側(cè)向測(cè)井3課件

測(cè)井方法原理電法測(cè)井（十）第三節(jié)雙側(cè)向測(cè)井第二節(jié)七電極側(cè)向測(cè)井第一節(jié)三電極側(cè)向測(cè)井

第四節(jié)微側(cè)向測(cè)井第五節(jié)鄰近側(cè)向測(cè)井第六節(jié)微球形聚焦測(cè)井第四章側(cè)向測(cè)井第八節(jié)側(cè)向測(cè)井視電阻率計(jì)算第七節(jié)電阻率測(cè)井方法綜合前節(jié)知識(shí)回顧1、雙側(cè)向測(cè)井原理3、雙側(cè)向、三側(cè)向、七側(cè)向特點(diǎn)2、雙側(cè)向電極系結(jié)構(gòu)4、雙側(cè)向測(cè)井資料應(yīng)用一、測(cè)井原理結(jié)構(gòu)由中心電極（主電極）A0和與A0同心的環(huán)狀（監(jiān)督）電極M1、M2及屏蔽電極A1組成。都裝在絕緣極板上電極系測(cè)井時(shí)，A0電流恒定，屏蔽電極A1流出電流極性與A0相同，大小自動(dòng)調(diào)節(jié)→M1M2間電位差為零。測(cè)量M1與無窮遠(yuǎn)參考電極N之間電位差，即UM1。其視電阻率為：主電流產(chǎn)生的電壓降，主要在離極板80mm范圍內(nèi)。>80mm，電流束迅速發(fā)散。因此，探測(cè)深度很淺（80～100mm)→反映沖洗帶電阻率Rxo。縱向分辨率分辨率≈主電流束直徑≈M1與M2平均直徑＝44mm探測(cè)深度與普通電極相比，微側(cè)向受泥餅影響較小

第五節(jié)鄰近側(cè)向測(cè)井電極系由主電極A0、監(jiān)督電極M、屏蔽電極A1組成測(cè)量原理調(diào)節(jié)主電流I0，使UM=UA0特點(diǎn)AO、A1的截面積比微側(cè)向大，聚焦效果比微側(cè)向好15～25cm，比微側(cè)向大

，適用泥餅較厚（>10cm)的井探測(cè)深度視電阻率RPL公式與微側(cè)向同，反映沖洗帶電阻率Rxo局限侵入較淺(<1m)時(shí),RPL將受Rt影響優(yōu)點(diǎn)受泥餅影響小侵入較深(>1m)時(shí),RPL=Rxo微球形聚焦(MSFL)測(cè)量沖洗帶電阻率Rxo,應(yīng)用最廣的微聚焦測(cè)井第六節(jié)微球形聚焦測(cè)井在微側(cè)向、鄰近側(cè)向和球形聚焦測(cè)井基礎(chǔ)上發(fā)展起來探測(cè)深度比微側(cè)向深，比鄰近側(cè)向淺，不受泥餅影響，也不受原狀地層影響電極系主電極A0是長(zhǎng)方形,極板的金屬護(hù)套作回流電極B尺寸較小，嵌在絕緣極板上監(jiān)督電極M1、M2是“一字”型電極，對(duì)稱排列，短路連接測(cè)量電極M0、輔助電極A1是矩形框狀電極,測(cè)井原理一部分流入回流電極B→主電流I0I0、Ia極性相同→Ia主要沿泥餅流動(dòng)→I0被排斥進(jìn)入地層（沖洗帶）→反映Rxo主電極發(fā)出的電流測(cè)量M0與M1、M2之間電位差→確定視電阻率自動(dòng)調(diào)節(jié)I0、Ia→監(jiān)督電極M1、M2間電位差UM1M2=0→監(jiān)督電極附近相當(dāng)于有一個(gè)“絕緣塞”→阻止Ia沿井軸流動(dòng)一部分流入輔助電極A1→輔助電流Ia微球聚焦測(cè)量方法恒流法恒壓法參見P112圖3-33視電阻率RMSFLUM0M1——MO和M1間電位差與其它聚焦測(cè)井有何區(qū)別？油17.4噸/日氣1.7萬方/日水14.9方/日高角度裂縫的常規(guī)測(cè)井曲線特征微球雙側(cè)向?qū)崪y(cè)微球曲線電阻率測(cè)井方法組合第七節(jié)電阻率測(cè)井方法組合用不同探測(cè)深度的電阻率(或?qū)щ娐?測(cè)井方法，進(jìn)行徑向電阻率測(cè)量，綜合解釋確定：沖洗帶電阻率Rxo侵入帶電阻率Ri原狀地層電阻率Rt侵入直徑di現(xiàn)場(chǎng)常用電阻率組合雙側(cè)向－微球聚焦雙感應(yīng)－八側(cè)向雙側(cè)向－微球聚焦適合性深側(cè)向視電阻率RLLD→原狀地層電阻率Rt淺側(cè)向視電阻率RLLS→侵入帶電阻率Ri微球視電阻率RMSFL→沖洗帶電阻率Rxo高阻（?。┑貙舆m合泥漿礦化度較高的井應(yīng)用確定di、Rt、Rt/Rxo判別流體性質(zhì)P115例題P106圖3－25旋風(fēng)圖版第八節(jié)側(cè)向測(cè)井視電阻率理論計(jì)算側(cè)向測(cè)井徑向幾何因子概念視電阻率Ra是r軸上各點(diǎn)電阻率R(r)的加權(quán)平均值R(r)－介質(zhì)徑向電阻率K－電極系系數(shù)j－徑向電流密度I0－主電流徑向微分幾何因子G(r)權(quán)系數(shù)等于G(r)dr徑向積分幾何