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擴散理論與熱電子發(fā)射理論擴散理論熱電子發(fā)射理論JSD

隨外加電壓變化對溫度敏感不如JSTJST

與外加電壓無關對溫度很敏感xd>>lnxd<<ln擴散理論與熱電子發(fā)射理論擴散模型熱發(fā)射模型載流子的熱運動速度。高能電子直接越過勢壘的“發(fā)射”反映晶體內部輸運（擴散運動）“阻力”的大小。準費米能級的變化導致的多子擴散電流。一般情形：擴散模型與熱發(fā)射模型的結合（1）準費米能級的下降，驅動電子向界面擴散；（2）界面附近半導體與金屬功函數(shù)的差值，促使電子由半導體向金屬內部發(fā)射作業(yè)題在擴散模型中，利用

證明，其中EM為金半接觸中的最大場強，并證明2.證明熱發(fā)射模型中，其中為熱運動平均速度，金屬接觸和表面態(tài)導致阻擋層的形成，擴散理論和熱電子發(fā)射理論解釋了其整流特性。但實際發(fā)現(xiàn)：高阻方向電流隨電壓的增加更顯著，低阻方向電流的增加沒有理論預測的陡峭。引入鏡像力和隧道效應的影響進行修正0.010.1I(mA)00.40.60.80.2實際理論V(v)Ge檢波器的反向特性在金屬－真空系統(tǒng)中，一個在金屬外面的電子，要在金屬表面感應出正電荷，電子也受到感應的正電荷的吸引如負電荷距離金屬表面為x，則它與感應出的金屬表面的正電荷之間的吸引力，相當于在-x處有個等量的正電荷之間的作用力，即鏡像力把電子從x點移到無窮遠,電場力做的功，附加勢能：真空中，鏡像力為：對于金-半接觸勢壘中的電子，附加勢能為：取勢能零點在EFm，電子的勢能為：鏡像勢能EF鏡像力對勢壘的影響①平衡時即沒有加電壓時當電子所受到的電場力=鏡像力時，電子勢能在Xm處出現(xiàn)極大值。得到：鏡像力使得勢壘頂向內移動，并且引起勢壘的高度減低，用表示。一般xd0>>xm：qfD鏡像勢能EF鏡像力對勢壘的影響②外加電壓時勢壘極大值的位置為：鏡像力引入的勢壘與qφns

相比很小，勢壘高度-qV(xm)。所以：鏡像勢能EF又2xmxd>>x2m近似采用平衡時的結果鏡像勢能EF∴xd當反向電壓|V|＞＞VD時，鏡像力的作用明顯！隧道效應：能量低于勢壘頂?shù)碾娮樱幸欢ǖ膸茁蚀┻^這個勢壘。決定隧道穿透幾率的兩個因素：（a）勢壘高度（b）隧道厚度簡化模型：勢壘厚度xd大于臨界值xc

，電子完全不能穿過；小于xc勢壘對電子完全透明,電子可以直接通過!xc如

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