YS/T 15-2015硅外延層和擴散層厚度測定磨角染色法

ICS77040

H21.

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準

YS/T15—2015

代替

YS/T15—1991

硅外延層和擴散層厚度測定

磨角染色法

Testmethodforthicknessofepitaxiallayersanddiffusedlayers

byanglelapstain

2015-04-30發(fā)布2015-10-01實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

中華人民共和國有色金屬

行業(yè)標準

硅外延層和擴散層厚度測定

磨角染色法

YS/T15—2015

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

201512

*

書號

:155066·2-29195

版權專有侵權必究

YS/T15—2015

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅外延層和擴散層厚度測定磨角染色法

YS/T15—1991《》。

本標準與硅外延層和擴散層厚度測定磨角染色法相比主要有如下變動

YS/T15—1991《》,:

測量范圍由原改為

———“1μm~25μm”“1μm~100μm”;

規(guī)范性引用文件中增加

———GB/T6617、GB/T14146、GB/T14264、GB/T14847;

增加了術語和定義干擾因素

———、;

方法提要中用顯微鏡圖像處理技術代替干涉條紋法計算薄層厚度

———;

試劑和材料刪除了與干涉條紋法有關的試劑和材料

———“”;

刪除了原圖增加了斜面示意圖

———2,;

修改了測量步驟及測量結果的計算

———;

重新確定了精密度

———。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位南京國盛電子有限公司有研新材料股份有限公司上海晶盟硅材料有限公司

:、、。

本標準主要起草人馬林寶楊帆葛華孫燕徐新華

:、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———YS/T15—1991。

Ⅰ

YS/T15—2015

硅外延層和擴散層厚度測定

磨角染色法

1范圍

本標準規(guī)定了測定硅外延層和擴散層厚度的磨角染色法

。

本標準適用于外延層和擴散層與襯底導電類型不同或兩層電阻率相差至少一個數(shù)量級的任意電阻

率的硅外延層和擴散層厚度的測量測量范圍為

,1μm~100μm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅片電阻率測定擴展電阻探針法

GB/T6617—2009

硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法

GB/T14146-

半導體材料術語

GB/T14264

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T14847

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

試樣經研磨獲得一個與原始表面有很小傾角的斜面通過化學染色在斜面上顯露出各層間的界面

,。

采用顯微鏡圖像處理技術讀取薄層斜面長度根據(jù)薄層斜面的長度計算薄層厚度

,,。

5干擾因素

51染色后各層間的分界線模糊會影響測量結果的精度

.。

52中在電腦圖像界面取值時的操作會給測量結果帶來差異

.9.3。

53測量時圖中AB線應與染色后各層間的分界線垂直否則會加大測量誤差

.3,。

6試劑和材料

61氫氟酸ρ分析純

.:(=1.15g/mL)。

62過氧化氫分析純

.(3+7),。

63高純水電阻率大于

.