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微處理器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)第五章存儲(chǔ)器系統(tǒng)5.1存儲(chǔ)器件的分類5.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片5.3存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)
存儲(chǔ)系統(tǒng)的分層管理
地址映射技術(shù)
3.
現(xiàn)代計(jì)算機(jī)的多級(jí)存儲(chǔ)體系
5.4主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)
存儲(chǔ)芯片選型存儲(chǔ)芯片的組織形式地址譯碼技術(shù)
存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)決定芯片片選信號(hào)的實(shí)現(xiàn)兩級(jí)譯碼;全譯碼、部分譯碼、線譯碼;固定、可變存儲(chǔ)介質(zhì)(存儲(chǔ)原理)、讀寫策略(存取方式)容量擴(kuò)展;基本結(jié)構(gòu)(RAM、ROM)、性能指標(biāo)并行、多端口、聯(lián)想(改善主存的訪問(wèn)速度和吞吐量)2023/2/42/545.1.1不同的存儲(chǔ)原理雙極型:
MOS型掩膜ROM一次性可編程PROM紫外線可擦除EPROM電可擦除E2PROM快閃存儲(chǔ)器FLASH易失性存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器靜態(tài)SRAM動(dòng)態(tài)DRAM存取速度快,但集成度低,一般用于大型計(jì)算機(jī)或高速微機(jī)的Cache;速度較快,集成度較低,一般用于對(duì)速度要求高、而容量不大的場(chǎng)合(Cache)集成度較高但存取速度較低,一般用于需較大容量的場(chǎng)合(主存)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器磁介質(zhì)存儲(chǔ)器磁帶、軟磁盤、硬磁盤(DA、RAID)光介質(zhì)存儲(chǔ)器只讀型、一次寫入型、多次寫入型2023/2/43/545.1.2不同的讀寫策略數(shù)據(jù)訪問(wèn)方式并行存儲(chǔ)器(ParallelMemory)串行存儲(chǔ)器
(SerialMemory)數(shù)據(jù)存取順序隨機(jī)存取(直接存?。┛砂吹刂冯S機(jī)訪問(wèn);訪問(wèn)時(shí)間與地址無(wú)關(guān);順序存取
(先進(jìn)先出)FIFO、隊(duì)列(queue)堆棧存儲(chǔ)先進(jìn)后出(FILO)/后進(jìn)先出(LIFO);向下生成和向上生成;實(shí)棧頂SS、堆棧指針SP;2023/2/44/54堆棧的生成方式2023/2/45/54堆棧建立與操作示例堆棧段起始地址棧底及初始棧頂(a)向下生成堆棧的建立及初始化(b)入棧操作(實(shí)棧頂)(c)出棧操作(實(shí)棧頂)
地址存儲(chǔ)單元10200H10202H10204H10206H10208H1020AH1020CH……10230H0011
SS1020SP初值
0030棧頂PUSHAX1234PUSHBX1AB110200H10202H10204H10206H10208H……1022CH1022EH10230H0011
SS1020SP0030棧底堆棧段起始地址12341AB1002E002CPOPAXPOPBX10200H10202H10204H10206H10208H……1022CH1AB11022EH123410230H0011
SS1020
SP002C(棧底)堆棧段起始地址002E0030
1AB1
12346/422023/2/46/545.2.1靜態(tài)RAM的六管基本存儲(chǔ)單元集成度低,但速度快,價(jià)格高,常用做Cache。T1和T2組成一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,用于保存數(shù)據(jù)。T3和T4為負(fù)載管。如A點(diǎn)為數(shù)據(jù)D,則B點(diǎn)為數(shù)據(jù)/D。T1T2ABT3T4+5VT5T6行選擇線有效(高電平)時(shí),A、B處的數(shù)據(jù)信息通過(guò)門控管T5和T6送至C、D點(diǎn)。