標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 34831-2017 納米技術(shù) 貴金屬納米顆粒電子顯微鏡成像 高角環(huán)形暗場法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),旨在規(guī)范使用高角環(huán)形暗場掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)對貴金屬納米顆粒進(jìn)行成像的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于科學(xué)研究和技術(shù)開發(fā)中對于貴金屬納米材料尺寸、形態(tài)及分布特性的表征。
標(biāo)準(zhǔn)首先定義了相關(guān)術(shù)語和定義,明確了“貴金屬納米顆?!?、“高角環(huán)形暗場掃描透射電子顯微鏡”等關(guān)鍵概念的含義。接著詳細(xì)描述了實(shí)驗(yàn)前準(zhǔn)備工作的必要步驟,包括樣品制備方法的選擇與要求,確保能夠獲得清晰且具有代表性的圖像。此外,還特別強(qiáng)調(diào)了儀器校準(zhǔn)的重要性,并提供了具體的操作指南以保證測量結(jié)果的準(zhǔn)確性與可重復(fù)性。
在操作過程中,《GB/T 34831-2017》給出了詳細(xì)的指導(dǎo)建議,涵蓋從樣本加載到數(shù)據(jù)采集整個(gè)流程的技術(shù)細(xì)節(jié)。它不僅介紹了如何設(shè)置合適的參數(shù)來優(yōu)化圖像質(zhì)量,而且還討論了可能影響成像效果的因素及其解決方案。例如,通過調(diào)整探測器角度或改變加速電壓等方式可以改善對比度,使得即使是在復(fù)雜基底上的小尺寸粒子也能被有效識別。
最后,本標(biāo)準(zhǔn)還涉及到了數(shù)據(jù)分析的部分,提出了基于所獲取圖像進(jìn)行定量分析的原則與方法。這包括但不限于利用軟件工具對顆粒大小、形狀以及空間分布情況進(jìn)行統(tǒng)計(jì)計(jì)算,為后續(xù)研究提供可靠的數(shù)據(jù)支持。
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....
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- 正在執(zhí)行有效
- 2017-11-01 頒布
- 2018-05-01 實(shí)施
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GB/T 34831-2017納米技術(shù)貴金屬納米顆粒電子顯微鏡成像高角環(huán)形暗場法-免費(fèi)下載試讀頁文檔簡介
ICS171800137020
;
N33...
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T34831—2017
納米技術(shù)貴金屬納米顆粒電子顯微鏡成像
高角環(huán)形暗場法
Nanotechnologies—Electronmicroscopyimagingofnoblemetalnanoparticles—
Highangleannulardarkfieldimagingmethod
2017-11-01發(fā)布2018-05-01實(shí)施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T34831—2017
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
高角環(huán)形暗場成像原理
4…………………1
儀器和設(shè)備
5………………3
試劑
6………………………3
樣品制備
7…………………3
實(shí)驗(yàn)步驟
8…………………3
實(shí)驗(yàn)報(bào)告
9…………………3
附錄資料性附錄貴金屬納米顆粒高角環(huán)形暗場成像方法實(shí)例
A()…………………5
附錄資料性附錄貴金屬納米顆粒高角環(huán)形暗場成像的實(shí)驗(yàn)報(bào)告
B()………………8
參考文獻(xiàn)
………………………9
Ⅰ
GB/T34831—2017
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國科學(xué)院提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC279)。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位國家納米科學(xué)中心北京粉體技術(shù)協(xié)會
:、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人齊笑迎常懷秋朱曉陽賀蒙高原
:、、、、。
Ⅲ
GB/T34831—2017
引言
貴金屬納米顆粒由于具有量子效應(yīng)小尺寸效應(yīng)及表面效應(yīng)呈現(xiàn)出許多特有的物理化學(xué)性質(zhì)在
、,、,
催化能源光學(xué)電子和生物等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景由于貴金屬納米顆粒的尺寸團(tuán)聚情況顆
、、、。、、
粒均勻性等與其性能密切相關(guān)因此對其形貌特征的表征顯得尤為重要在實(shí)際應(yīng)用中貴金屬納米顆
,。,
粒通常與其載體形成復(fù)合體系普通的掃描電子顯微成像透射電子衍射襯度成像和高分辨相位襯度成
,、
像等技術(shù)無法有效地區(qū)分貴金屬顆粒和其載體高角環(huán)形暗場成像是一種在掃描透射模式下利用環(huán)
。,
形探測器收集高角度散射電子成像的方法所得圖像的襯度與元素的原子序數(shù)的平方近似成正比因此
,,
可以有效地區(qū)分出復(fù)合體系中的貴金屬顆粒并且具有原子級的分辨率非常適合于貴金屬納米顆粒的
,,
成像該方法對微米級顆粒的成像同樣適用
。。
目前高角環(huán)形暗場成像方法是一種成熟的表征方法在配備了掃描線圈和高角環(huán)形暗場探測器的
,,
透射電子顯微鏡或掃描電子顯微鏡上都可以實(shí)現(xiàn)由于其圖像襯度與原子序數(shù)密切相關(guān)在貴金屬納
。,
米顆粒的表征方面越來越多的人開始使用這一技術(shù)來分析納米顆粒樣品該方法在貴金屬納米顆粒表
,,
征方面的有效性也逐漸得到認(rèn)可在科研和生產(chǎn)工作中發(fā)揮了重要作用
,。
Ⅳ
GB/T34831—2017
納米技術(shù)貴金屬納米顆粒電子顯微鏡成像
高角環(huán)形暗場法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用電子顯微鏡高角環(huán)形暗場成像技術(shù)對貴金屬納米顆粒成像的方法
。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于單一貴金屬納米顆粒和復(fù)合材料中貴金屬納米顆粒的成像
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
納米材料術(shù)語
GB/T19619
3術(shù)語和定義
界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T19619。
31
.
納米顆粒nanoparticle
三個(gè)維度的外部尺寸都在納米尺度的納米物體
。
注如果納米物體最長軸和最短軸的長度差別顯著大于時(shí)應(yīng)用納米棒和納米片來表示納米顆粒
:(3),。
定義
[GB/T32269—2015,4.1]
32
.
貴金屬noblemetal
金銀和鉑族金屬的統(tǒng)稱
、。
定義
[GB/T17684—2008,2.1]
33
.
掃描透射電子顯微術(shù)scanningtransmissionelectronmicroscopySTEM
;
通過探測器同步接收會聚電子束在樣品上產(chǎn)生的透射電子或散射電子進(jìn)行成像的一種分析技術(shù)
。
注一般用于場發(fā)射透射電子顯微鏡中有的場發(fā)射掃描電子顯微鏡也配有掃描透射模式也有專門的掃描透射電
:,,
子顯微鏡
。
34
.
高角環(huán)形暗場
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