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第三節(jié)分子軌道理論共價(jià)鍵理論現(xiàn)代價(jià)鍵理論是建立在量子力學(xué)基礎(chǔ)上的,主要有:價(jià)鍵理論:認(rèn)為成鍵電子只能在以化學(xué)鍵相連的兩原子間的區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)分子軌道理論:認(rèn)為成鍵電子可以在整個(gè)分子區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)不能解釋有的分子的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)如O2的順磁性O(shè)O2s2s2p2pO??O¨¨¨¨O=O¨¨¨¨根據(jù)價(jià)鍵理論,氧分子中有一個(gè)鍵和一個(gè)鍵,其電子全部成對(duì)。但經(jīng)磁性實(shí)驗(yàn)測(cè)定,氧分子有兩個(gè)不成對(duì)的電子,自旋平行,表現(xiàn)出順磁性。順磁性是什么??jī)r(jià)鍵理論的局限性分子的磁性順磁性——是指具有未成對(duì)電子的分子在磁場(chǎng)中順磁場(chǎng)方向排列的性質(zhì)具有此性質(zhì)的物質(zhì)——順磁性物質(zhì)反磁性——是指無(wú)未成對(duì)電子的分子在磁場(chǎng)中無(wú)順磁場(chǎng)方向排列的性質(zhì)具有此性質(zhì)的物質(zhì)——反磁性物質(zhì)不能解釋H2+的穩(wěn)定存在:(H·H)+
價(jià)鍵理論的局限性能成功地說(shuō)明許多分子的結(jié)構(gòu)和反應(yīng)性能分子軌道理論的崛起1.分子軌道的形成:分子軌道ψ可以近似地用能級(jí)相近的原子軌道線(xiàn)性組合得到ψ=ca
ψa+cbψb
系數(shù)可以為正值、負(fù)值;整數(shù)、分?jǐn)?shù)。軌道數(shù)目不變,分子軌道數(shù)目等于參與組合的原子軌道數(shù)目之和。分子軌道能級(jí)改變,能級(jí)低于原子軌道能級(jí)的為成鍵軌道,高于原子軌道能級(jí)的為反鍵軌道,等于原子能級(jí)的為非鍵軌道。電子進(jìn)入分子軌道后,若體系能量降低,即能成鍵。把分子作為一個(gè)整體,電子在整個(gè)分子中運(yùn)動(dòng),分子中的每個(gè)電子都處在一定的軌道上,具有一定的能量。兩個(gè)原子軌道組成能級(jí)降低的成鍵分子軌道時(shí),必須滿(mǎn)足的原則:對(duì)稱(chēng)性匹配:兩個(gè)原子軌道重疊時(shí),重疊區(qū)域中兩個(gè)波函數(shù)的位相相同,即有相同的符號(hào)。同號(hào)重疊,能量降低形成成鍵分子軌道。異號(hào)進(jìn)行疊加,對(duì)稱(chēng)性不匹配,形成反鍵分子軌道。同號(hào)重疊與異號(hào)重疊各占一半,兩者效果相互抵消,形成非鍵軌道,即不能形成分子軌道。
能級(jí)高低相近:原子軌道能級(jí)相近,能夠有效的組成分子軌道;能級(jí)差越大,組成分子軌道的成鍵能力越小。軌道最大重疊:此時(shí),體系的能量降低較多。s-s原子軌道的組合+++++++__++→→nsnsσnsσ*ns能量σns成鍵軌道σ軌道σ電子沿鍵軸對(duì)稱(chēng)分布
σ*ns反鍵軌道1s1sσ*nsσns能量例H2p-p原子軌道的組合σ*npx∧對(duì)含鍵軸平面反對(duì)稱(chēng)
沿鍵軸對(duì)稱(chēng)
