GB/T 41064-2021表面化學(xué)分析深度剖析用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法

ICS7104040

CCSG.04.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T41064—2021/ISO171092015

:

表面化學(xué)分析深度剖析用單層和

多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜俄歇

、

電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析

濺射速率的方法

Surfacechemicalanalysis—Depthprofiling—Methodforsputterrate

determinationinX-rahotoelectronsectroscoAuerelectronsectrosco

ypppy,gppy

andsecondary-ionmassspectrometrysputterdepthprofilingusingsingleand

multi-layerthinfilms

ISO171092015IDT

(:,)

2021-12-31發(fā)布2022-07-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T41064—2021/ISO171092015

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

單層和多層薄膜參考物質(zhì)的要求

4………………………1

濺射速率的確定

5…………………………2

附錄資料性國(guó)際比對(duì)實(shí)驗(yàn)報(bào)告

A()……………………5

附錄資料性通過(guò)濺射產(chǎn)額列表值估算其他材料的濺射速率

B()……11

參考文獻(xiàn)

……………………12

Ⅰ

GB/T41064—2021/ISO171092015

:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用表面化學(xué)分析深度剖析用單層和多層薄膜測(cè)定射線光電

ISO17109:2015《X

子能譜俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法

、》。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位清華大學(xué)中國(guó)石油大學(xué)北京

:、()。

本文件主要起草人姚文清段建霞楊立平王雅君李展平徐同廣王巖華

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T41064—2021/ISO171092015

:

引言

表面化學(xué)分析的濺射速率通常是由輪廓儀測(cè)得的濺射深度與濺射時(shí)間的比率然而這種方法只能

,

測(cè)得多層薄膜的平均濺射速率無(wú)法測(cè)量由不同濺射速率材料構(gòu)成多層薄膜的濺射速率并且濺射速

,。

率也受到各種材料制備參數(shù)的影響因此很難對(duì)其進(jìn)行制表推算和用于濺射深度校準(zhǔn)為了提高準(zhǔn)確

,。

度在每個(gè)實(shí)驗(yàn)室的特定實(shí)驗(yàn)條件下對(duì)濺射速率進(jìn)行測(cè)定是很重要的濺射速率應(yīng)使用比濺射離子范

,,。

圍更厚的單層來(lái)確定這樣表面瞬態(tài)效應(yīng)可以忽略不計(jì)或者使用多層薄膜可以排除表面瞬態(tài)現(xiàn)象的

,。,

影響并且使界面瞬變最小化本文件利用俄歇電子能譜射線光電子能譜和二次離子

,。(AES)、X(XPS)

質(zhì)譜對(duì)單層和多層薄膜進(jìn)行深度剖析通過(guò)測(cè)定濺射速率實(shí)現(xiàn)濺射深度的校準(zhǔn)測(cè)定的濺射速

(SIMS),。

率可用于預(yù)測(cè)各種其他材料的濺射速率以便在常規(guī)樣品中通過(guò)濺射產(chǎn)額和體積密度的表值估算深度

,

尺度或?yàn)R射時(shí)間

。

Ⅳ

GB/T41064—2021/ISO171092015

:

表面化學(xué)分析深度剖析用單層和

多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜俄歇

、

電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析

濺射速率的方法

1范圍

本文件規(guī)定了一種通過(guò)測(cè)定濺射速率校準(zhǔn)材料濺射深度的方法即在一定濺射條件下測(cè)定一種具

,

有單層或多層膜參考物質(zhì)的濺射速率用作相同材料膜層的深度校準(zhǔn)當(dāng)使用俄歇電子能譜

,。(AES)、

射線光電子能譜和二次離子質(zhì)譜進(jìn)行深度分析時(shí)這種方法對(duì)于厚度在

X(XPS)(SIMS),20nm~200nm

之間的膜層具有的準(zhǔn)確度濺射速率是由參考物質(zhì)相關(guān)界面間的膜層厚度和濺射時(shí)間決

5%~10%。

定使用已知的濺射速率并結(jié)合濺射時(shí)間可以得到被測(cè)樣品的膜層厚度測(cè)得的離子濺射速率可用

。,。

于預(yù)測(cè)各種其他材料的離子濺射速率從而可以通過(guò)濺射產(chǎn)額和原子密度的表值估算出這些材料的深

,

度尺度和濺射時(shí)間

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

表面化學(xué)分析濺射深度剖析用層狀膜系為參考物質(zhì)的優(yōu)化方法

ISO14606(Surfacechemical

analysis—Sputterdepthprofiling—Optimizationusinglayeredsystemsasreferencematerials)

注表面化學(xué)分析濺射深度剖析用層狀膜系為參考物質(zhì)的優(yōu)化方法

:GB/T20175—2006(ISO14606:2000,

IDT)

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

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