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第八章放大器的頻率響應(yīng)主要內(nèi)容8.1晶體管高頻參數(shù)和高頻等效電路BJT高頻混合Π模型MOS高頻混合Π模型8.2單極放大器的頻率響應(yīng)頻率響應(yīng)概論CS和CE放大器的頻率響應(yīng)8.3多級(jí)放大器和寬帶放大器的頻率響應(yīng)(1)基區(qū)電荷和擴(kuò)散電容Cde(2)發(fā)射結(jié)結(jié)電容Cje:
發(fā)射結(jié)處在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)
發(fā)射結(jié)正向工作時(shí)(3)集電結(jié)結(jié)電容(4)高頻混合模型(如右圖8.1)其中8.1晶體管高頻參數(shù)和高頻等效電路
BJT截止頻率的推導(dǎo)通常已知β和Cμ,分析混合π模型進(jìn)行推導(dǎo),可確定Cπ的值混合π模型的使用條件8.1.2MOSFET內(nèi)部電容與高頻模型1.兩類基本的內(nèi)部電容:
柵極電容源-襯底、漏-襯底耗盡層電容。這兩類電容效應(yīng)可以通過MOS模型中的4個(gè)電極之間增加電容來建模,這里共有5個(gè)電容:Cgs、Cgd、Cgb、Csb和Cdb
2.高頻MOSFET模型
當(dāng)源極和襯底相連,模型變得相當(dāng)簡(jiǎn)單。Csb電容Cgb一般出現(xiàn)在截止區(qū),故此處不予考慮3.MOSFET單位增益頻率fTfT越高,用做放大器使用時(shí),放大器頻帶越寬,性能越好。又8.2單級(jí)放大器的頻率響應(yīng)1.高頻增益函數(shù)放大電路增益的一般形式:2.一階RC電路頻率響應(yīng)求解的關(guān)鍵是電路的(1)時(shí)間常數(shù)快速計(jì)算法當(dāng)只有一個(gè)電抗元件和多個(gè)電阻時(shí),可求出電抗元件兩端視入的等效電阻Req時(shí)間常數(shù)為ReqC或L/Req(2)一階低通RC電路的頻率響應(yīng)傳輸函數(shù)為:令s=jw,并且定義則
其幅頻響應(yīng)相頻響應(yīng)一階RC低通電路頻率響應(yīng)曲線(3)一階高通RC電路的頻率響應(yīng)傳輸函數(shù)為:令s=jw,并且定義則
其幅頻響應(yīng)相頻響應(yīng)一階RC高通電路的頻率響應(yīng)3.fH的確定對(duì)于主極點(diǎn)響應(yīng)類型的放大電路,設(shè)
為主極點(diǎn),則
若主極點(diǎn)不存在,可利用計(jì)算機(jī)進(jìn)行仿真確定3dB頻率。4.開路時(shí)間常數(shù)法估算fH利用相關(guān)理論可以證明依次考慮高頻等效電路中的電容,考慮一個(gè)電容Ci作用時(shí),其他電容和信號(hào)源設(shè)為零,求出從Ci看進(jìn)去的等效電阻Rio。將所有的時(shí)間常數(shù)相加,得到開路時(shí)間常數(shù)b1,即利用b1,估算5.密勒定理
密勒定理是處理跨接在雙端口網(wǎng)絡(luò)輸入和輸出之間的阻抗時(shí)的一種將輸入和輸出之間的聯(lián)系分開的處理方法參數(shù)間的等效關(guān)系為6.短路時(shí)間常數(shù)法求fL
分開考慮每個(gè)電容,即假定其他電容相當(dāng)于短路對(duì)每一電容求從其兩端看進(jìn)去的總電阻,確定一個(gè)時(shí)間常數(shù)RipCi,該時(shí)間常數(shù)將引入一個(gè)低端轉(zhuǎn)折極點(diǎn)頻率
,引入的頻率響應(yīng)因子為多個(gè)電容共同作用,引入的頻響因子為
當(dāng)電路出現(xiàn)主極點(diǎn)情況時(shí),即其中一個(gè)極點(diǎn)頻率
高于其他極點(diǎn)頻率4倍以上時(shí),即可認(rèn)為電路的
由該主極點(diǎn)確定,即
8.2.2MOSFET放大電路頻率響應(yīng)
實(shí)際放大電路的完整頻率響應(yīng)特性由3個(gè)頻段的工作特性共同構(gòu)成:中頻段、低頻段、高頻段。
增益帶寬積GB=|AM|?BW是放大器的一個(gè)重要指標(biāo),通常是一個(gè)常數(shù)。若提高增益,則犧牲帶寬。
(1)高頻響應(yīng)
考慮高頻部分的頻率響應(yīng),可以用高頻模式來代替MOSFET。
R'L=ro∥RD∥RLCeq=(1+gmR'L)Cgd令Cin=Cgs+Ceq,R‘sig=Rsig∥RG,可得結(jié)論:①上限3dB頻率由Rsig和Cin共同決定,Rsig越大,fH越小。②Cin通常由Ceq決定,而Ceq和gmRL‘關(guān)系極大。(1+gmRL‘
)稱為倍增因子。減少中頻增益
,可以提高fH的值。(2)低頻響應(yīng)
截止角頻率:合成的頻率響應(yīng)函數(shù):總的放大電路頻率響應(yīng)函數(shù):8.2.3BJT共射放大電路的頻率響應(yīng)分析頻率響應(yīng)曲線
由分立元件組成的共射放大電路,從頻率響應(yīng)曲線圖中可以看出,其響應(yīng)曲線分為3個(gè)頻段。1.中頻段放大電路的增益為2.高頻響應(yīng)(高頻等效電路如下圖)
密勒定理3.低頻響應(yīng)通過以上分析可以看出:(1)多
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