GB/T 29420-2012摻釹釩酸鹽激光單晶元件

ICS17180

A60.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29420—2012

摻釹釩酸鹽激光單晶元件

Nd-dopedvanadatelasercrystaldevices

2012-12-31發(fā)布2013-08-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T29420—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給定的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)建筑材料聯(lián)合會(huì)提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)人工晶體標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC461)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所國(guó)家光電子晶體材料工程技術(shù)研究中心福建

:、、

福晶科技股份有限公司中國(guó)計(jì)量學(xué)院材料與工程學(xué)院

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人蘭國(guó)政吳少凡林文雄王昌運(yùn)張劍虹李雄史宏聲秦來(lái)順

:、、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)為首次制定

。

Ⅰ

GB/T29420—2012

摻釹釩酸鹽激光單晶元件

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了摻釹釩酸鹽激光單晶元件的術(shù)語(yǔ)和定義技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則及包裝標(biāo)

、、、、

識(shí)運(yùn)輸貯存等過(guò)程的要求

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于摻釹釩酸鹽激光單晶元件其他種類的激光單晶元件也可參照使用

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

激光棒波前畸變的測(cè)量方法

GB/T11297.1—2002

光學(xué)表面激光損傷閾值測(cè)試方法第部分對(duì)測(cè)試

GB/T16601—19961:11

硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用技術(shù)條件

GB/T22452—2008

硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件質(zhì)量測(cè)試方法

GB/T22453—2008

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T22452—2008。

31

.

摻釹釩酸釔Nd-dopedyttriumvanadate

一種摻釹的釩酸釔激光單晶以及其加工而成的元件

。

32

.

不垂直度nonperpendicularity

單晶元件通光面與側(cè)面之間的不垂直程度

。

33

.

光學(xué)不均勻性opticalheterogenity

介質(zhì)折射率的不均勻程度

。

34

.

透射波前畸變transmittedwavefrontdistortion

平行光束的波面透過(guò)被檢單晶元件后相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)參考波面的畸變

。

4技術(shù)要求

41物理性能

.

411散射

..

在波長(zhǎng)為的氦氖激光照射下單晶元件單位體積3內(nèi)直徑大于的散射點(diǎn)不得