模擬電子技術基礎01-3講義晶體管課件

總結(jié)三、晶體管的共射特性曲線

特性曲線：晶體管的各電極電壓與電流之間的關系曲線。

（1）輸入特性曲線：輸入特性曲線

由于發(fā)射結(jié)是正向偏置的PN結(jié)，所以它的曲線與PN結(jié)的曲線相似。

uCE增加時集電結(jié)反偏，發(fā)射區(qū)進入基區(qū)的電子更多地流向集電區(qū)，因此對應于相同uBE，流向基極的電流比原來時減小。所以曲線往右移動。輸出特性曲線

發(fā)射結(jié)電壓小于開啟電壓，且集電結(jié)反向偏置，此時截止區(qū)放大區(qū)發(fā)射結(jié)電壓大于開啟電壓，即發(fā)射結(jié)正向偏置，且集電結(jié)反向偏置，此時當υCE增加時，集電結(jié)上加的反向偏置電壓也隨之增加，當υCE增加到一定電壓（V(BR)CEO）時，集電結(jié)被擊穿，iC突然猛增。擊穿區(qū)兩個結(jié)都正偏，即Vb>Ve、Vb>Vc(NPN)Vb<Ve、Vb<Vc(PNP)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，即Vc>Vb>Ve(NPN)Vc<Vb<Ve(PNP)發(fā)射結(jié)反偏，即Vb<Ve(NPN)Vb>Ve(PNP)總結(jié)飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)例題1測得某放大電路中BJT的三個電極A、B、C的對地電壓分別為VA=6.7V，VB=6V，VC=9V。問：硅還是鍺？管子是NPN還是PNP？A、B、C分別對應哪個極？管子工作在放大區(qū)分析A對應基極、B對應發(fā)射極VC最大發(fā)射極和基極的電壓降的絕對值或是0.7V（硅）或是0.2V（鍺）硅管；A和B對應基極和發(fā)射極VA-VB=0.7VC肯定是集電極NPN在放大區(qū)時Vc>Vb>VePNP在放大區(qū)時Vc<Vb<VeNPN例題3測得PNP型、鍺BJT的三個電極b、e、c的對地電壓分別為(1)Vb=-6.2V，Ve=-6V，VC=-9V(2)Vb=1V，Ve=1.2V，VC=1.5V(3)Vb=8V，Ve=7.8V，VC=7V問：管子工作在輸出特性曲線的什么區(qū)？分析(1)發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；工作在放大區(qū)。(2)發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏；工作在飽和區(qū)。(3)發(fā)射結(jié)反偏；工作在截止區(qū)。⒈共射極電流放大系數(shù)β

β和在晶體管的很大的一個工作范圍之內(nèi)近似相等。β的值一般選擇在幾十至一百多；太大，管子性能不穩(wěn)定；太小，管子放大能力差。⒉極間反向電流①集電極—基極反向飽和電流ICBO②集電極—發(fā)射極反向飽和電流ICEO

四、晶體管的主要參數(shù)發(fā)射極開路，c、b間加上一定的反向電壓時的反向電流。在一定溫度下，這個反向電流基本上是個常數(shù)，所以成為反向飽和電流，這個電流很小，它隨溫度的變化而變化?；鶚O開路，c、e間加上一定的反向電壓時的集電極電流。該電流從集電區(qū)穿過基區(qū)流至發(fā)射區(qū)，所以又稱穿透電流。ICEO=（1+β）ICBO集電結(jié)上允許損耗的功率最大值PCM。超過該值，管子發(fā)熱，性能下降，甚至燒毀。溫度越高，PCM值越小，所以晶體管的使用受到環(huán)境溫度的限制。硅管的上限溫度達150℃、鍺管的達70℃。為了降低溫度，常采用加散熱裝置的方法。

②最大集電極耗散功率V（BR）EBO：集電極開路時發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓。③反向擊穿電壓V（BR）CBO：發(fā)射極開路時集電極-基極間的反向擊穿電壓。V（BR）CEO：基極開路時集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓。五、溫度對晶體管的影響

ICBO：隨溫度的升高而增加。對硅管，該變化很小，所以對靜態(tài)工作點的影響沒有上兩個因素重要。但對大功率硅管不能忽略。對鍺管該變化也很重要。20℃40℃六、光電三極管光電三極管和普通晶體管類似，也有電流放大作用。只是它的集電極電流不只是受基極電路的電流控制，也可以受光的控制。所以光敏三極管的外形，有光窗、