標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 4060-1983 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，專門用于指導(dǎo)硅多晶材料中硼含量的測(cè)定。該標(biāo)準(zhǔn)適用于采用真空區(qū)熔技術(shù)制備的硅多晶棒或塊材內(nèi)微量至痕量級(jí)別硼雜質(zhì)的檢測(cè)。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法，首先需要將待測(cè)樣品加工成適合分析的形式，通常是通過(guò)機(jī)械手段將其制成粉末或者薄片狀。接著，在特定條件下使用化學(xué)試劑處理樣品，以便于后續(xù)分析步驟能夠有效進(jìn)行。這些條件包括但不限于溫度、時(shí)間以及所使用的溶劑種類等參數(shù)的選擇。

關(guān)鍵步驟之一是利用分光光度法或其他適宜的技術(shù)來(lái)定量測(cè)定樣品中的硼濃度。這一步驟要求操作人員具備一定的專業(yè)知識(shí)和技術(shù)背景，以確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果準(zhǔn)確可靠。同時(shí)，為了保證數(shù)據(jù)的有效性與可比性，《GB/T 4060-1983》還對(duì)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中的質(zhì)量控制措施進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，比如通過(guò)設(shè)置空白對(duì)照組和標(biāo)準(zhǔn)樣品來(lái)進(jìn)行校正，并且對(duì)于每批次測(cè)試都應(yīng)實(shí)施重復(fù)性檢查。

此外，本標(biāo)準(zhǔn)也強(qiáng)調(diào)了實(shí)驗(yàn)室環(huán)境條件的重要性，指出所有分析工作應(yīng)在符合要求的清潔環(huán)境中開展，避免外界因素干擾最終結(jié)果。對(duì)于儀器設(shè)備的要求同樣嚴(yán)格，不僅需要定期維護(hù)保養(yǎng)，還要經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)才能投入使用。


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  • 1983-12-20 頒布
  • 1984-12-01 實(shí)施
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UDC669.782:548：2:543.06中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB4060-83硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-Vacuumzonee-melting：Onboron1983-12-20發(fā)布1984-12-01實(shí)施家標(biāo)準(zhǔn)局批批準(zhǔn)

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)UDC689.782:548.2:543.08硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法GB4060-83Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-Vacuumzone-meltingonboron本標(biāo)準(zhǔn)適用于三氯氫硅及四氯化硅氫還原在細(xì)硅芯上沉積硅多晶所生長(zhǎng)出來(lái)的硅多晶棒.檢測(cè)雜質(zhì)濃度有效范圍0.02～20ppba。P型電阻率范圍500～100000·cm。方法原理1.原理利用硅區(qū)熔時(shí)硅中磷硼的有效分系數(shù)的差別及磷硼從硅中蒸發(fā)速率的差別。1.2方法真空區(qū)熔法。2試樣制備2.1取樣部位除在橋形硅多晶棒硅芯搭接處或者直的硅多晶棒離石墨卡頭10mm-一段外均可取樣（如圖1）。2.2試樣尺寸直徑10～40mm。長(zhǎng)度70～200mm。2.3試樣處理2.3.1在化學(xué)純丙酮中洗樣去油。2.3.2用化學(xué)純乙醇清洗20～303后用電阻率大于10MQ的去離子水沖洗。2.3.3在優(yōu)級(jí)純HF:HNO，1：（3～5）體積的混合酸液中腐蝕2min。在第二份優(yōu)級(jí)純HF.HNO，1；（3～5）的混合酸液中腐蝕2min。2.8.42.3.5用電阻率大于10M0的去離子水沖洗試樣至中性。2.3.6將試樣經(jīng)超聲波或用去離子水多次煮沸，洗滌，烘

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