標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 17626.24-2012 是一項(xiàng)中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法》。該標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了高海拔電磁脈沖（HEMP，High Altitude Electromagnetic Pulse）環(huán)境下，用于保護(hù)電子設(shè)備免受傳導(dǎo)性騷擾影響的裝置的測(cè)試方法和要求。下面是標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的詳細(xì)說(shuō)明：

標(biāo)準(zhǔn)適用范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于評(píng)估安裝在電力系統(tǒng)、通信系統(tǒng)、控制系統(tǒng)以及其他電子系統(tǒng)中的HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的有效性。這些裝置旨在抑制或衰減由HEMP引起的瞬態(tài)電磁能量，防止其通過(guò)導(dǎo)線傳播，損害相連的敏感電子設(shè)備。

測(cè)試原則

  • 模擬環(huán)境：標(biāo)準(zhǔn)定義了如何模擬HEMP環(huán)境，包括波形特征、強(qiáng)度等級(jí)及測(cè)試持續(xù)時(shí)間，確保測(cè)試條件能合理反映實(shí)際可能遇到的HEMP效應(yīng)。
  • 試驗(yàn)配置：詳細(xì)說(shuō)明了測(cè)試設(shè)置，包括測(cè)試場(chǎng)地要求、被測(cè)保護(hù)裝置的安裝方式、以及與之相連的模擬負(fù)載或源的配置。

測(cè)試項(xiàng)目

  1. 傳導(dǎo)騷擾抗擾度測(cè)試：評(píng)估保護(hù)裝置對(duì)特定HEMP波形傳導(dǎo)騷擾的抵御能力。這涉及不同頻率成分和幅度的脈沖注入到線路中，以檢驗(yàn)裝置的濾波、鉗位或分流效果。

  2. 功能驗(yàn)證：在遭受HEMP模擬脈沖后，檢查保護(hù)裝置及其所保護(hù)系統(tǒng)的功能是否保持正常，確保沒有發(fā)生誤動(dòng)作、損壞或數(shù)據(jù)丟失。

  3. 耐久性測(cè)試：重復(fù)施加HEMP脈沖，以評(píng)估保護(hù)裝置的長(zhǎng)期耐用性和可靠性。

測(cè)量技術(shù)和評(píng)價(jià)方法

  • 規(guī)定了詳細(xì)的測(cè)量?jī)x器要求、校準(zhǔn)方法和讀數(shù)記錄程序，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。
  • 評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)包括但不限于騷擾電壓或電流的抑制比、系統(tǒng)恢復(fù)時(shí)間以及任何潛在的性能退化指標(biāo)。

安全與防護(hù)措施

強(qiáng)調(diào)了在進(jìn)行HEMP測(cè)試時(shí)的安全注意事項(xiàng)，包括人員防護(hù)裝備、防火防爆措施以及測(cè)試設(shè)備的操作安全規(guī)程。

結(jié)論與報(bào)告

雖然不直接包含“總結(jié)”字樣，這一部分實(shí)質(zhì)上要求根據(jù)測(cè)試結(jié)果形成正式報(bào)告，記錄所有測(cè)試參數(shù)、觀察到的現(xiàn)象、測(cè)量數(shù)據(jù)及最終結(jié)論，是否滿足標(biāo)準(zhǔn)要求，為裝置的性能認(rèn)證提供依據(jù)。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2012-11-05 頒布
  • 2013-02-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 17626.24-2012電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法_第1頁(yè)
GB/T 17626.24-2012電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法_第2頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS33100

L06.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1762624—2012/IEC61000-4-241997

.:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法

Electromagneticcompatibility—Testingandmeasurementtechniques—

TestmethodsforprotectivedevicesforHEMPconducteddisturbance

(IEC61000-4-24:1997,IDT)

2012-11-05發(fā)布2013-02-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T1762624—2012/IEC61000-4-241997

.:

前言

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)分為以下幾個(gè)部分

GB/T17626《》:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論

GB/T17626.1—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.2—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.3—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.4—2008

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.5—2008()

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

GB/T17626.6—2008

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波諧間波的測(cè)量和

GB/T17626.7—2008、

測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.8—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.9—2011

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.10—1998

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度

GB/T17626.11—2008、

試驗(yàn)

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)振蕩波抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.12—1998

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)交流電源端口諧波諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的

GB/T17626.13—2006、

低頻抗擾度試驗(yàn)

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.14—2005

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)閃爍儀功能和設(shè)計(jì)規(guī)范

GB/T17626.15—2011

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.16—20070Hz~150kHz

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.17—2005

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法

GB/T17626.24—2012HEMP

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.27—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.28—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口電壓暫降短時(shí)中斷和

GB/T17626.29—2006、

電壓變化的抗擾度試驗(yàn)

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電能質(zhì)量測(cè)量方法

GB/T17626.30—2012

本部分為的第部分

GB/T1762624。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部

IEC61000-4-24:1997《(EMC)4-24

分傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法

:HEMP》。

本部分由全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC246)。

本部分負(fù)責(zé)起草單位中國(guó)電力科學(xué)研究院

:。

本部分參與起草單位國(guó)網(wǎng)電力科學(xué)研究院

:。

本部分主要起草人鄔雄萬(wàn)保權(quán)張建功張廣洲李妮張澤平

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T1762624—2012/IEC61000-4-241997

.:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法

1范圍

的本部分規(guī)定了高空電磁脈沖傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法它主要包括

GB/T17626(HEMP)。

電壓擊穿和電壓限制特性的試驗(yàn)以及在條件下電壓u和電流i作為時(shí)間函數(shù)快速變化時(shí)

,HEMP,()()

的殘余電壓的測(cè)量方法

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工術(shù)語(yǔ)電磁兼容

GB/T4365—2003(IEC60050(161):1990,IDT)

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

DUT

受試裝置

。

32

.

氣體放電管gasdischargetube

由兩個(gè)或三個(gè)金屬電極形成的一個(gè)或幾個(gè)密封的間隙其內(nèi)氣體混合物和氣壓可以控制用來(lái)保護(hù)

,,

設(shè)備或操作人員免受高暫態(tài)電壓傷害

。

33

.

初級(jí)

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