硅材料相關知識及M156硅片檢驗標準課件

硅材料相關知識及多晶硅片檢驗標準2010.6目錄晶體硅產業(yè)鏈相關知識拉制單晶硅棒與單晶硅棒的切片澆注多晶硅錠與切片硅片檢驗標準及檢驗方法一.晶體硅產業(yè)鏈相關知識一.晶體硅產業(yè)鏈相關知識一.晶體硅產業(yè)鏈相關知識二.單晶硅棒拉制及切片

多晶硅料拉制硅棒(單晶)單晶硅生長

單晶硅生長單晶硅生長拉晶過程可以分為以下幾個階段：1.熔硅。在熔硅階段坩堝位置的調節(jié)很重要。開始坩堝位置較高，可以使坩堝口與加熱器的頂部對齊，這樣可以使坩堝底部的多晶硅料先熔化。然后再將坩堝逐漸降至拉晶的正常位置。熔硅過程不宜太長，熔硅時間長，熔硅中摻入雜質的揮發(fā)量大，坩堝熔蝕也嚴重。熔硅過程中應注意防止熔硅濺出或粘附在液面以上的坩堝壁上。2.引晶。將籽晶和坩堝的轉速按照設備工藝規(guī)范分別設置調整好。當處于預置熱場位置中的熔硅溫度穩(wěn)定后，將籽晶下降至熔硅上方預熱10分鐘，然后使籽晶緩慢下降，使其與熔硅接觸。若籽晶很快被熔斷，表明熔硅溫度太高；若籽晶陷入熔硅，但融化很慢甚至不熔化或長大，表明熔硅溫度太低；若熔硅很快浸潤籽晶，并沿籽晶垂直面攀緣而上，端部稍微融化，則熔硅溫度適當。在合適的溫度下，籽晶可與熔硅長時間接觸，既不會進一步熔化，也不會生長。單晶硅生長3.收頸。觀察彎月面形狀，如果適當，就開始將籽晶慢慢向上提拉，并逐漸將拉速增大到3.5mm/min以上。收頸部的直徑、長度按照拉制單晶規(guī)格對應的工藝規(guī)范進行控制。細長的頸部有利于抑制位錯從籽晶向頸部以下晶體延伸。頸部長些還可以使熔硅溫度在放肩之前先穩(wěn)定下來。4.放肩。根據收頸時的溫度變化，將溫度降低15℃～40℃，并將拉速調至0.4mm/min。隨時觀測直徑，保持溫度穩(wěn)定，盡可能長成平單晶硅生長5.收肩（轉肩）。當肩部直徑約比需要的單晶直徑小3～5mm時，將拉速提高到2.5mm/min，使直徑增長速率降低。同時坩堝也開始自動跟蹤，使熔硅液面始終保持在相對固定的位置上。6.等徑生長。當直徑達到要求后，將拉速降到1.3～1.5mm/min左右，然后在電子系統(tǒng)的自動控制下開始等直徑生長。7.收尾。當坩堝中硅料剩下1.5kg左右時，停止坩堝跟蹤，選取等直徑生長階段最后2h的平均拉速，并逐漸升溫，使尾部長成錐型。硅棒的加工硅棒切片三.多晶硅錠澆注太陽電池用多晶硅與光電轉換效率盡管關于多晶硅片質量與太陽電池光電轉換效率之間詳細的原理非常復雜，但是與氧、碳、金屬雜質和晶體結構有關的硅片質量的指導方針，可用于改進現(xiàn)有硅片材料和開發(fā)新的硅片材料。最重要的硅片特性為氧、碳含量，金屬雜質和晶體缺陷、斷層以及晶界。三.多晶硅錠澆注三.多晶硅片切割