GB/T 30655-2014氮化物LED外延片內(nèi)量子效率測試方法

ICS7704099

H21..

中華人民共和國國家標準

GB/T30655—2014

氮化物LED外延片內(nèi)量子效率測試方法

TestmethodsforinternalquantumefficiencyofnitrideLEDepitaxiallayers

2014-12-31發(fā)布2015-09-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T30655—2014

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會和全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位中國科學院半導體研究所

:。

本標準主要起草人魏學成趙麗霞王軍喜曾一平李晉閩

:、、、、。

Ⅰ

GB/T30655—2014

氮化物LED外延片內(nèi)量子效率測試方法

1范圍

本標準規(guī)定了族氮化物外延片內(nèi)量子效率的測試方法

Ⅲ-ⅤLED。

本標準適用于基于族氮化物的量子阱內(nèi)量子效率的測試

Ⅲ-ⅤLED。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

測量方法與結(jié)果的準確度正確度與精密度

GB/T6379()

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

31

.

輻射復合radiativerecombination

電子從高能態(tài)到低能態(tài)的躍遷過程中電子和空穴復合時會釋放一定的能量如果能量以光子的形

,,

式釋放這種復合稱為輻射復合

,。

32

.

非輻射復合nonradiativerecombination

電子從高能態(tài)到低能態(tài)的躍遷過程中電子和空穴復合時會釋放一定的能量以除光子輻射之外的

,,

其他方式釋放能量的復合稱為非輻射復合

。

33

.

光提取效率extractionefficiency

發(fā)光二極管單位時間內(nèi)發(fā)出的光子數(shù)與有源區(qū)內(nèi)輻射復合產(chǎn)生的光子數(shù)之間的比值

。

34

.

外量子效率externalquantumefficiency

單位時間內(nèi)注入的載流子數(shù)對外發(fā)出的光子數(shù)與注入載流子數(shù)之間的比值

。

35

.

內(nèi)量子效率internalquantumefficiency

在一定的注入條件下單位時間內(nèi)輻射復合產(chǎn)生的光子數(shù)與單位時間內(nèi)注入的復合載流子總數(shù)之

,

間的比值

。

36

.

注入效率injectionefficiency

在一定注入條件下單位時間內(nèi)注入有源區(qū)中產(chǎn)生復合的載流子數(shù)與注入載流子總數(shù)之間的比值

。

37

.