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文檔簡介
第9章基本放大電路9.1雙極型晶體管9.2放大電路的工作原理
9.3放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)9.4放大電路的主要性能指標(biāo)9.5雙極型晶體管基本放大電路9.7場效晶體管*9.8場效晶體管基本放大電路
9.9多級放大電路
9.10差分放大電路
9.11功率放大電路
*9.6雙極型晶體管放大電路的分析9.12應(yīng)用實(shí)例1
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返回主頁2BEC9.1雙極型晶體管
一、基本結(jié)構(gòu)
PNP型:NPN型:NPN基極
基區(qū)
集電極
集電區(qū)
集電結(jié)
發(fā)射極
發(fā)射區(qū)
發(fā)射結(jié)
NPNPNP基極
基區(qū)
集電極
集電區(qū)
集電結(jié)
發(fā)射極
發(fā)射區(qū)
發(fā)射結(jié)
PNPCBE結(jié)構(gòu)示意圖和圖形符號高等教育出版社3二、工作狀態(tài)條件:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。
發(fā)射區(qū)發(fā)射載流子
→形成電流IE
少部分在基區(qū)被復(fù)合
→形成IB
大部分被集電區(qū)收集
→形成IC
1.放大狀態(tài)⑴電流的形成NPNB
E
CRCUCCUBBRB晶體管中載流子的運(yùn)動過程IEICIB高等教育出版社4⑵電流的關(guān)系
IE=IB+IC
當(dāng)IB=0時,
直流(靜態(tài))電流放大系數(shù)
交流(動態(tài))電流放大系數(shù)≈ICIBIC-ICEOIBβ
=ICIBβ=
UCE=常數(shù)
ICIB≈IC=ICEONPNB
E
CRCUCCUBBRBIEICIB電路圖高等教育出版社5IB微小的變化,會產(chǎn)生IC很大的變化。IC
=βIB
。0<UCE<UCC,
UCE
=UCC-RC
IC
。晶體管相當(dāng)于通路。⑶特點(diǎn)高等教育出版社6特點(diǎn):
IB↑,IC基本不變。
IC≈UCC
/RC。
UCE≈0。晶體管相當(dāng)于短路。條件:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏。IB↑,IC
↑UCE=(UCC-RCIC)↓
ICM=UCC/RC2.飽和狀態(tài)電路圖NPNB
E
CRCUCCUBBRBIEICIBCERCUCC飽和狀態(tài)時的晶體管高等教育出版社7特點(diǎn):
IB=0IC=0UCE=UCC
晶體管相當(dāng)于開路。3.截止?fàn)顟B(tài)條件:發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。電路圖CERCUCC截止?fàn)顟B(tài)時的晶體管NPNB
E
CRCUCCUBBRBIEICIB高等教育出版社8晶體管處于放大狀態(tài)。
(2)開關(guān)S合向b時
[例9.1.1]
圖示電路,晶體管的=100,求開關(guān)S合向a、b、c
時的IB、IC
和UCE,并指出晶體管的工作狀態(tài)(忽略UBE
)。[解](1)開關(guān)S合向a時
UBB1RB15
500×103
IB==A=0.01mAIC=IB
=100×0.01mA=1mAUCE=UCC-RCIC
=(15-5×103×1×10-3)V=10VUCC=15V
UBB1=5V
UBB2=1.5VRB1=
500kRB2=
50kRC=
5kUBB1SBCERCUCCRB1UBB2RB2abc高等教育出版社9UCE=0V晶體管處于飽和狀態(tài)。因?yàn)槿?/p>
IC=IB=100×0.1mA=10mA
UCE=UCC-RCIC
=(15-5×103×10×10-3)V=-35VUCE<0,這是不可能的,即不可能處于放大狀態(tài)。
