GB/T 20516-2006半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件

ICS31.080.01L40中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T20516—2006/IEC60747-4:2001半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件Semiconductordevices-Discretedeyices-Part4:Microwavedevices（IEC60747-4:2001,IDT)2006-10-10發(fā)布2007-02-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局愛布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001三次前言第I篇總則引言2范圍文字符號(hào)第Ⅱ篇變?nèi)荻O管、階躍二極管和快速開關(guān)肖特基二極管第1節(jié)變?nèi)荻O管概述2術(shù)語(yǔ)和文字符號(hào)基本額定值和特性3側(cè)試方法第2節(jié)階躍二極管和肖特基二極管221術(shù)語(yǔ)和文字符號(hào)……221基本額定值和特性22測(cè)試方法………4_23第加篇混頻二極管和檢波二極管第1節(jié)雷達(dá)用混頻二極管概述……………….282術(shù)語(yǔ)和文字符號(hào)·293基本額定值和特性·4_30第2節(jié)通信用混頻二極管概述……422術(shù)語(yǔ)和文字符號(hào)………42基本額定值和特性342測(cè)試方法…43第3節(jié)檢波二極管（在考患中）

GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001第V篇雪崩二極管第1節(jié)雪崩二極管放大器1概述……442術(shù)語(yǔ)和文字符號(hào)…44基本額定值和特性·46第2節(jié)雪崩二極管振蕩器(在考慮中)第V篇體效應(yīng)二極管概述……….1482術(shù)語(yǔ)和文字符號(hào)·48基本額定值和特性·348測(cè)試方法…………448第篇雙極型晶體管(在考慮中）第山篇場(chǎng)效應(yīng)晶體管512術(shù)語(yǔ)和文字符號(hào)………3基本額定值和特性…53第加篇評(píng)價(jià)和可靠性特特殊要求電試驗(yàn)條件·652接收試驗(yàn)的判定失效的特性和失效判據(jù)……………可靠性試驗(yàn)的判定失效的特性和失效判據(jù)3試驗(yàn)出現(xiàn)差錯(cuò)時(shí)的程序…......65表1666表2附錄NA(資料性附錄）本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)IEC60747-4:2001所作的編輯性修改及其原因668

GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001本標(biāo)準(zhǔn)是半導(dǎo)體器件分分立器件系列國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之一。下面列出本系列已出版的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),以及代替的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T4589.1-2004半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范(IEC60747-10:1991.IDT.代替GB/T4589.1-1989)半導(dǎo)體器件GB/T12560-1999分立器件分規(guī)范（idtIEC60747-11:1985,代替GB/T12560—1990)-GB/T17573-1998分分立器件和集成電路華導(dǎo)體器件第1部分：總則(idtIEC60747-1:1983)GB/T4023-1997華導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分：整流二極管（eqvIEC60747-2：1983）分立器件GB/T6571-1995半導(dǎo)體器件第第3部分：信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管(idtIEC60747-3：1985）GB/T20516-2006半導(dǎo)體器件：分立器件：第4部分：微波器件(idtIEC60747-4:2001）-GB/T15291一1994半導(dǎo)體器件第6部分：晶閘管（eqvIEC60747-6：1991)GB/T4587—1994半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第7部分：雙極型品體管（eqvIEC60747-7:1988.代替GB/T4587-1984和GB/T6801-1986）GB/T6217—1998半導(dǎo)體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型品體管空白詳細(xì)規(guī)范(eqvIEC60747-7-1:1989.代替GB/T6217—1986)GGB/T7577—1996低頻放大管殼額定的雙極型品體管空白詳細(xì)規(guī)范(eqvIEC60747-7-2:1989.代替GB/T7577-1987）-B/T6218—1996開關(guān)用雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范（eqvIEC60747-7-3:1991,代替GB/T6216-1986)GB/T7576-1998半導(dǎo)體器件分分立器件第7部分：雙極型品體管第四篇高頻放大管殼額定雙極型品體管空白詳細(xì)規(guī)范(eqvIEC60747-7-4:1991,代替GB/T7576—1987）-GB/T4586—1994半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)品體管(eqvIEC60747-8:GB/T6219—1998半導(dǎo)體器件第一篇分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)品體管1GH5W以下單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范(eavIEC60747-8-1：1987.代替GB/T6219一1986）-GB/T15449—1995管殼額定開關(guān)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范(eqvIEC60747-8-3:1995)本標(biāo)準(zhǔn)等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-4:2001《半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件》1.2版（英文版）。本標(biāo)準(zhǔn)等同翻譯IEC60747-4:2001(英文版）由于IEC60747-4存在印刷錯(cuò)誤和疏漏，本標(biāo)準(zhǔn)在采用該國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)時(shí)進(jìn)行了編輯性修改，并在本標(biāo)準(zhǔn)附錄NA中給出了這些編輯性修改的一覽表.以供參考。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄NA為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部提出本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：黃玉英、金鎮(zhèn)銓。

GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件第I篇總則1引育本標(biāo)準(zhǔn)通常需要與GB/T17573—1998一起使用,在GB/T17573—1998中可找到關(guān)于以下各方面的基礎(chǔ)資料：術(shù)語(yǔ)：文字符號(hào)：基本額定值和特性；測(cè)試方法；接收和可靠性本標(biāo)準(zhǔn)各章的編排順序符合GB/T17573—1998第Ⅱ篇2.1的規(guī)定2范圍本標(biāo)準(zhǔn)給出了以下門類分立器件的標(biāo)準(zhǔn)：-變?nèi)荻O管、階躍二極管和快速開關(guān)肖特基二極管(用于調(diào)譜、上變頻器或譜波倍頻器、開關(guān)、限幅器、移相器、參量放大器等)混頻二極管和檢波二極管雪崩二極管(用于譜波發(fā)生器、放大器等)體效應(yīng)二極管（用于振蕩器、放大器等)雙極型品體管(用于放大器、振蕩器等)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（用于放大器、振蕩器等）3文字符號(hào)通常,在術(shù)語(yǔ)的標(biāo)題中加進(jìn)了文字符號(hào)。當(dāng)一個(gè)術(shù)語(yǔ)有幾個(gè)不同的文字符號(hào)時(shí),只給出最通用的第工篇變?nèi)荻O管、階躍二極管和快速開關(guān)肖特基二極管第1節(jié)變?nèi)荻O管