程序升溫(表面)反應TPSR1.程序升溫脫附(TPD)Temperture-programmeddesorption吸附質(zhì)(氣體)于固體表面的脫附速度:勿略擴散因素但有再吸附存在(1)若p=n則氣相與固體表面間的物料平衡為:(2)T=T0+tdT=t(3)若加熱速度呈線性關系由(1)(2)(3)式得(4)a.當載氣流速(F)較再吸附可以忽略VsVmka(1-)n<<F指數(shù)升溫脫附1基本方程導出載氣流量足夠大時,可忽略再吸附即非擴散控制的脫附動力方程式:(1)(2)(3)物料恒算(4)載氣比脫附物的濃度大得多時2參數(shù)求取變對作圖Ed脫附級數(shù)n=1n≠1指前因子A0由所求數(shù)據(jù)代入基本方程即

可求得TPD譜圖的處理方法一、RedheadMethodTPD曲線,已知活化能.測量最大脫附速度時溫度TP(Tm)和初始覆蓋率指前因子Vn（A）二、變加熱速度法(Heatingratevariation)固定θ0(θi)改變β(加熱速度)得一系列TPD曲線.測量每條TPD曲線最大脫附速度時溫度Tm(TP)及振幅NP()基本方程2有再吸附三、脫附速率等溫線法(DesorptionRateIsotherms)對不同的θ0(θi)得一系TPD曲線或?qū)Σ煌募訜崴俣鹊靡幌盗蠺PD曲線2.程序升溫還原(TPR)TemperatureProgrammedReduction(G)+(MO)M+H2O在恒定時反應速度：反應速度常數(shù)k：根據(jù)阿累尼斯方程程序升溫速度:T=T0+t當還原性氣體(H2)很大,反應速度與氣體濃度無關.若被還原物在時間t時還原，分數(shù)：當還原速度與C有關將阿累尼斯方程和代入并取對數(shù)由TPR圖求得T,,3.程序升溫表面反應Temperature-programmedsurfacereacti

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