某一半導體材料價帶頂附近電子能量可表示為E(k)= -10-36k2(J),課件_第1頁
某一半導體材料價帶頂附近電子能量可表示為E(k)= -10-36k2(J),課件_第2頁
某一半導體材料價帶頂附近電子能量可表示為E(k)= -10-36k2(J),課件_第3頁
某一半導體材料價帶頂附近電子能量可表示為E(k)= -10-36k2(J),課件_第4頁
某一半導體材料價帶頂附近電子能量可表示為E(k)= -10-36k2(J),課件_第5頁
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文檔簡介

1.#1-12.#1-23.#補充題:

某一半導體材料價帶頂附近電子能量可表示為E(k)=-10-36k2(J),其中能量零點取在價帶頂.此時若k=1×108m-1處電子被激發(fā)到導帶,而在該處產生一個空穴.試求此空穴的有效質量;準動量;共有化運動速度和能量.

Ⅰ習題Ⅱ1.#1-3#1-43.#2-74.#補充題:已知硅的電子有效質量為ml=0.98m0,mt=0.19m0.現摻入施主雜質,請利用類氫模型估計:⑴雜質電離能,⑵雜質的等效玻爾半徑,⑶當相鄰雜質原子的電子軌道發(fā)生交迭時的施主濃度

關于回旋共振實驗結果的一些說明Si的導帶回旋共振實驗:B任意取向,可觀察到三個吸收峰;[B在{110}面上,仍是二個吸收峰]

#1-4Ge的導帶回旋共振實驗:討論B沿<100>方向,<111>方向,<110>方向;[B在{110}面上;]

B任意取向.#1-3導帶的極值在<110>方向:討論B沿<100>方向,<111>方向,<110>方向;B任意取向.

習題Ⅳ1.#3-72.#3-83.#3-104.#3-115.#3-12

要求：用語言將你的計算結果總結一下(本題涉及的對數方程,可用圖解法;可借助計算機進行計算;也可作近似估算，數量級要正確)

習題Ⅴ#3-13#3-15#3-16#3-18（查圖表時，至少要保證數量級正確）

習題Ⅵ

1.#4-22.#4-43.#4-74.#4-115.#4-15[必要時，須考慮溫度和雜質濃度對載流子濃度和遷移率的影響]

習題Ⅷ1.#4-162.#4-19(應用圖4-17)3.#12-14.#12-65.補充題:Si原子加到GaAs材料中,可取代Ga原子成為施主雜質或取代As原子成為受主雜質.假定Si原子濃度為2×1014cm-3,其中5%取代As原子,95%取代Ga原子,并在室溫下全部電離.求:(1)樣品的電導率.(2)樣品的Hall系數.

習題Ⅸ1.#5-32.#5-43.#5-74.#5-85.補充題:一塊p型半導體,畫出下列情況下的能帶簡圖,標出費米能級或準費米能級的位置.①無光照②有光照,Δn=Δp<ni③有光照,小注入,但Δn=Δp>ni④有光照,大注入

習題Ⅹ1.#5-92.#5-123.#5-154.#5-165.#5-17(考慮摻雜濃度對遷移率的影響)6.#5-18(Au飽和濃度可取

習題Ⅻ1.#6-6(求電容時:①,②求勢壘電容,③求勢壘電容和擴散電容)2.#6-73.#6-9(Si材料)4.#6-105.#6-121.施主濃度為7.0×1016cm-3的n型Si與Al形成金屬與半導體接觸，Al的功函數為4.20eV，Si的電子親和能為4.05eV，試畫出理想情況下金屬-半導體接觸的能帶圖并標明半導體表面勢的數值。

2.某Sh

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