(3)開關(guān)S合向c時
IB=0,IC=0,UCE=UCC=15V晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)。UCCRC>=3mAUCCRC15
5×103
IC==A=3mAUBB1SBCERCUCCRB1UBB2RB2abcUBB1RB25
50×103
IB==A=0.1mA高等教育出版社10三、特性曲線1.輸入特性
IB=f(UBE)UCE=常數(shù)
UCE≥1V25℃UCE≥1V75℃80604020UBE/VIB/AO0.40.8※
硅管:UBE0.7V
鍺管:UBE0.3ViC
+
uCE
-
+
uBE
-iBBEC輸入特性工作方式高等教育出版社112.輸出特性
IC=f(UCE)∣IB=常數(shù)放大區(qū)IC/mA4321369UCE/VOIB=020A40A60A80A100A飽和區(qū)截止區(qū)輸出特性iC
+
uCE
-
+
uBE
-iBBEC工作方式高等教育出版社12
動態(tài)電流放大系數(shù)
2.穿透電流ICEO3.集電極最大允許電流
ICM4.集電極最大耗散功率
PCM
PC
=UCE×IC5.反向擊穿電壓U(BR)CEO靜態(tài)電流放大系數(shù)
四、主要參數(shù)1.電流放大系數(shù)4321369ICUCEO放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)過損耗區(qū)安全工作區(qū)U(BR)CEOICMPCM功耗曲線高等教育出版社139.2放大電路的工作原理一、電路組成BCERBRCUCCUBBUCCBCERBRC兩個電源的放大電路一個電源的放大電路高等教育出版社14RBRC+UCC
+
uo
-
+
ui
-C1C2++RBRC-UCC
+
uo
-
+
ui
-C1C2++NPN管放大電路PNP管放大電路放大電路的簡化畫法:高等教育出版社15iBuBE二、信號的放大過程1.靜態(tài)時
ui=0,直流電源單獨(dú)作用。2.動態(tài)時
輸入信號ui,
Ouit
iCuCE輸出信號uo=uce
=-RC
icRBRC+UCC
+
uo
-
+
ui
-C1C2++Otuit
uoOt
UBEOIBtOt
UCEOt
ICOtuoO信號的放大過程高等教育出版社169.3放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)一、靜態(tài)工作點(diǎn)ICIBUBE
QUCEUCCUCC
RC
已知IB確定Q點(diǎn)確定
UBE
。⑵在輸出特性曲線上已知IB可確定Q
點(diǎn)
可知IC
,
UCE。
UBEIBOUCEICO輸入特性輸出特性Q直流負(fù)載線⑴在輸入特性曲線上Q
點(diǎn)IBUBEICUCE高等教育出版社17該電路參數(shù)一定時,偏流IB是固定的,稱之為固定偏置放大電路。RBRC+UCC
+
uo
-
+
ui
-C1C2++高等教育出版社18二、靜態(tài)工作點(diǎn)的影響1.當(dāng)IB太小,Q
點(diǎn)很低,引起后半周截止失真。2.當(dāng)IB太大,Q
點(diǎn)很高,引起前半周飽和失真。※
截止失真和飽和失真統(tǒng)稱為非線形失真。UCEuCEOtIBiBOtICiCOtUCEuCEOtICiCOtIBiBOtuOOtuOOt截止失真飽和失真高等教育出版社199.4放大電路的主要性能指標(biāo)一、
電壓放大倍數(shù)其分貝值:|Au|(dB)=20lg|Au|定義:Uo
UiAu=
Uo
UiAu
=Uo
Ui
絕對值:
|Au|=Uom
Uim=當(dāng)輸入信號為正弦交流信號時,高等教育出版社20在放大電路中:二、輸入電阻定義:Ui
Iiri
=Ui
Iiri=當(dāng)輸入信號為正弦交流信號時
ri
RS+ri
Ui
=Us
Us
RS+ri
Ii
=
+
Ui
-+_UsIiRS放大電路ri放大電路信號源輸入電阻高等教育出版社21ri
大
Ui大
Uo
大;
ri大
Ii
小可減輕信號源的負(fù)擔(dān);
ri
RS+ri
Ui
