GB/T 35007-2018半導體集成電路低電壓差分信號電路測試方法

ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標準

GB/T35007—2018

半導體集成電路

低電壓差分信號電路測試方法

Semiconductorintegratedcircuits—

Measuringmethodoflowvoltagedifferentialsignalingcircuitry

2018-03-15發(fā)布2018-08-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T35007—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

總則

4………………………2

測試環(huán)境要求

4.1………………………2

測試注意事項

4.2………………………2

靜態(tài)參數(shù)測試

5……………2

單端數(shù)字接口參數(shù)

5.1…………………2

輸入高電平閾值電壓V

5.2(TH)…………2

輸入低電平閾值電壓V

5.3(TL)…………3

輸入電流I

5.4(IN)………………………4

電源關斷輸入漏電流I

5.5(IN-OFF)……………………5

輸出高電壓V

5.6LVDS(OHL)…………6

輸出低電壓V

5.7LVDS(OLL)…………7

共模輸出電壓V

5.8(OS)…………………8

互補態(tài)共模輸出電壓變化V

5.9(ΔOS)…………………8

差分輸出電壓V

5.10(OD)………………9

互補態(tài)差分輸出電壓變化V

5.11(ΔOD)………………9

輸出短路電流I

5.12LVDS(OSL)………………………10

電源關斷輸出漏電流I

5.13(O-OFF)…………………11

輸出高阻態(tài)電流I

5.14LVDS(OZL)……………………12

內(nèi)置差分輸入電阻R

5.15(IT)…………13

內(nèi)置差分輸出電阻R

5.16(OT)………………………13

靜態(tài)電源電流I

5.17(DD)………………14

關斷電源電流I

5.18(DDZ)……………15

動態(tài)參數(shù)測試

6……………16

輸入電容C和輸出電容C

6.1(I)(O)…………………16

動態(tài)電源電流I

6.2(DDA)………………18

最高工作頻率f

6.3(MAX)………………18

最低工作頻率f

6.4(MIN)………………19

最大數(shù)據(jù)率DR

6.5(MAX)………………20

輸出由低電平到高電平傳輸延遲時間t

6.6(PLH)……………………20

輸出由高電平到低電平傳輸延遲時間t

6.7(PHL)……………………22

輸出由高阻態(tài)到高電平傳輸延遲時間t

6.8(PZH)……………………22

輸出由高阻態(tài)到低電平傳輸延遲時間t

6.9(PZL)……………………24

輸出由高電平到高阻態(tài)傳輸延遲時間t

6.10(PHZ)……………………24

Ⅰ

GB/T35007—2018

輸出由低電平到高阻態(tài)傳輸延遲時間t

6.11(PLZ)……………………25

輸出由低電平到高電平轉(zhuǎn)換時間t

6.12(TLH)………25

輸出由高電平到低電平轉(zhuǎn)換時間t

6.13(THL)………27

脈沖時滯t

6.14(SKP)……………………27

通道間時滯t

6.15(SKO)…………………28

眼圖高度e

6.16(H)……………………28

眼圖寬度e

6.17(W)……………………29

確定性抖動Dj

6.18()…………………30

隨機抖動Rj

6.19()……………………30

總抖動J

6.20(t)………………………31

附錄資料性附錄眼圖測試對儀器的要求

A()…………32

Ⅱ

GB/T35007—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)定起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標準起草單位成都振芯科技股份有限公司工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院工業(yè)和信

:、、

息化部電子第五研究所深圳市國微電子有限公司深圳市眾志聯(lián)合電子有限公司中國電子科技集團

、、、

公司第二十九研究所

。

本標準主要起草人陳雁羅彬郭超王會影李錕蔡志剛鄔海忠鐘科

:、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T35007—2018

半導體集成電路

低電壓差分信號電路測試方法

1范圍

本標準規(guī)定了半導體集成電路低電壓差分信號電路以

(LVDS,lowvoltagedifferentialsignaling)(

下稱為器件靜態(tài)參數(shù)動態(tài)參數(shù)測試方法的基本原理

“”)、。

本標準適用于低電壓差分信號電路靜態(tài)參數(shù)動態(tài)參數(shù)的測試

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體器件集成電路第部分數(shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

31

.

脈沖時滯pulseskew

同一通道內(nèi)輸出由低電平到高電平的傳輸延遲時間與輸出由高電平到低電平傳輸延遲時間的