行選擇線CD列選擇線T7T8I/OI/O列選擇線有效(高電平)時(shí),C、D處的數(shù)據(jù)信息通過(guò)門控管T7和T8送至芯片的數(shù)據(jù)引腳I/O。2023/2/47/54動(dòng)態(tài)RAM的單管基本存儲(chǔ)單元集成度高,但速度較慢,價(jià)格低,一般用作主存。行選擇線T1B存儲(chǔ)電容CA列選擇線T2I/O電容上存有電荷時(shí),表示存儲(chǔ)數(shù)據(jù)A為邏輯1;行選擇線有效時(shí),數(shù)據(jù)通過(guò)T1送至B處;列選擇線有效時(shí),數(shù)據(jù)通過(guò)T2送至芯片的數(shù)據(jù)引腳I/O;為防止存儲(chǔ)電容C放電導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失,必須定時(shí)進(jìn)行刷新;動(dòng)態(tài)刷新時(shí)行選擇線有效,而列選擇線無(wú)效。(刷新是逐行進(jìn)行的。)刷新放大器2023/2/48/54讀寫控制邏輯R/WCE數(shù)據(jù)緩沖器(三態(tài)雙向)d0d1dN-1…D0D1DN-1…RAM芯片的組成與結(jié)構(gòu)(一)該RAM芯片外部共有地址線L根,數(shù)據(jù)線N根;該類芯片內(nèi)部采用單譯碼(字譯碼)方式,基本存儲(chǔ)單元排列成M*N的長(zhǎng)方矩陣,且有M=2L的關(guān)系成立;字線0字線M-10,00,N-1M-1,0M-1,N-1……………地址譯碼器a0a1aM-1……A0A1AL-1地址寄存器……D0DN-1位線0位線N-1存儲(chǔ)芯片容量標(biāo)為“M*N”(bit)D0DN-1地址線數(shù)據(jù)線控制線2023/2/49/54RAM芯片的組成與結(jié)構(gòu)(二)該RAM芯片外部共有地址線2n根,數(shù)據(jù)線1根;該類芯片內(nèi)部一般采用雙譯碼(復(fù)合譯碼、重合選擇)方式,基本存儲(chǔ)單元排列成N*N的正方矩陣,且有M=22n=N2
的關(guān)系成立;0,00,N-1N-1,0N-1,N-1………D0D0DN-1DN-1…Y0YN-1Y地址譯碼器Y地址寄存器……AnAn+1A2n-1X地址譯碼器X0X1XN-1……A0A1An-1X地址寄存器…DD數(shù)據(jù)緩沖器(三態(tài)雙向)D0讀寫控制存儲(chǔ)芯片容量標(biāo)為“M*1”(bit)數(shù)據(jù)線控制線地址線2023/2/410/54靜態(tài)RAM芯片的引腳特性從三總線的角度看:1.地址線數(shù)目A、數(shù)據(jù)線數(shù)目D與芯片容量(M×N)直接相關(guān):2A=MD=N2.控制信號(hào)應(yīng)包括:片選信號(hào)和讀/寫信號(hào)所以,6264容量:
213×8=8K×8可見6264為RAM芯片711/422023/2/411/54產(chǎn)品出廠時(shí)存的全是1,用戶可一次性寫入,即把某些1改為0。但只能一次編程。
存儲(chǔ)單元多采用熔絲-低熔點(diǎn)金屬或多晶硅。寫入時(shí)設(shè)法在熔絲上通入較大的電流將熔絲燒斷。編程時(shí)VCC和字線電壓提高可編程只讀存儲(chǔ)器PROM2023/2/412/54紫外線可擦除ROM(UVEPROM)擦除:用紫外線或X射線擦除。需20~30分鐘。缺點(diǎn):需要兩個(gè)MOS管;編程電壓偏高;P溝道管的開關(guān)速度低。
浮柵上電荷可長(zhǎng)期保存在125℃環(huán)境溫度下,70%的電荷能保存10年以上。2023/2/413/54寫入(寫0)擦除(寫1)讀出
特點(diǎn):擦除和寫入均利用隧道效應(yīng)。浮柵與漏區(qū)間的氧化物層極薄(20納米以下),稱為隧道區(qū)。當(dāng)隧道區(qū)電場(chǎng)大于107V/cm時(shí)隧道區(qū)雙向?qū)?。電可擦除的ROM(EEPROM)2023/2/414/54快閃存儲(chǔ)器(FlashMemory)
(1)寫入利用雪崩注入法。源極接地;漏極接6V;控制柵12V脈沖,寬10s。
(2)擦除用隧道效應(yīng)??刂茤沤拥兀辉礃O接12V脈沖,寬為100ms。因?yàn)槠瑑?nèi)所有疊柵管的源極都連在一起,所以一個(gè)脈沖就可擦除全部單元。
(3)讀出:源極接地,字線為5V邏輯高電平。2023/2/415/54半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的主要技術(shù)指標(biāo)存儲(chǔ)容量存取速度功耗可靠性工作電源電壓、工作溫度范圍、可編程存儲(chǔ)器的編程次數(shù)、成本