反鍵軌道
π電子π軌道能量成鍵軌道
能量反鍵軌道
σ電子σ軌道成鍵軌道
σnpxσ*npxπ*npzπnpz∧__能量npx
npx_+_+_+_+_+__++++σnpx++__+___+++__++++_+npz
npz_++_能量π*npzπnpz6-4-2分子軌道的形成每種分子的每個(gè)分子軌道都有確定的能量,不同種分子的分子軌道能量是不同的,可通過(guò)光譜實(shí)驗(yàn)確定。第二周期分子的分子軌道能級(jí)σ2sσ2pσ1sπ2pσ*2pπ*2pσ*2sσ*1s1s1s2s2s2p2pA.O
M.O2
A.O能量?jī)蓚€(gè)原子的P軌道能形成6種分子軌道的能級(jí):(2px)
∧(2py)
(2pz)同亞層
∧(*2py)
(*2pz)同亞層∧(σ*2p)?分子軌道能級(jí)的決定因素:構(gòu)成分子軌道的原子軌道類(lèi)型原子軌道的重疊情況。原子軌道能級(jí)為1s<2s<2p故分子軌道能級(jí)為1s<
*1s<
2s<
*2s再次是由2p原子軌道組成的三對(duì)分子軌道,從重疊情況考慮,形成鍵的軌道重疊比形成鍵的軌道重疊大.因此成鍵和反鍵軌道間的能級(jí)間隔比鍵成鍵反鍵間的能級(jí)間隔小.故*2s<2px<2py=2pz<*2py=*2pz<*2pxσ2sσ2pσ1sπ2pσ*2pπ*2pσ*2sσ*1s1s1s2s2s2p2pA.F
M.F2
A.F能量例F2F2[(1s)2(*1s)2(2s)2(*2s)2(2px)2(2py)2(2pz)2(*2py)2
(*2pz)2]F2分子軌道式
1s22s22p5?F—F?
¨¨¨¨分子結(jié)構(gòu)式能量A.O
M.O
A.O1s1s2s2s2p2pσ2sσ2pσ1sπ2pσ*2pπ*2pσ*2sσ*1s例N2N2[(1s)2(*1s)2(2s)2(*2s)2(2py)2(2pz)2
(2px)2]N2分子軌道式
1s22s22p3?N—N?
·
··
·價(jià)鍵結(jié)構(gòu)式分子結(jié)構(gòu)式?N≡N?分子軌道的應(yīng)用推測(cè)分子的存在和闡明分子的結(jié)構(gòu)H2+
Li2分子軌道能級(jí)示意圖分子軌道式H2[(1s)1]Li2[K(2s)2]價(jià)鍵結(jié)構(gòu)式[H·H]+Li-Li鍵的名稱(chēng)單電子σ鍵σ鍵(普通)
是否存在存在存在Be2
分子軌道能級(jí)示意圖分子軌道式Be2[KK(1s)2(*1s)2]是否存在不存在1s1sσ*1sσ1sHe2
He2+分子軌道能級(jí)示意圖分子軌道式He2[(1s)2(*1s)2]He2[(2s)2(*1s)1]價(jià)鍵結(jié)構(gòu)式-[HeHe]+鍵的名稱(chēng)-三電子σ鍵是否存在不存在存在描述分子的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性?xún)舫涉I電子數(shù)成鍵軌道電子數(shù)-反鍵軌道電子數(shù)鍵級(jí)==22分子He2H2
H2N2鍵級(jí)鍵能/(kJ·mol-1)02564369462-22=01-0122=2-02=110-42=3鍵級(jí)可看作兩原子間共價(jià)鍵的數(shù)目。一般來(lái)說(shuō),鍵級(jí)越大,鍵能越大,分子越穩(wěn)定。注意:鍵級(jí)只能粗略估計(jì)分子穩(wěn)定性的相對(duì)大小,實(shí)際上鍵級(jí)相同的分子穩(wěn)定性也有差別。+預(yù)言分子的磁性順磁性——是指具有未成對(duì)電子的分子在磁場(chǎng)中順磁場(chǎng)方向排列的性質(zhì)具有此性質(zhì)的物質(zhì)——順磁性物質(zhì)反磁性——是指無(wú)未成對(duì)電子的分子在磁場(chǎng)中無(wú)順磁場(chǎng)方向排列的性質(zhì)具有此性質(zhì)的物質(zhì)——反磁性物質(zhì)σ2sσ2pσ1sπ2pσ*2pπ*2pσ*2sσ*1s1s1s2s2s2p2pA.F
