干菲林培訓(xùn)講義

FTC干菲林流程培訓(xùn)講義培訓(xùn)人:高超柱一、流程定義D/F（dryfilm）又稱(chēng)干菲林、干膜制程、圖像轉(zhuǎn)移，它是將CAD/CAM制作的工作底片上的電路圖像，以干膜為載體，通過(guò)光化學(xué)作用轉(zhuǎn)移到設(shè)定的覆銅箔表面，形成一種具有抗電鍍或抗蝕的干膜圖像。

二、主要生產(chǎn)流程1、圖形電鍍-蝕刻流程：也稱(chēng)正片流程，目前我司絕大多數(shù)外層板采用之。它用保護(hù)性的抗電鍍材料（干膜）在已鍍通孔的覆銅箔板上形成負(fù)性圖像，經(jīng)過(guò)清潔、粗化等處理后，在其表面鍍銅及（或）電鍍金屬保護(hù)層（錫鉛、錫、金等），然后退除抗蝕層進(jìn)行蝕刻，便獲得所需導(dǎo)電圖形。主要流程：磨板→貼膜→靜置→對(duì)位、曝光（正片菲林）→靜置→顯影→執(zhí)漏→QC抽檢→圖形電鍍→蝕刻（堿性）→下工序二、主要生產(chǎn)流程注：流程示意圖如下：板面清潔機(jī)械鉆孔沉銅/板電貼膜電鍍銅錫/退膜蝕刻/退鉛錫二、主要生產(chǎn)流程2、掩孔-蝕刻流程：也稱(chēng)負(fù)片流程或FULLPANEL流程，目前我司部分外層板采用之。即用保護(hù)性的抗蝕材料（掩孔型干膜）在已鍍通孔并經(jīng)全板電鍍銅的覆銅箔基板上形成既蓋住鍍通孔又產(chǎn)生正性圖像，經(jīng)過(guò)蝕刻去掉未被干膜保護(hù)的導(dǎo)體銅，蝕刻完成后褪除干膜，便獲得所需要的導(dǎo)電圖形。主要流程：磨板→貼膜→靜置→對(duì)位、曝光（負(fù)片菲林）→靜置→顯影→執(zhí)漏→QC抽檢→蝕刻（酸性）→下工序二、主要生產(chǎn)流程注：流程示意圖如下：鉆孔/沉銅/板電貼膜曝光/顯影蝕刻/退膜三、流程簡(jiǎn)介1、磨板①、目的：去除基板表面氧化物、油污、指印及其他污染物，粗化銅面，以增大干膜與銅面的結(jié)合力。②、原理：將火山灰懸濁液噴射到板面上，用較軟的尼龍刷進(jìn)行擦刷，利用摩擦在板面形成完全砂粒化的粗糙均勻的多峰表面，從而減少滲鍍及甩膜的可能。③、流程：入板→酸洗→水洗→火山灰磨板→高壓水洗→烘干→出板注：目前我司使用的有325#火山灰和4#火山灰，325#火山灰顆粒大小為20um-30um，主要針對(duì)孔徑≤0.3mm的板和激光盲孔板，以防止火山灰塞孔。三、流程簡(jiǎn)介④、火山灰磨板示意圖：

火山灰噴射

尼龍刷

基板三、流程簡(jiǎn)介2、貼膜①、目的：在加熱的條件下將干膜抗鍍?nèi)軇┱迟N在基板上，為后續(xù)轉(zhuǎn)移圖象提供材料。②、原理：貼膜時(shí)先將聚苯乙烯保護(hù)膜剝離下，光致抗蝕劑層受熱后變軟，流動(dòng)性增加，借助熱壓轆的壓力和抗蝕劑中的粘結(jié)劑的作用將光致抗蝕劑層與基板銅面粘合。③、干膜的結(jié)構(gòu)：干膜由聚酯膜、光致抗蝕劑膜和聚苯乙烯保護(hù)膜三部分組成。三、流程簡(jiǎn)介注：干膜結(jié)構(gòu)示意圖：