注意存儲(chǔ)器的容量以字節(jié)(B)為單位,而存儲(chǔ)芯片的容量以位(b)為單位。
即存取時(shí)間,以ns為單位,也可用存取時(shí)間Ta、存取周期Tm和存儲(chǔ)器帶寬Bm等表示??捎闷骄收祥g隔時(shí)間來(lái)衡量以mW/芯片或μW/單元為單位2023/2/416/54存儲(chǔ)容量單位1kilobyteKB=1000(103)Byte1megabyteMB=1000000(106)Byte1gigabyteGB=1000000000(109)Byte1terabyteTB=1000000000000(1012)Byte1petabytePB=1000000000000000(1015)Byte1exabyteEB=1000000000000000000(1018)Byte1zettabyteZB=1000000000000000000000(1021)Byte1yottabyteYB=1000000000000000000000000(1024)Byte1nonabyteNB=1000000000000000000000000000(1027)Byte1doggabyteDB=1000000000000000000000000000000(1030)Byte
23.32=10210220230……2023/2/417/54存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)的核心部件之一。如何以合理的價(jià)格搭建出容量和速度都滿足要求的存儲(chǔ)系統(tǒng),始終是計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵問(wèn)題之一?,F(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)通常把不同容量、不同速度的存儲(chǔ)設(shè)備按一定的體系結(jié)構(gòu)組織起來(lái),以解決存儲(chǔ)容量、存取速度和價(jià)格之間的矛盾。存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)5.3存儲(chǔ)器分層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)目標(biāo)整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)速度接近M1而價(jià)格和容量接近Mn二.操作策略映像規(guī)則:用于確定一個(gè)新的塊(頁(yè))被調(diào)入本級(jí)存儲(chǔ)器時(shí)應(yīng)放在什么位置上。查找規(guī)則:用于確定需要的塊(頁(yè))是否存在本級(jí)存儲(chǔ)器中以及如何查找。替換規(guī)則:用于確定本級(jí)存儲(chǔ)器不命中且已滿時(shí)應(yīng)替換哪一塊(頁(yè))。寫規(guī)則:用于確定寫數(shù)據(jù)時(shí)應(yīng)進(jìn)行的操作。2023/2/419/54分段與分頁(yè)技術(shù)分段存儲(chǔ)器的分段管理;由多個(gè)寄存器表示訪問(wèn)的實(shí)際地址;邏輯地址(段基址:段內(nèi)偏移)物理地址;分頁(yè)
虛擬存儲(chǔ)器的分頁(yè)管理;頁(yè)號(hào)與頁(yè)內(nèi)地址結(jié)合表示訪問(wèn)的實(shí)際地址;邏輯地址(頁(yè)基址:頁(yè)內(nèi)偏移)物理地址;2023/2/420/54存儲(chǔ)器的地址映射
地址映射也叫地址重定位,指將用戶程序中的邏輯地址,轉(zhuǎn)換為運(yùn)行時(shí)機(jī)器可直接尋址的物理地址。有效地址、虛擬地址分頁(yè)技術(shù)頁(yè)是信息的物理單位,與源程序的邏輯結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān);頁(yè)長(zhǎng)由系統(tǒng)確定,大小固定,用戶不可見;頁(yè)面只能以頁(yè)大小的整倍數(shù)地址開始,頁(yè)一般不能共享;分段技術(shù)
段是信息的邏輯單位,由源程序的邏輯結(jié)構(gòu)所決定;段長(zhǎng)由用戶確定(用戶可見),大小不固定;
段可從任意地址開始,段內(nèi)連續(xù)編址,段間不一定連續(xù);2023/2/421/54虛擬地址———————>物理地址MMU地址映射表程序空間、邏輯地址空間實(shí)存空間、硬件地址空間分頁(yè)映射分頁(yè)技術(shù):頁(yè)的大小固定;虛擬地址到物理地址;分段技術(shù):
