YS/T 935-2013電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級及雜質(zhì)含量分析和報告標準指南

ICS7715099

H68..

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準

YS/T935—2013

電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級

及雜質(zhì)含量分析和報告標準指南

Standardguideforanalysisandreportingtheimpuritycontentandgradeofhigh

puritymetallicsputteringtargetsforelectronicthinfilmapplications

2013-10-17發(fā)布2014-03-01實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YS/T935—2013

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準參照了電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級及雜質(zhì)含量的分析

ASTMF2113-01(2011)《

及報告標準指南

》。

本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位有研億金新材料股份有限公司

:。

本標準主要起草人張濤何金江丁照崇萬小勇徐建衛(wèi)廖贊尚再艷王欣平熊曉東呂保國

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

YS/T935—2013

電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級

及雜質(zhì)含量分析和報告標準指南

1范圍

本標準規(guī)定了電子薄膜制備用高純金屬濺射靶材的純度等級的定義方法雜質(zhì)含量分析方法抽樣

、、

規(guī)則及靶材純度等級報告標準規(guī)范等內(nèi)容

。

本標準適用于電子薄膜用各類高純金屬濺射靶材以下簡稱靶材其他對純度有較高要求的靶材

()。

純度等級雜質(zhì)含量分析及報告規(guī)范也可參照使用

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

金屬材料中氫氧氮碳和硫分析方法通則

GB/T14265、、、

所有部分鋁及鋁合金化學分析方法

GB/T20975()

電子薄膜用高純鋁及鋁合金濺射靶材

GB/T29658

高純鋁化學分析方法痕量雜質(zhì)元素的測定輝光放電質(zhì)譜法

YS/T871

高純銅化學分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測定輝光放電質(zhì)譜法

YS/T922

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

靶材target

物理氣相沉積工藝中用于濺射的陰極部分本標準中指加工后待用的靶材

(PVD),。

32

.

原材料批materiallotbatch

制造同批系列靶材所用的原材料錠批

。

33

.

靶材規(guī)范targetspecification

電子薄膜用濺射靶材的產(chǎn)品規(guī)范

。

4要求

41成分要求

.

電子薄膜制備用高純金屬濺射靶材因用途不一對不同材質(zhì)靶材的純度要求也不一致靶材成分

,。

要求一般包含金屬雜質(zhì)和非金屬雜質(zhì)檢測要求如下

,,:

411靶材由純金屬制成按靶材規(guī)范要求檢測原材料批的金屬雜質(zhì)含量并