YS/T 15-2015硅外延層和擴(kuò)散層厚度測定磨角染色法

ICS77040

H21.

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YS/T15—2015

代替

YS/T15—1991

硅外延層和擴(kuò)散層厚度測定

磨角染色法

Testmethodforthicknessofepitaxiallayersanddiffusedlayers

byanglelapstain

2015-04-30發(fā)布2015-10-01實(shí)施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

中華人民共和國有色金屬

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

硅外延層和擴(kuò)散層厚度測定

磨角染色法

YS/T15—2015

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

201512

*

書號

:155066·2-29195

版權(quán)專有侵權(quán)必究

YS/T15—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅外延層和擴(kuò)散層厚度測定磨角染色法

YS/T15—1991《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與硅外延層和擴(kuò)散層厚度測定磨角染色法相比主要有如下變動

YS/T15—1991《》,:

測量范圍由原改為

———“1μm~25μm”“1μm~100μm”;

規(guī)范性引用文件中增加

———GB/T6617、GB/T14146、GB/T14264、GB/T14847;

增加了術(shù)語和定義干擾因素

———、;

方法提要中用顯微鏡圖像處理技術(shù)代替干涉條紋法計(jì)算薄層厚度

———;

試劑和材料刪除了與干涉條紋法有關(guān)的試劑和材料

———“”;

刪除了原圖增加了斜面示意圖

———2,;

修改了測量步驟及測量結(jié)果的計(jì)算

———;

重新確定了精密度

———。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位南京國盛電子有限公司有研新材料股份有限公司上海晶盟硅材料有限公司

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人馬林寶楊帆葛華孫燕徐新華

:、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———YS/T15—1991。

Ⅰ

YS/T15—2015

硅外延層和擴(kuò)散層厚度測定

磨角染色法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測定硅外延層和擴(kuò)散層厚度的磨角染色法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于外延層和擴(kuò)散層與襯底導(dǎo)電類型不同或兩層電阻率相差至少一個數(shù)量級的任意電阻

率的硅外延層和擴(kuò)散層厚度的測量測量范圍為

,1μm~100μm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1550

硅片電阻率測定擴(kuò)展電阻探針法

GB/T6617—2009

硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法

GB/T14146-

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T14847

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

試樣經(jīng)研磨獲得一個與原始表面有很小傾角的斜面通過化學(xué)染色在斜面上顯露出各層間的界面

,。

采用顯微鏡圖像處理技術(shù)讀取薄層斜面長度根據(jù)薄層斜面的長度計(jì)算薄層厚度

,,。

5干擾因素

51染色后各層間的分界線模糊會影響測量結(jié)果的精度

.。

52中在電腦圖像界面取值時的操作會給測量結(jié)果帶來差異

.9.3。

53測量時圖中AB線應(yīng)與染色后各層間的分界線垂直否則會加大測量誤差

.3,。

6試劑和材料

61氫氟酸ρ分析純

.:(=1.15g/mL)。

62過氧化氫分析純

.(3+7),。

63高純水電阻率大于

.