=Us
Us
RS+ri
Ii
=ri越大越好,ri
RS
??梢姡?/p>
+
Ui
-+_UsIiRS放大電路ri輸入電阻高等教育出版社22三、輸出電阻
UOC
ISCro
=
UOC
ISCro
=當(dāng)輸入信號為正弦交流信號時:定義:其中:Ues=UOC=A0Ui
RL
RL+ro
UoL
=UOC
RL
RL+ro
|Au|
=|A0|
+
Uo
-+_UesIoroRL放大電路負(fù)載輸出電阻高等教育出版社23
若ro
小,帶載能力強(qiáng);反之帶載能力差。
RL
RL+ro
UoL
=UOC
RL
RL+ro
|Au|
=|A0|
可見:
ro
越小越好,ro
RL。
+
Uo
-+_UesIoroRL高等教育出版社24四、放大電路的頻率特性
幅頻特性:|Au|
—f270o180o90oOf
相頻特性:
—f
|Am|
fO|Au|f1f2通頻帶0.707|Am|高等教育出版社25[解](1)
ri
RS+ri
Ui
=Us
9×103(1+9)×103
=×10mV
=9mV
UOC
=|A0
|Ui
=100×9×10-3V
=0.9V=900mV
[例9.4.1]某放大電路的空載電壓放大倍數(shù)|A0|
=100,輸入電阻ri=9k
,輸出電阻ro
=1k,試問:(1)
輸入端接到Us
=10mV,RS
=1k
的信號源上,開路電壓UOC應(yīng)等于多少?(2)輸出端再接上RL=9k
的負(fù)載電阻時,負(fù)載上的電壓UoL應(yīng)等于多少?這時電壓放大倍數(shù)|Au
|是多少?高等教育出版社26
RL
RL+ro
|Au|
=
|A0|
(2)=
810mV
=
0.81V
RL
RL+ro
UoL
=UOC
9×103(1+9)×103
=×900×10-3V
9×103(1+9)×103
=×100=90Uo
Ui或|Au|=8109==90高等教育出版社279.5雙極型晶體管基本放大電路一、共射放大電路1.電路組成
增加一個偏流電阻RB2,可以固定基極電位。
只要滿足:I2>>IB
RB2RB1+RB2
UB=UCC
選擇參數(shù)時,一般取I2≈(5~10)IB。共射放大電路RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-C1C2++RB2RECE+RB1高等教育出版社28(2)增加發(fā)射極電阻RE,可以穩(wěn)定IC。
只要滿足UB>>
UBE
≈
UBREUEREIE=
IC
=
1+βIE
選擇參數(shù)時,一般取
UB≈(5~10)UBE。TICEOIE
URE
ICIC
UBE
共射放大電路RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-C1C2++RB2RECE+RB1高等教育出版社29(3)增加CE
,避免|Au|下降。對電壓、電流和功率都有放大作用,輸出與輸入電壓相位相反。
ube
=ui-
REie2.性能特點(diǎn)
共射放大電路RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-C1C2++RB2RECE+RB1高等教育出版社30RB+UCC
+
uO
-
+
ui
-C1C2++RE二、共集放大電路共集放大電路RBRC+UCC
+
uo
-
+
ui
-C1C2++固定偏置放大電路(1)RE取代RC,RE可以穩(wěn)定QC點(diǎn)。
(2)改集電極輸出為發(fā)射極輸出與固定偏置放大電路結(jié)構(gòu)的不同:1.電路組成射極輸出器或射極跟隨器高等教育出版社31二、共集放大電路(1)無電壓放大作用(2)有電流和功率放大作用2.性能特點(diǎn)
Au≈1且Au<1RB+UCC
+
uO
-
+
ui
-C1C2++RE共集放大電路(輸出與輸入電壓同相位)(3)與共射放大電路相比:ri大,ro?、儆米鬏斎爰墸瑴p小信號源負(fù)擔(dān);②用作輸出級,提高放大器帶載能力。高等教育出版社32RB1RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-CBC2++RB2RE+C1三、共基放大電路1.電路組成共基放大電路增加一個偏流電阻RB2和射極電阻RE,以穩(wěn)定Q點(diǎn)。
