標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 24577-2009 熱解吸氣相色譜法測(cè)定硅片表面的有機(jī)污染物》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用熱解吸-氣相色譜技術(shù)對(duì)硅片表面存在的微量有機(jī)污染物進(jìn)行定性和定量分析的方法。適用于半導(dǎo)體工業(yè)中高純度硅材料表面清潔度的檢測(cè)。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),首先需要準(zhǔn)備樣品,即待測(cè)的硅片。然后通過(guò)熱解吸裝置,在一定溫度下將硅片表面附著的有機(jī)物揮發(fā)出來(lái),并被載氣帶入氣相色譜儀中。氣相色譜儀內(nèi)部分離柱能夠根據(jù)不同化合物的物理化學(xué)性質(zhì)將其分離,隨后利用檢測(cè)器(如氫火焰離子化檢測(cè)器FID)識(shí)別并記錄各組分的信息?;诒A魰r(shí)間、峰面積等參數(shù)與已知標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)比較,實(shí)現(xiàn)目標(biāo)污染物的定性及定量分析。
整個(gè)過(guò)程中需要注意控制實(shí)驗(yàn)條件,包括但不限于加熱速率、最終解吸溫度以及氣流速度等因素,以確保結(jié)果準(zhǔn)確可靠。此外,還需定期校準(zhǔn)儀器,保證其處于最佳工作狀態(tài)。對(duì)于特定類型的有機(jī)污染物,可能還需要采取額外的前處理步驟或選擇合適的色譜柱和檢測(cè)器來(lái)提高靈敏度和分辨率。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2009-10-30 頒布
- 2010-06-01 實(shí)施
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GB/T 24577-2009熱解吸氣相色譜法測(cè)定硅片表面的有機(jī)污染物-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
犐犆犛29.045
犎80
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
犌犅/犜24577—2009
熱解吸氣相色譜法測(cè)定
硅片表面的有機(jī)污染物
犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱狊犳狅狉犪狀犪犾狔狕犻狀犵狅狉犵犪狀犻犮犮狅狀狋犪犿犻狀犪狀狋狊狅狀狊犻犾犻犮狅狀
狑犪犳犲狉狊狌狉犳犪犮犲狊犫狔狋犺犲狉犿犪犾犱犲狊狅狉狆狋犻狅狀犵犪狊犮犺狉狅犿犪狋狅犵狉犪狆犺狔
20091030發(fā)布20100601實(shí)施
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局
發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
書
犌犅/犜24577—2009
前言
本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF19821103《熱解吸附氣相色譜法評(píng)估硅片表面有機(jī)污染物的方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)SEMIMF19821103格式進(jìn)行了相應(yīng)調(diào)整。為了方便比較,在資料性附錄B中列出了本標(biāo)準(zhǔn)
章條和SEMIMF19821103章條對(duì)照一覽表。并對(duì)SEMIMF19821103條款的修改處用垂直單線標(biāo)
識(shí)在它們所涉及的條款的頁(yè)邊空白處。
本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF13890704相比,主要技術(shù)差異如下:
———去掉了“目的”、“關(guān)鍵詞”;
———將實(shí)際測(cè)試得到的單一試驗(yàn)室的精密度結(jié)果代替原標(biāo)準(zhǔn)中的精度和偏差部分,并將原標(biāo)準(zhǔn)中
的精度和偏差部分作為資料性附錄A。
本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A、附錄B為資料性附錄。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研
究所。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:王奕、褚連青、李靜。
Ⅰ
書
犌犅/犜24577—2009
熱解吸氣相色譜法測(cè)定
硅片表面的有機(jī)污染物
1范圍
1.1本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片表面的有機(jī)污染物的定性和定量方法,采用氣質(zhì)聯(lián)用儀或磷選擇檢測(cè)器或者兩
者同時(shí)采用。
1.2本標(biāo)準(zhǔn)描述了熱解吸氣相色譜儀(TDGC)以及有關(guān)樣品制備和分析的相關(guān)程序。
1.3本標(biāo)準(zhǔn)的檢測(cè)限范圍取決于被檢測(cè)的有機(jī)化合物,比如碳?xì)浠衔铮ǎ茫浮茫玻福┑臋z測(cè)范圍就是
10-12g/cm2~10-9g/cm2。
1.4本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片和有氧化層的硅片。
1.5本標(biāo)準(zhǔn)中包含了兩種方法。方法A適用于切割后的硅片,方法B則適用于完整的硅片。兩種方
法的不同點(diǎn)在第7部分中有詳細(xì)描述。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有
的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究
是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
ASTMD6196吸附劑的選擇和取樣/熱解吸分析程序檢測(cè)空氣中的揮發(fā)性有機(jī)物
3術(shù)語(yǔ)、定義和縮略語(yǔ)
下列術(shù)語(yǔ)和定義及縮略語(yǔ)適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
3.1術(shù)語(yǔ)和定義
3.1.1
空白晶片犫犾犪狀犽狑犪犳犲狉
一片經(jīng)過(guò)熱處理但未吸收任何有機(jī)污染物的硅片。
3.2縮略語(yǔ)
AED———atomicemissiondetector原子發(fā)射檢測(cè)器
C16———nhexadecane,nC16H34正十六烷
FID———flameionizationdetector火焰離子化檢測(cè)器
FPD———flamephotometricdetector火焰光度檢測(cè)器
GC———gaschromatography氣相色譜
MS———massspectrometer質(zhì)譜
NPD———nitrogen/phosphorusthermionicionizationdetector氮磷檢測(cè)器
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