GB/T 33236-2016多晶硅痕量元素化學(xué)分析輝光放電質(zhì)譜法

ICS7104040

G04..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T33236—2016

多晶硅痕量元素化學(xué)分析

輝光放電質(zhì)譜法

Polycrystallinesilicon—Determinationoftraceelements—

Glowdischargemassspectrometrymethod

2016-12-13發(fā)布2017-11-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T33236—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人卓尚軍錢(qián)榮董疆麗申如香盛成高捷鄭文平

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T33236—2016

多晶硅痕量元素化學(xué)分析

輝光放電質(zhì)譜法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用輝光放電質(zhì)譜法測(cè)量多晶硅中雜質(zhì)元素的測(cè)試方法

(GD-MS)。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于多晶硅材料中除氫和惰性氣體元素以外的其他雜質(zhì)元素含量的測(cè)定測(cè)量范圍是本

,

方法的檢出限至質(zhì)量分?jǐn)?shù)檢出限根據(jù)所用儀器及測(cè)量條件確定通過(guò)合適的標(biāo)準(zhǔn)樣品校正

0.1%(),。,

也可以測(cè)量質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于的雜質(zhì)元素含量單晶硅材料中痕量雜質(zhì)元素也可參照本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量

0.1%。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

分析實(shí)驗(yàn)室用水規(guī)格和試驗(yàn)方法

GB/T6682

表面化學(xué)分析輝光放電質(zhì)譜使用介紹

ISO/TS15338:2009(Surfacechemicalanalysis—

Glowdischargemassspectrometry(GD-MS)—Introductiontouse)

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

離子強(qiáng)度ionintensity

儀器記錄到的指定元素的離子流總量

。

32

.

針狀試樣pinsample

橫截面為圓形或方形的針狀棒狀或線狀試樣通常長(zhǎng)度為截面的直徑圓形或?qū)蔷€

、,20mm、()

方形不超過(guò)

()10mm。

33

.

片狀試樣flatsample

薄片狀或塊狀試樣通常為圓形或方形并至少有一面是光滑的光滑面能形成直徑大于的

,,,10mm

圓形測(cè)量面

。

34

.

針狀放電池pincell

用于分析針狀試樣的樣品池

。

35

.