(2)信號改為發(fā)射極輸入
(3)增加了CB,使基極成為信號輸入和輸出的公共端。與固定偏置放大電路相比:高等教育出版社33RB1RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-CBC2++RB2RE+C12.性能特點(diǎn)共基放大電路三、共基放大電路
(1)無電流放大作用(2)有電壓和功率放大作用,且輸出與輸入電壓同相位。(3)與共射放大電路相比:
ri小,ro相同同頻帶寬,穩(wěn)定性好,具有恒流輸出特性,適用于要求同頻帶寬和頻率高的場合。高等教育出版社RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-C1C2++RB2RECE+RB134*9.6雙極型晶體管放大電路的分析一、靜態(tài)分析(1)圖解法1.共射放大電路的靜態(tài)分析共射放大電路RB1RC+UCCRB2RE共射放大電路的直流通路(2)計算法高等教育出版社35UB-UBEREIE=
IB
=
11+
IE
IC=IB
UCE
=UCC-RC
IC-REIE
≈UCC-(RC+RE)ICRB2RB1+RB2
UB=UCC
1.共射放大電路的靜態(tài)分析RB1RC+UCCRB2RE共射放大電路的直流通路高等教育出版社36RB+UCC
+
uO
-
+
ui
-C1C2++RERBIB+UBE+RE(1+)IB
=
UCCIC
=IB
UCE
=UCC-REIE
=UCC-RE
(1+
)IB
UCC-UBERB+
(1+)RE
IB=
2.共集放大電路的靜態(tài)分析RB+UCCRE直流通路高等教育出版社373.共基放大電路的靜態(tài)分析RB1RC+UCCRB2RERB1RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-CBC2++RB2RE+C1共基放大電路直流通路直流通路共基與共射放大電路的靜態(tài)分析相同共射放大電路RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-C1C2++RB2RECE+RB1高等教育出版社38二、動態(tài)分析(1)晶體管的交流小信號電路模型①輸入端電壓和電流的關(guān)系UBEΔIB為一個常數(shù)。IBIBUBE——稱為晶體管的輸入電阻。rbe=iBuBEOQiC
+
uCE
-
+
uBE
-iBBEC電路圖輸入特性高等教育出版社39
晶體管從輸入端看,可以用一個等效的動態(tài)電阻rbe代替。rbe
可以估算:rbe=200+
26ICiC
+
uCE
-
+
uBE
-iBBEC
+Ube
-BErbe
Ib電路圖輸入端口等效電路高等教育出版社40
+Uce
-CIcE
Ib②輸出端電壓和電流的關(guān)系
在放大區(qū):IC=βIB
從輸出端看,可以用一個受控電流源代替。iC
+
uCE
-
+
uBE
-iBBEC
+Ube
-BErbe
Ib晶體管的小信號模型共射接法共集接法共基接法CE
IbIcBIbrbeCE
IbIcBIbrbe電路圖E
高等教育出版社41(2)放大電路的交流通路只研究放大電路中的交流分量時的電路,即信號源單獨(dú)作用時的電路,稱為交流通路。作法:將直流電源的電動勢和C
代之以短路。(3)放大電路的微變等效電路交流通路中的晶體管用交流小信號模型代替微變等效電路高等教育出版社421.共射放大電路的動態(tài)分析IiIbIcIoRB2RC
+
Uo
-
+
Ui
-IeRB1RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-C1C2++RB2RECE+RB1RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-C1C2++RB2RECE+RB1交流通路高等教育出版社431.共射放大電路的動態(tài)分析IiIbIcIoRB2RC
+
Uo
-
+
Ui