M.F2
A.F能量O2[(1s)2(*1s)2(2s)2(*2s)2(2px)2(2py)2(2pz)2(*2py)1
(*2pz)1]O2分子軌道式
電子結(jié)構(gòu)1s22s22p6?O-O?······價(jià)鍵結(jié)構(gòu)式1個(gè)σ鍵、2個(gè)三電子鍵O2為順磁性物質(zhì)
σ鍵和π鍵的特征比較鍵的類(lèi)型σ鍵π鍵存在方式可以單獨(dú)存在必須與鍵共存原子軌道重疊方式沿鍵軸方向在直線(xiàn)方向相互重疊沿鍵軸方向平行,從側(cè)面重疊原子軌道重疊部分兩原子核之間,在鍵軸處在鍵軸的上方和下方,鍵軸處為0原子軌道重疊程度大小鍵的強(qiáng)度較牢固較差化學(xué)活潑性不活潑活潑鍵參數(shù)
經(jīng)常用幾個(gè)物理量簡(jiǎn)單地描述化學(xué)鍵的狀況,這些物理量稱(chēng)為鍵參數(shù),包括鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角等。
(1)鍵能
AB(g)→A(g)+B(g)H=EAB
在101.325kPa和298.15K下,將1mol氣態(tài)的AB分子變成氣態(tài)的A、B原子時(shí)所需要的熱量,鍵能是表示化學(xué)鍵強(qiáng)度的物理量。一般鍵能越大,鍵越穩(wěn)定。鍵能大小順序?yàn)椋喝I>雙鍵>單鍵(2)鍵長(zhǎng)
分子中成鍵兩原子核之間的距離叫鍵長(zhǎng)。單位為:pm。一般鍵長(zhǎng)越小,鍵越強(qiáng)。1pm=1×10-12m
鍵長(zhǎng)/pm鍵能/(kJ/mol)
CC154345.6CC133602.0C
C120835.1
化學(xué)鍵鍵長(zhǎng)順序:?jiǎn)捂I
>雙鍵
>叁鍵在不同化合物中,相同的鍵,鍵長(zhǎng)和鍵能并不相等。例如,CH3OH和C2H6
均有C-H鍵,而它們的鍵長(zhǎng)和鍵能不同。
(3)鍵角
鍵角是分子中鍵與鍵之間的夾角,在多原子分子中才涉及鍵角。C2H2C2H4
鍵角是決定分子幾何構(gòu)型的重要因素。116.6o121.7o180oCH4109.5o分子式鍵角/°鍵長(zhǎng)/pm分子幾何構(gòu)型H2O104.598V形CO2180121直線(xiàn)形NH3107.3107三角錐形CH4109.5109正四面體常用分子的鍵角和幾何構(gòu)型的關(guān)系四價(jià)層電子對(duì)互斥理論(VSEPR)1、價(jià)層電子對(duì)互斥理論的基本要點(diǎn)2、價(jià)層電子對(duì)互斥理論的應(yīng)用實(shí)例VSEPR:Valenceshellelectronicpairrepelling1、價(jià)層電子對(duì)互斥理論的基本要點(diǎn)A、分子或離子的空間構(gòu)型取決于中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)。中心原子的價(jià)層電子對(duì)是指成鍵電子對(duì)(bp)和未參與成鍵的孤對(duì)電子(lp)。
