GB/T 8760-2006砷化鎵單晶位錯密度的測量方法

ICS77.040.01H17中華人民共和國國家標準GB/T8760—2006代替GB/T8760—1988砷化家單晶位錯密度的測量方法Galliumarsenidesinglecrystal-Determinationofdislocationdensity2006-07-18發(fā)布2006-11-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標準化管理委員會

GB/T8760—2006本標準是對GB/T8760-1988《砷化鑲單品位錯密度的測量方法》的修訂本標準自實施之日起代替GB/T8760—1988。本標準與原標準相比主要有以下變動：-修改了原來表述位錯密度的術(shù)語解釋；-重新制作了部分圖片·改善圖片質(zhì)量;原標準規(guī)定.腐蝕位錯坑時.熔化的氫氧化鉀的溫度要保持在400℃。實驗證明.只要熔化的氫氧化鉀呈現(xiàn)沒清狀態(tài),選擇適當?shù)母g時間.都能得到清晰的腐蝕坑，故取消了要求熔化的氫氧化鉀溫度保持在400℃的嚴格限制。本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會歸口。本標準起草單位：北京有色金屬研究總院本標準主要起草人：王彤涵。本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會負責解釋本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T8760-1988。

GB/T8760—2006砷化家單晶位錯密度的測量方法范范圍本標準適用于位錯密度為(0～100000)個/cm2的砷化鏢單品的位錯密度的測量。檢測面為（111)面和（100}面。2術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本標準：位錯dislocation單品體中部分原子受應(yīng)力作用產(chǎn)生滑移。已滑移部分與未滑移部分的分界線稱為位錯線，簡稱位錯22位錯密度dislocationdensity單位體積內(nèi)位錯線的總長度稱為位錯密度（cm/cm)。在實際應(yīng)用中.通常以單位表面積內(nèi)形成位借腐蝕坑的個數(shù)(個/cm)代表位錯蜜度。本標準中位錯密度指單位表面積內(nèi)形成位錯腐蝕坑的個數(shù)。3原理采用擇優(yōu)化學腐蝕技術(shù)顯示位錯。品體中位錯線周圍的品格發(fā)生畸變，當用某些化學腐蝕劑腐蝕晶體表面時,在晶體表面上的位錯線露頭處，腐蝕速度較快,因而容易形成由某些低指數(shù)面組成帶棱角的具有特定形狀的腐蝕坑。在顯微鏡下觀察并按一定規(guī)則統(tǒng)計這些具有特定形狀的腐蝕坑，可得到位錯密度數(shù)值?；瘜W試劑4硫酸(ol.84g/mL）,濃度95%～98%，優(yōu)級純A2過氧化氫(ol.00g/mL)濃度30%.優(yōu)級純4.3氫氧化鉀(o78.2g/L）,濃度78.2%，優(yōu)級純R試樣制備5.1定向切割從單品鍵的待測部分經(jīng)定向后.切取厚度大于0.5mm的單品片.品向偏離要求小于85.2研磨用302*金剛砂(或相當顆粒度的金剛砂)水漿研磨,使表面平整。用水清洗干凈后,再用306"金剛砂(或相當顆粒度的金剛砂)水漿研磨，使表面光潔無劃痕，然后用水清洗干凈。5.3化學拋光將硫酸(H.SO,）、過氧化氫(H.O.）和去離子水(H.O)按體積比3：1：1配制成拋光液·然后