-IeRB1RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-C1C2++RB2RECE+RB1
+Uce
-CIcIb
+Ube
-Brbe
IbE
Ib
IiIcIoBrbeC
IbRB1RCE+Uo
-+Ui
-RB2+_RSUSRL共射放大電路的微變等效電路共射放大電路的交流通路晶體管小信號模型(共射)高等教育出版社441.共射放大電路的動態(tài)分析
Ib
IiIcIoBrbeC
IbRB1RCE+Uo
-+Ui
-RB2+_RSUSRL高等教育出版社452.共集放大電路的動態(tài)分析RB+UCC
+
uO
-
+
ui
-C1C2++RE交流通路RB+UCC
+
uO
-
+
ui
-C1C2++RERE
+
Uo
-
+
Ui
-RBBEC共集放大電路的交流通路高等教育出版社462.共集放大電路的動態(tài)分析RB+UCC
+
uO
-
+
ui
-C1C2++RE交流通路RE
+
Uo
-
+
Ui
-RBBEC共集放大電路的交流通路
IbIo
Ii
Ib
+
Ui
-BrbeERE
+
Uo
-RBC+_RSUSRL共集放大電路的微變等效電路高等教育出版社472.共集放大電路的動態(tài)分析
IbIo
Ii
Ib
+
Ui
-BrbeERE
+
Uo
-RBC+_RSUSRL小大高等教育出版社RB1RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-CBC2++RB2RE+483.共基放大電路的動態(tài)分析共基放大電路的交流通路RB1RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-CBC2++RB2RE+C1交流通路IiRERC
+
Uo
-
+
Ui
-IoBEC高等教育出版社493.共基放大電路的動態(tài)分析共基放大電路的交流通路RB1RC+UCC
+
uo
-
+
ui
-CBC2++RB2RE+C1交流通路IiRERC
+
Uo
-
+
Ui
-IoBEC
IbIiRERC
+
Uo
-
+
Ui
-IoBECrbe
β
Ib+_RSUSRL共基放大電路的微變等效電路高等教育出版社503.共基放大電路的動態(tài)分析
IbIiRERC
+
Uo
-
+
Ui
-IoBECrbe
β
Ib+_RSUSRL小高等教育出版社519.7
場效晶體管一、基本結(jié)構(gòu)SiO2NMOS管PMOS管源極漏極SD鋁片柵極
GBP型硅襯底
N+N+BN型硅襯底
P+P+源極柵極漏極SGD高等教育出版社52P型硅襯底
N+N+BSGD二、基本類型按導(dǎo)電溝道的不同分為:
N型溝道MOS管—NMOS管
P型溝道MOS管—PMOS管N型硅襯底
P+P+BSGDNMOS管PMOS管導(dǎo)電溝道++++高等教育出版社53按導(dǎo)電溝道形成的不同分為:
增強(qiáng)型—簡稱E型耗盡型—簡稱D型場效應(yīng)管的圖形符號:GE型
NMOSSDBGE型
PMOSSDBD型
NMOSSDGBD型
PMOSSDGB高等教育出版社54三、工作原理形成反型層導(dǎo)電溝道的條件是:
E型NMOS管UGS>UGS(th)>0E型PMOS管UGS<UGS(th)<0D型NMOS管UGS>UGS(0ff)<0D型PMOS管UGS<UGS(off)>0
總之,改變UGS
,可以改變導(dǎo)通溝道的厚度和形狀,從而實(shí)現(xiàn)控制ID。高等教育出版社55四、特性曲線耗盡型NMOS管UGSIDUGS(off)O增強(qiáng)型NMOS管UGSIDUGS(th)O轉(zhuǎn)移特性漏極特性UDSIDUGS=+UGS=+UGS=+OUDSIDUGS=0UGS=+UGS=-O高等教育出版社56耗盡型PMOS管增強(qiáng)型PMOS管轉(zhuǎn)移特性漏極特性UGS(th)OIDUGSUGS(off)OIDUGSIDOUDSUGS=-
UGS
=-UGS=-OUDSUGS=+
UGS
=0UGS=-ID高等教育出版社57*9.8場效晶體管基本放大電路一、增強(qiáng)型MOS管共源放大電路DRG1RD+UDD
+
uo
-
+
ui