B、中心原子的價(jià)層電子對(duì)之間盡可能遠(yuǎn)離,以使斥力最小,并由此決定了分子的空間構(gòu)型。C、根據(jù)中心原子的價(jià)層電子對(duì)的排布方式,把配位原子排布在中心原子周?chē)?,每一?duì)電子連接一個(gè)配位原子,未結(jié)合配位原子的電子對(duì)就是孤對(duì)電子。若中心原子的價(jià)電子對(duì)全部是成鍵電子對(duì),則分子或離子的空間構(gòu)型與中心原子的價(jià)層電子對(duì)的排布方式相同;若價(jià)層電子對(duì)中有孤對(duì)電子,應(yīng)根據(jù)成鍵電子對(duì)、孤對(duì)電子之間的靜電斥力的大小,選擇靜電斥力最小的結(jié)構(gòu),即為分子或離子的空間構(gòu)型。D、得到VSEPR模型后要略去孤對(duì)電子對(duì),才得到它們的分子立體構(gòu)型。靜電斥力最小的價(jià)層電子對(duì)的排布方式價(jià)電子對(duì)數(shù)成鍵電子對(duì)數(shù)孤對(duì)電子對(duì)數(shù)空間構(gòu)型220直線(xiàn)型330平面三角型,SnCl321V型,O3440四面體31三角錐,NH322V型,H2O·判斷分子幾何構(gòu)型考慮的因素:
中心原子周?chē)嬖趍個(gè)配位體L及n個(gè)孤對(duì)電子對(duì)E時(shí),根據(jù)斥力效應(yīng)應(yīng)考慮:
1.多重鍵(雙鍵、三鍵)中多對(duì)電子集中在同一鍵區(qū)可作一個(gè)鍵處理;
2.孤對(duì)電子空間分布的肥大性;
3.電負(fù)性大小。1.中心原子A與m個(gè)配位體L之間所形成的鍵可能是單鍵,雙鍵或三鍵等多重鍵。雙鍵和三鍵可按一個(gè)鍵區(qū)計(jì)算原子間的斥力,但電子多空間大,斥力也大,定性順序?yàn)椋骸锶I—三鍵>三鍵—雙鍵>雙鍵—雙鍵>雙鍵—單鍵>單鍵—單鍵2.價(jià)層電子對(duì)之間的斥力與價(jià)層電子對(duì)的類(lèi)型有關(guān),價(jià)層電子對(duì)之間靜電斥力大小順序?yàn)椋?/p>
孤對(duì)電子-孤對(duì)電子>孤對(duì)電子-成鍵電子對(duì)>成鍵電子對(duì)-成鍵電子對(duì)
計(jì)算時(shí)要注意:①中心原子的價(jià)電子數(shù)等于它的族數(shù)。②作配位原子時(shí),
H和(X)鹵原子各提供一個(gè)價(jià)電子,O和S提供的價(jià)電子數(shù)為0。③
鹵素作為中心原子時(shí),提供的價(jià)電子數(shù)為7。④
O、S作為中心原子時(shí),提供的價(jià)電子數(shù)為6。如果出現(xiàn)有奇電子,可把這個(gè)單電子當(dāng)作一個(gè)電子對(duì)來(lái)看待用VSEPR方法判斷原子A周?chē)湮惑w和孤對(duì)電子對(duì)的空間排布ALmEn2、價(jià)層電子對(duì)互斥理論的應(yīng)用實(shí)例
在CH4中,C有4個(gè)電子,4個(gè)H提供4個(gè)電子,C的價(jià)層電子總數(shù)為8個(gè),價(jià)層電子對(duì)為4對(duì)。C的價(jià)層電子對(duì)的排布為正四面體,由于價(jià)層電子對(duì)全部是成鍵電子對(duì),因此CH4的空間構(gòu)型為正四面體。(1)
CH4
的空間構(gòu)型(2)的空間構(gòu)型
在中,Cl有7個(gè)價(jià)電子,O不提供電子,再加上得到的1個(gè)電子,價(jià)層電子總數(shù)為8個(gè),價(jià)層電子對(duì)為4對(duì)。
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