標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 17626.24-2012 是一項(xiàng)中國國家標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法》。該標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了高海拔電磁脈沖（HEMP，High Altitude Electromagnetic Pulse）環(huán)境下，用于保護(hù)電子設(shè)備免受傳導(dǎo)性騷擾影響的裝置的測試方法和要求。下面是標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的詳細(xì)說明：

標(biāo)準(zhǔn)適用范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于評估安裝在電力系統(tǒng)、通信系統(tǒng)、控制系統(tǒng)以及其他電子系統(tǒng)中的HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的有效性。這些裝置旨在抑制或衰減由HEMP引起的瞬態(tài)電磁能量，防止其通過導(dǎo)線傳播，損害相連的敏感電子設(shè)備。

測試原則

  • 模擬環(huán)境：標(biāo)準(zhǔn)定義了如何模擬HEMP環(huán)境，包括波形特征、強(qiáng)度等級及測試持續(xù)時間，確保測試條件能合理反映實(shí)際可能遇到的HEMP效應(yīng)。
  • 試驗(yàn)配置：詳細(xì)說明了測試設(shè)置，包括測試場地要求、被測保護(hù)裝置的安裝方式、以及與之相連的模擬負(fù)載或源的配置。

測試項(xiàng)目

  1. 傳導(dǎo)騷擾抗擾度測試：評估保護(hù)裝置對特定HEMP波形傳導(dǎo)騷擾的抵御能力。這涉及不同頻率成分和幅度的脈沖注入到線路中，以檢驗(yàn)裝置的濾波、鉗位或分流效果。

  2. 功能驗(yàn)證：在遭受HEMP模擬脈沖后，檢查保護(hù)裝置及其所保護(hù)系統(tǒng)的功能是否保持正常，確保沒有發(fā)生誤動作、損壞或數(shù)據(jù)丟失。

  3. 耐久性測試：重復(fù)施加HEMP脈沖，以評估保護(hù)裝置的長期耐用性和可靠性。

測量技術(shù)和評價方法

  • 規(guī)定了詳細(xì)的測量儀器要求、校準(zhǔn)方法和讀數(shù)記錄程序，確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。
  • 評價標(biāo)準(zhǔn)包括但不限于騷擾電壓或電流的抑制比、系統(tǒng)恢復(fù)時間以及任何潛在的性能退化指標(biāo)。

安全與防護(hù)措施

強(qiáng)調(diào)了在進(jìn)行HEMP測試時的安全注意事項(xiàng)，包括人員防護(hù)裝備、防火防爆措施以及測試設(shè)備的操作安全規(guī)程。

結(jié)論與報告

雖然不直接包含“總結(jié)”字樣，這一部分實(shí)質(zhì)上要求根據(jù)測試結(jié)果形成正式報告，記錄所有測試參數(shù)、觀察到的現(xiàn)象、測量數(shù)據(jù)及最終結(jié)論，是否滿足標(biāo)準(zhǔn)要求，為裝置的性能認(rèn)證提供依據(jù)。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2012-11-05 頒布
  • 2013-02-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 17626.24-2012電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法_第1頁
GB/T 17626.24-2012電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法_第2頁
GB/T 17626.24-2012電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法_第3頁
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文檔簡介

ICS33100

L06.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1762624—2012/IEC61000-4-241997

.:

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)

HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法

Electromagneticcompatibility—Testingandmeasurementtechniques—

TestmethodsforprotectivedevicesforHEMPconducteddisturbance

(IEC61000-4-24:1997,IDT)

2012-11-05發(fā)布2013-02-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T1762624—2012/IEC61000-4-241997

.:

前言

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)分為以下幾個部分

GB/T17626《》:

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論

GB/T17626.1—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.2—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)射頻電磁場輻射抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.3—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.4—2008

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.5—2008()

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

GB/T17626.6—2008

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波諧間波的測量和

GB/T17626.7—2008、

測量儀器導(dǎo)則

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)工頻磁場抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.8—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)脈沖磁場抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.9—2011

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)阻尼振蕩磁場抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.10—1998

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)電壓暫降短時中斷和電壓變化的抗擾度

GB/T17626.11—2008、

試驗(yàn)

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)振蕩波抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.12—1998

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)交流電源端口諧波諧間波及電網(wǎng)信號的

GB/T17626.13—2006、

低頻抗擾度試驗(yàn)

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)電壓波動抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.14—2005

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)閃爍儀功能和設(shè)計(jì)規(guī)范

GB/T17626.15—2011

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.16—20070Hz~150kHz

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.17—2005

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法

GB/T17626.24—2012HEMP

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.27—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.28—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)直流電源輸入端口電壓暫降短時中斷和

GB/T17626.29—2006、

電壓變化的抗擾度試驗(yàn)

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)電能質(zhì)量測量方法

GB/T17626.30—2012

本部分為的第部分

GB/T1762624。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分等同采用國際標(biāo)準(zhǔn)電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第部

IEC61000-4-24:1997《(EMC)4-24

分傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法

:HEMP》。

本部分由全國電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC246)。

本部分負(fù)責(zé)起草單位中國電力科學(xué)研究院

:。

本部分參與起草單位國網(wǎng)電力科學(xué)研究院

:。

本部分主要起草人鄔雄萬保權(quán)張建功張廣洲李妮張澤平

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T1762624—2012/IEC61000-4-241997

.:

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)

HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法

1范圍

的本部分規(guī)定了高空電磁脈沖傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法它主要包括

GB/T17626(HEMP)。

電壓擊穿和電壓限制特性的試驗(yàn)以及在條件下電壓u和電流i作為時間函數(shù)快速變化時

,HEMP,()()

的殘余電壓的測量方法

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工術(shù)語電磁兼容

GB/T4365—2003(IEC60050(161):1990,IDT)

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

DUT

受試裝置

。

32

.

氣體放電管gasdischargetube

由兩個或三個金屬電極形成的一個或幾個密封的間隙其內(nèi)氣體混合物和氣壓可以控制用來保護(hù)

,,

設(shè)備或操作人員免受高暫態(tài)電壓傷害

。

33

.

初級

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