GB/T 4937.17-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第17部分：中子輻照

ICS3108001

L40..

中華人民共和國國家標準

GB/T493717—2018/IEC60749-172003

.:

半導體器件機械和氣候試驗方法

第17部分中子輻照

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part17Neutronirradiation

:

(IEC60749-17:2003,IDT)

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T493717—2018/IEC60749-172003

.:

前言

半導體器件機械和氣候試驗方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗

———4:(HAST);

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內(nèi)部水汽含量測試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標志耐久性

———9:;

第部分機械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分掃頻振動

———12:;

第部分鹽霧

———13:;

第部分引出端強度引線牢固性

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測

———16:(PIND);

第部分中子輻照

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

———20:;

第部分對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標志和運輸

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無偏置強加速應力試驗

———24:(HSAT);

第部分溫度循環(huán)

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗人體模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗機械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗帶電器件模型器件級

———28:(ESD)(CDM);

第部分閂鎖試驗

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環(huán)

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學掃描顯微鏡檢查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493717—2018/IEC60749-172003

.:

第部分采用加速度計的板級跌落試驗方法

———37:;

第部分半導體存儲器件的軟錯誤試驗方法

———38:;

第部分半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量

———39:;

第部分采用張力儀的板級跌落試驗方法

———40:;

第部分非易失性存儲器件的可靠性試驗方法

———41:;

第部分溫度和濕度貯存

———42:;

第部分集成電路可靠性鑒定方案指南

———43:(IC);

第部分半導體器件的中子束輻照單粒子效應試驗方法

———44:。

本部分為的第部分

GB/T493717。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導體器件機械和氣候試驗方法第部分

IEC60749?17:2003《17:

中子輻照

》。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所西北核技術研究所中國科學院新疆理化

:、、

技術研究所

。

本部分主要起草人席善斌彭浩陳偉林東生楊善潮金曉明郭旗陸嫵崔波陳海蓉

:、、、、、、、、、。

Ⅱ

GB/T493717—2018/IEC60749-172003

.:

半導體器件機械和氣候試驗方法

第17部分中子輻照

:

1范圍

的本部分是為了測定半導體器件在中子環(huán)境中性能退化的敏感性本部分適用于集

GB/T4937。

成電路和半導體分立器件中子輻照主要針對軍事或空間相關的應用是一種破壞性試驗

。,。

試驗目的如下

:

檢測和測量半導體器件關鍵參數(shù)的退化與中子注量的關系

a);

確定規(guī)定的半導體器件參數(shù)在接受規(guī)定水平的中子注量輻射之后是否在規(guī)定的極限值之內(nèi)

b)

見第章

(4)。

2試驗設備

21測試儀器

.

輻射試驗中采用的測試儀器應是能測量所要求電參數(shù)的標準實驗室電子測試儀器如電源數(shù)字電

,、

壓表和皮安培計等

。

22輻射源

.

試驗中采用的輻射源應是脈沖反應堆

。

23劑量測定設備

.

快中子閾值活化箔如3254和58

a),S、FeNi;

等熱釋光劑量計

b)CaF2(TLD);

適用的活化箔計數(shù)設備及讀出設備

c)TLD。

24劑量測定

.

241中子注量

..

通過測定同時受輻照的快中子活化箔如3254和58中感生的放射總量可獲得用于器件輻射

S、FeNi,

的中子注量

。

把活化箔中測得的放射量換算到中子注量的標準方法由有關標準給出由箔的放射量換算到中子

。

注量需要確定入射在箔上的中子譜