GB/T 37255-2018偏置電場(chǎng)下材料熱釋電系數(shù)測(cè)試方法

ICS31020

L90.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T37255—2018

偏置電場(chǎng)下材料熱釋電系數(shù)測(cè)試方法

TestmethodforpyroelectriccoefficientofmaterialsunderDCbiasfield

2018-12-28發(fā)布2019-11-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T37255—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)建筑材料聯(lián)合會(huì)提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)工業(yè)陶瓷標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC194)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人董顯林曹菲王根水姚春華閆世光郭少波

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T37255—2018

偏置電場(chǎng)下材料熱釋電系數(shù)測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直流偏置電場(chǎng)下材料熱釋電系數(shù)的術(shù)語(yǔ)和定義原理試樣環(huán)境條件儀器設(shè)備樣

、、、、

品試驗(yàn)步驟試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于鈦酸鍶鋇鉭鈧酸鉛等熱釋電材料在直流偏置電場(chǎng)下的熱釋電系數(shù)測(cè)量

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

鐵電壓電陶瓷詞匯

GB/T3389.1

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T3389.1。

31

.

直流偏置電壓DCbiasvoltage

測(cè)量材料熱釋電系數(shù)時(shí)施加在被測(cè)樣品上下主表面的直流電壓

,。

32

.

直流偏置電場(chǎng)DCbiasfield

直流偏置電壓與被測(cè)樣品厚度的比值用符號(hào)E表示

,。

4原理

偏置電場(chǎng)下熱釋電系數(shù)是指在直流偏置電場(chǎng)E作用下樣品溫度改變時(shí)樣品極化強(qiáng)度P

(),,[(m)E]

隨溫度的變化率

。

當(dāng)樣品溫度改變時(shí)極化發(fā)生變化原平衡狀態(tài)時(shí)樣品表面的自由電荷不能完全屏蔽束縛電荷如

,,,

果與外電路聯(lián)接可在電路中測(cè)得電流

,。

偏置電場(chǎng)下熱釋電系數(shù)測(cè)量裝置見圖用電壓表測(cè)量取樣電阻R兩端的電壓值U同時(shí)記錄

1。()(),

電壓值U溫度T和時(shí)間t根據(jù)式可得到不同溫度和直流偏置電場(chǎng)下的熱釋電系數(shù)

()、()()。(1)

p給出的熱釋電系數(shù)應(yīng)指明直流偏置電場(chǎng)和測(cè)量溫度

[(m)E]。。

PItUt

p=d(m)E=×d=×d

(m)ETATA×RT………………(1)

ddd

式中

:

p電場(chǎng)E下的熱釋電系數(shù)單位為庫(kù)侖每平方米攝氏度2

(m)E———(),[C/(m·℃)];

P電場(chǎng)E下的極化強(qiáng)度單位為庫(kù)侖每平方米2

(m)E———(),(C/m);

I熱釋電電流單位為安

——