段的大小可變;邏輯地址到物理地址;現(xiàn)代計(jì)算機(jī)的四級(jí)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu):寄存器+Cache+主存+輔存CPU內(nèi)部高速電子線路(如觸發(fā)器)一級(jí):在CPU內(nèi)部二級(jí):在CPU外部一般為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM。一般為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,也稱為短期存儲(chǔ)器;解決讀寫速度問(wèn)題;包括磁盤(中期存儲(chǔ)器)、磁帶、光盤(長(zhǎng)期存儲(chǔ))等;解決存儲(chǔ)容量問(wèn)題;其中:cache-主存結(jié)構(gòu)解決高速度與低成本的矛盾;主存-輔存結(jié)構(gòu)利用虛擬存儲(chǔ)器解決大容量與低成本的矛盾;2023/2/424/54現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中的多級(jí)存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)寄存器組特點(diǎn):讀寫速度快但數(shù)量較少;其數(shù)量、長(zhǎng)度以及使用方法會(huì)影響指令集的設(shè)計(jì)。組成:一組彼此獨(dú)立的Reg,或小規(guī)模半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。RISC:設(shè)置較多Reg,并依靠編譯器來(lái)使其使用最大化。Cache高速小容量(幾十千到幾兆字節(jié));借助硬件管理對(duì)程序員透明;命中率與失效率;主(內(nèi))存編址方式:字節(jié)編址信息存放方式:大/小端系統(tǒng)、對(duì)齊方式輔(外)存信息以文件(file)的形式存放,按塊為單位進(jìn)行存取。虛擬存儲(chǔ)技術(shù)2023/2/427/54Cache技術(shù)和虛擬存儲(chǔ)器技術(shù)相同點(diǎn):以存儲(chǔ)器訪問(wèn)的局部性為基礎(chǔ);采用的調(diào)度策略類似;對(duì)用戶都是透明的;不同點(diǎn):劃分的信息塊的長(zhǎng)度不同;Cache技術(shù)由硬件實(shí)現(xiàn),而虛擬存儲(chǔ)器由OS的存儲(chǔ)管理軟件輔助硬件實(shí)現(xiàn);28/42Cache塊:8~64字節(jié)虛擬存儲(chǔ)器塊:512~幾十K個(gè)字節(jié)2023/2/428/54cache的功效設(shè)cache的存取時(shí)間為tc,命中率為h,主存的存取時(shí)間為tm,則平均存取時(shí)間:ta=tc×h+(tc+tm)×(1-h)。【例5.1】某微機(jī)存儲(chǔ)器系統(tǒng)由一級(jí)cache和主存組成。已知主存的存取時(shí)間為80ns,cache的存取時(shí)間為6ns,cache的命中率為85%,試求該存儲(chǔ)系統(tǒng)的平均存取時(shí)間。ta=6ns×85%+86ns×(1-85%)=5.1+12.9=18nscache的命中率與cache的大小、替換算法、程序特性等因素有關(guān)。cache未命中時(shí)CPU還需要訪問(wèn)主存,這時(shí)反而延長(zhǎng)了存取時(shí)間。
2023/2/429/54大/小端模式:多字節(jié)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)2023/2/430/54對(duì)齊方式:
不同寬度數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)方式按整數(shù)邊界對(duì)齊存儲(chǔ)可以保證訪存指令的速度按任意邊界對(duì)齊存儲(chǔ)可以保證存儲(chǔ)空間的利用2023/2/431/545.4存儲(chǔ)器設(shè)計(jì):存儲(chǔ)芯片的選擇
確定類型根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)合的特點(diǎn)確定采用何種類型的芯片,如考慮選用SRAM還是DRAM,是否需要E2PROM、FLASH等等;確定具體型號(hào)及數(shù)量根據(jù)容量、價(jià)格、速度、功耗等要求確定芯片的具體型號(hào)和數(shù)量思考:若要求擴(kuò)展64K容量的內(nèi)存,以下幾種選擇哪種最優(yōu)?