隔膜層

感光阻劑層

蓋膜層

三、流程簡(jiǎn)介④、干膜的種類(lèi)：目前我司外層D/F使用的干膜主要有DF4015干膜（膜厚為1.5mil）、YQ50SD干膜（膜厚為2mil），另還有用于行Flashgold流程的板使用杜邦GPM220干膜（膜厚為2mil）。注：DF4015干膜用于普通錫板的生產(chǎn)，YQ50SD干膜主要用于成品線(xiàn)隙≤3.2mil的卡板，以防止圖形電鍍后出現(xiàn)夾菲林。三、流程簡(jiǎn)介⑤、光致抗蝕劑膜的主要成分及作用：A、粘結(jié)劑：作為光致抗蝕劑的成膜劑，使感光膠各組分粘結(jié)成膜，在光致聚合過(guò)程中不參與化學(xué)反應(yīng)。B、光聚合單體：它是光致抗蝕劑膜的主要成分，在光印發(fā)劑的存在下，經(jīng)紫外線(xiàn)照射，發(fā)生聚合反映，生成聚合物，感光部分不溶于顯影液，而未曝光部分可通過(guò)顯影除去，從而形成抗時(shí)圖像。C、光引劑：在紫外線(xiàn)的照射下，光引發(fā)劑吸收紫外線(xiàn)的能量產(chǎn)生游離基，而游離基進(jìn)一步印發(fā)聚合單體交聯(lián)。三、流程簡(jiǎn)介D、增塑劑：增加干膜的均勻性和柔韌性。E、熱阻聚劑：增加干膜光致抗蝕劑與銅面的結(jié)合力，防止因粘貼不牢引起的甩菲林、滲鍍。F、染料：為使干膜呈現(xiàn)的顏色易于檢查、修理、常用為藍(lán)色。三、流程簡(jiǎn)介3、曝光①目的：將菲林上的圖形經(jīng)曝光轉(zhuǎn)移到基板上。②原理：在紫外光的照射下，光引發(fā)劑吸收光能發(fā)生一系列的取合交聯(lián)反應(yīng)，形成不溶于稀堿溶液的體型大分子結(jié)構(gòu)。注：影響曝光成像質(zhì)量的因素除干膜光致抗蝕劑的本身性能外，還與曝光時(shí)間的控制、曝光機(jī)的光源選擇、照相底片的質(zhì)量等因素有關(guān)。三、流程簡(jiǎn)介③、干膜曝光前、后結(jié)構(gòu)發(fā)生的變化：A：干膜在曝光前的分子結(jié)構(gòu)鏈如下圖，可溶解于1%的碳酸納溶液(即顯影液)。三、流程簡(jiǎn)介B：曝光后干膜分子結(jié)構(gòu)為立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，如下圖，其不溶于1%碳酸納溶液。三、流程簡(jiǎn)介4、顯影①、目的：將未曝光的干膜溶解下來(lái)，露出基板的銅面，以便圖形電鍍時(shí)在露出的銅面上鍍銅，從而達(dá)到線(xiàn)路圖形轉(zhuǎn)移的目的。②、原理：顯影缸內(nèi)的噴咀將顯影液（Na2CO3的稀堿溶液）噴灑到板面，干膜中未曝光部分的活性基因—COOH與稀堿Na2CO3溶液中的Na+反應(yīng)生成水基因—COONa而溶液下來(lái)，而曝光部分得以保留，在電鍍過(guò)程中起到抗電鍍作用。四、常見(jiàn)問(wèn)題及處理方法1、干膜破孔（沖穿孔）解決方法：A、降低貼膜壓力、貼膜溫度；B、提高曝光能量，使干膜完全聚合；C、降低顯影、水洗壓力，減小藥水對(duì)干膜的攻擊；D、用更厚的干膜代替；E、減少孔邊披鋒。

四、常見(jiàn)問(wèn)題及處理方法2、曝光不良導(dǎo)致幼線(xiàn)或Open解決方法：A：檢查抽真空壓力是否達(dá)到690mmHg；B：曝光員擦氣操作是否符合要求（要求抽真空完成后趕氣四個(gè)來(lái)回）；C：檢查曝光能量是否過(guò)高；

D：檢查GⅡ的光密度是否符合要求（要求暗區(qū)Dmin≥4.0）。

四、常見(jiàn)問(wèn)題及處理方法3、顯影不凈解決方法：A：檢查曝光能量是否過(guò)高；B：曝光后的板要求在24小時(shí)內(nèi)沖完；C：檢查沖板機(jī)的噴嘴是否堵塞；D：檢查顯影機(jī)的沖板速度是否過(guò)快（45-55%）；E：檢查顯影液的溫度和濃度；F：檢查顯影機(jī)自動(dòng)加料系統(tǒng)是否正常；G：檢查磨板機(jī)烘干段溫度是否正常。四、常見(jiàn)問(wèn)題及處理方法4.滲鍍和甩菲林

解決方法：A：干膜的存儲(chǔ)環(huán)境須低于27℃，儲(chǔ)存時(shí)間不能超過(guò)有效期；

B：前處理的磨痕寬度需滿(mǎn)足10-15mm，且控制磨板速度；C：前處理烘干溫度滿(mǎn)足70-90℃；