-C1C2RG2RSRGGS1.靜態(tài)時RG2RG1+RG2
UG=UDD
當(dāng)UGS>UGS(th)時,才能建立反型層溝道。
ID=
ISUGS=UG-RSISUD=
UDD-RDID分壓偏置共源放大電路高等教育出版社582.動態(tài)時uo=-idRD
uG=UG+uiuD=UDD-iDRDuGS=UGS+
ugsiD=ID+iduGSuGOuit
iDuDt
uoOt
UGOUGStOt
UDOt
IDO電壓電流波形高等教育出版社59
只要UGS>UGS(off),導(dǎo)電溝道就不會消失。
IG=01.靜態(tài)時
uGS=-RSIS2.動態(tài)時與增強(qiáng)型一樣。二、耗盡型MOS管共源放大電路RD+UDD
+
uO
-
+
ui
-C1C2RGRSGDS自給偏置共源放大電路高等教育出版社609.9多級放大電路
級間耦合方式
阻容耦合、直接耦合、變壓器耦合。一、阻容耦合1.靜態(tài)分析
前、后兩級靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立,互不影響。RB1RC
+
ui
-C1C2++RB2RE1CE+RB3+UCC
+
uo
-C3+RE2高等教育出版社612.動態(tài)分析⑴Au=Au1×Au2
,其中:RL1=ri2,
RL1′=RC∥ri2。
阻容耦合放大電路,只能放大交流信號,無法傳遞直流信號。RB1RC
+
ui
-C1C2++RB2RE1CE+RB3+UCC
+
uo
-C3+RE2⑵ri=ri1⑶ro=ro2
高等教育出版社621.靜態(tài)分析前后級靜態(tài)工作點(diǎn)相互影響,相互制約。二、直接耦合RB1RC
+
ui
-C1+RB2RE1RB3+UCC
+
uo
-RE22.動態(tài)分析
方法同阻容放大電路;交、直流信號均可放大。3.零點(diǎn)漂移輸入端無輸入信號時,輸出端的電壓會偏離初始值而上下漂動。零漂嚴(yán)重時會使放大電路無法正常工作!高等教育出版社63[例9.9.1]如圖所示放大電路,已知RB1
=33k,RB2
=RB3
=10k,RC=2k,RE1
=RE2
=1.5k,兩晶體管的1=2=60,rbe1
=rbe2
=0.6k。求總電壓放大倍數(shù)。RL1
=ri2
[解]第一級為共射放大電路,其負(fù)載電阻即為第二級的輸入電阻。=RB3∥[rbe2+(1+2)RE2]RB1RC
+
ui
-C1C2++RB2RE1CE+RB3+UCC
+
uo
-C3+RE2高等教育出版社64=k10×[0.6×(1+60)×1.5]10+[0.6×(1+60)×1.5]=8.46k=k2×103×8.46×1032×103+8.46×103=1.62kAu1
=-
1RL1
rbe′1.620.6=-60×
=-162
第二級為共集放大電路,可取Au
=1,Au
=Au1×Au2=-162×1
=-162
RL1=RC∥RL1′RL1=RB3∥[rbe2+(1+2)RE2][解]高等教育出版社659.10差分放大電路
IC1=IC2
UC1=UC2Uo
=UC1-UC2
=0一、工作原理1.靜態(tài)時
ui1=ui2
=0
RC+UCC
+uo-
+
ui1
-RERC
+
ui2
--UEET1T2基本差分放大電路高等教育出版社66(1)
共模輸入信號
ui1=ui2
uc1=uc2
uo=uc1-uc2
=0
對共模信號無放大作用;即Ac=0。
2.動態(tài)時
RE抑制零點(diǎn)漂移的過程T↑iRE↑→uRE↑
→iB1↓→iB2↓↓↓iC1↑
iC2↑uBE↑
uBE↑基本差分放大電路RC+UCC
+uo-
+
ui1
-RERC
+
ui2
--UEET1T2高等教育出版社67(2)差模輸入信號
ui1=ui2
uc1=
uc2
uo=uc1
uc2=2uc1對差模信號有放大作用,即Ad≠0。
Ad
AcKCMR=
共模抑制比:基本差分放大電路RC+UCC
+uo-
+
ui1
-RERC
+
ui2
--UEET1T2高等教育出版社68RC+UCC
uo
u
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