64K*1的芯片數(shù)量N=(64K*8)/(64K*1)=1*8片;8K*8的芯片數(shù)量N=(64K*8)/(8K*8)=8*1片;
16K*4的芯片數(shù)量N=(64K*8)/(16K*4)=4*2片;
顯然,芯片的種類和數(shù)量應(yīng)越少越好;在芯片數(shù)量相同的情況下應(yīng)考慮總線的負(fù)載能力和系統(tǒng)連接的復(fù)雜性。從總線負(fù)載和系統(tǒng)連接來(lái)看,第一種選擇較好。32/422023/2/432/54內(nèi)(主)存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)體
進(jìn)行位擴(kuò)展以實(shí)現(xiàn)按字節(jié)編址的結(jié)構(gòu)
進(jìn)行字?jǐn)U展以滿足總?cè)萘康囊蟠鎯?chǔ)體、地址譯碼、數(shù)據(jù)緩沖和讀寫控制
位擴(kuò)展:因每個(gè)字的位數(shù)不夠而擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出線的數(shù)目;
字?jǐn)U展:因總的字?jǐn)?shù)不夠而擴(kuò)展地址輸入線的數(shù)目,所以也稱
為地址擴(kuò)展;并行存儲(chǔ)器、多端口存儲(chǔ)器、相聯(lián)存儲(chǔ)器等2023/2/433/54存儲(chǔ)芯片的位擴(kuò)展⑧64K*1I/O⑦64K*1I/O⑥64K*1I/O⑤64K*1I/O④64K*1I/O③64K*1I/O②64K*1I/O①64K*1I/OA0~A15R/WCSD0D7…等效為64K*8A0~A15D0~D7R/WCS用64K×1bit的芯片擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)64KB存儲(chǔ)器
進(jìn)行位擴(kuò)展時(shí),模塊中所有芯片的地址線和控制線互連形成整個(gè)模塊的地址線和控制線,而各芯片的數(shù)據(jù)線并列(位線擴(kuò)展)形成整個(gè)模塊的數(shù)據(jù)線(8bit寬度)。
34/422023/2/434/54存儲(chǔ)芯片的字?jǐn)U展用8K×8bit的芯片擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)64KB存儲(chǔ)器64K*8A0~A15D0~D7R/WCS等效為A0~A12R/WD0~D7⑧64K*1D0~7⑦64K*1D0~7⑥64K*1D0~7⑤64K*1D0~7④64K*1D0~7③64K*1D0~7②64K*1D0~7CS1①8K*8D0~7CS3-8譯碼器Y0Y1Y7………A13
A14
A15
進(jìn)行字?jǐn)U展時(shí),模塊中所有芯片的地址線、控制線和數(shù)據(jù)線互連形成整個(gè)模塊的低位地址線、控制線和數(shù)據(jù)線
,CPU的高位地址線(擴(kuò)展的字線)被用來(lái)譯碼以形成對(duì)各個(gè)芯片的選擇線——片選線。
2023/2/435/54存儲(chǔ)芯片的字、位同時(shí)擴(kuò)展用16K×4bit的芯片擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)64KB存儲(chǔ)器16K*416K*4A0~A13R/WD0~D3D4~D72-4譯碼器A15A14CS64K*8A0~A15D0~D7R/WCS等效為16K*416K*416K*416K*416K*416K*4
首先對(duì)芯片分組進(jìn)行位擴(kuò)展,以實(shí)現(xiàn)按字節(jié)編址;
其次設(shè)計(jì)個(gè)芯片組的片選進(jìn)行字?jǐn)U展,以滿足容量要求;2023/2/436/54并行
存儲(chǔ)器4體交叉存儲(chǔ)器2023/2/438/54在下圖所示的低位多體交叉存儲(chǔ)器中,若處理器要訪問(wèn)的字地址為以下十進(jìn)制數(shù)值,試問(wèn)該存儲(chǔ)器比單體存儲(chǔ)器的平均訪問(wèn)速率提高多少(忽略初啟時(shí)的延時(shí))?(a)1,2,3,4,…,100(b)2,4,6,8,…,200(c)3,6,9,12,…,3002023/2/439/54(a)4個(gè)存儲(chǔ)體訪問(wèn)可以交叉進(jìn)行,訪問(wèn)速率可達(dá)到單體存儲(chǔ)器的4倍。(b)2個(gè)存儲(chǔ)體訪問(wèn)可以交叉進(jìn)行,訪問(wèn)速率可達(dá)到單體存儲(chǔ)器的2倍。(c)4個(gè)存儲(chǔ)體訪問(wèn)可以交叉進(jìn)行,訪問(wèn)速率可達(dá)到單體存儲(chǔ)器的4倍。雙端口存儲(chǔ)器相聯(lián)(聯(lián)想)存儲(chǔ)器地址譯碼技術(shù):兩級(jí)物理地址譯碼方案讀/寫控制信號(hào)、數(shù)據(jù)寬度指示信號(hào)、傳送方式指示信號(hào),等2023/2/442/54假設(shè)某系統(tǒng)地址總線寬度為20bit,現(xiàn)需要將0C0000H~0CFFFFH地址范圍劃分為8個(gè)同樣大小的地址空間,提供給總線上的8個(gè)模塊,試設(shè)計(jì)相應(yīng)的譯碼電路。全譯碼電路的實(shí)現(xiàn)部分譯碼方式
最高段地址不參與譯碼,將會(huì)因此存在地址重疊,且模塊地址不連續(xù)。45/422023/2/445/54線譯碼方式需較多選擇線,且同樣存在地址重疊,且模塊地址不連續(xù)。思考:試寫出各芯片占用的地址空間。2023/2/446/5474LS1383-8譯碼器218HAY0BY1CY2G1Y3Y4G2AY5Y6G2BY700010&A3A4A5+5VA6A7A8A9AENIORIOW&端口譯碼電路練習(xí):分析圖中74LS138各輸出端的譯碼地址范圍。2023/2/447/54三種譯碼方式的比較全譯碼
系統(tǒng)所有地址線全部都應(yīng)該參與譯碼:低段地址線應(yīng)直接接在模塊上,尋址模塊內(nèi)單元;中段地址線譯碼后產(chǎn)生片選信號(hào)區(qū)分不同模塊;高段地址線可用作片選信號(hào)有效的使能控制;部分譯碼
高段地址信號(hào)不參與譯碼,會(huì)造成地址空間的重疊及不連續(xù)。線譯碼
電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但系統(tǒng)必須保證參與片選的地址線不能同時(shí)為有效電平;同部分譯碼法一樣,因?yàn)橛械刂沸盘?hào)不參與譯碼,也存在地址重疊及不連續(xù)的問(wèn)題;2023/2/448/54設(shè)計(jì)一個(gè)地址譯碼電路,要求每個(gè)模塊內(nèi)占用地址數(shù)為4,模塊地址在1000H~13DFH范圍內(nèi)可選49/42*2023/2/449/54
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