標(biāo)準(zhǔn)解讀
GB/T 17550.3-1998 是一項(xiàng)中國國家標(biāo)準(zhǔn),專注于識(shí)別卡技術(shù)領(lǐng)域,特別是光記憶卡的線性記錄方法。該標(biāo)準(zhǔn)的第三部分詳細(xì)規(guī)定了光記憶卡在光屬性和特性方面的具體要求,旨在為光記憶卡的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、測試以及應(yīng)用提供統(tǒng)一的技術(shù)規(guī)范,確保不同廠家的產(chǎn)品間具有兼容性和互換性。
標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽:
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范圍:明確了本部分標(biāo)準(zhǔn)適用的光記憶卡類型,以及這些卡在采用線性記錄方式時(shí)應(yīng)遵循的光屬性與特性指標(biāo)。
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術(shù)語和定義:定義了與光記憶卡光屬性和特性相關(guān)的專業(yè)術(shù)語,幫助讀者準(zhǔn)確理解標(biāo)準(zhǔn)中的各項(xiàng)要求。
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光屬性要求:
- 反射率:規(guī)定了光記憶卡表面對于特定波長光線的反射程度,以確保讀取設(shè)備能準(zhǔn)確捕捉信息。
- 透射率:針對透明或半透明材料制成的卡,規(guī)定光線穿透卡體后的傳輸比率,影響信息讀取的清晰度。
- 吸收率:描述卡材料對光線的吸收能力,過高可能影響數(shù)據(jù)記錄的穩(wěn)定性和持久性。
- 偏振特性:如果適用,說明光線經(jīng)過卡面后的偏振狀態(tài)變化,關(guān)系到特定讀取技術(shù)的適用性。
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特性指標(biāo):
- 耐用性:包括抗磨損、耐化學(xué)腐蝕及溫度變化的能力,確??ㄆ谌粘J褂煤鸵欢ōh(huán)境條件下數(shù)據(jù)的長期保存。
- 信息密度:規(guī)定單位長度或面積內(nèi)可記錄的信息量,直接影響存儲(chǔ)容量。
- 讀寫速度:定義了數(shù)據(jù)在卡上的寫入和讀取速度標(biāo)準(zhǔn),保證使用效率。
- 兼容性:確保不同制造商的設(shè)備能夠識(shí)別并正確處理這些光記憶卡。
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測試方法:提供了驗(yàn)證光記憶卡是否符合上述光屬性和特性要求的具體測試程序和評(píng)估方法,包括測試環(huán)境條件、儀器設(shè)備要求及操作步驟。
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合格判定準(zhǔn)則:基于測試結(jié)果,制定了判斷光記憶卡是否合格的標(biāo)準(zhǔn),為生產(chǎn)商和質(zhì)量控制部門提供依據(jù)。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1998-11-05 頒布
- 1999-06-01 實(shí)施
文檔簡介
CS35.240.15L64中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T17550.3-1998idtISO/IEC11694-3:1995識(shí)別卡光記憶卡線性記錄方法第3部分:光屬性和特性Identificationcardspticalmemorycards-Linearrecordingmethod-Part3:Opticalsandpropertiescharacteristics1998-11-05發(fā)布1999-06-01實(shí)施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
GB/T17550.3-1998次前言ISO/IEC前言引言范圍2引用標(biāo)準(zhǔn)3讀/寫測試條件……光特性45讀特性缺陷
GB/T17550.3-1998前本標(biāo)準(zhǔn)等同采用國際標(biāo)準(zhǔn)ISO/IEC11694-3:1995《識(shí)別卡光記憶卡線性記錄方法第3部分:光屬性和特性》。GB/T17550在總標(biāo)題《識(shí)別卡光記憶卡線性記錄方法》下,包括下述部分:-第1部分:物理特性:-第2部分:可訪問光區(qū)域的尺寸和位置;-第3部分:光屬性和特性;-第4部分:邏輯數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國電子工業(yè)部提出、本標(biāo)準(zhǔn)由電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:馮敬、馮惠、李韻琴、黎懷忠、陳云峰。
GB/T17550.3-1998ISO/IEC前音ISO(國際標(biāo)準(zhǔn)化組織)和IEC(國際電工委員會(huì))建立了世界范圍標(biāo)準(zhǔn)化的專門系統(tǒng)。ISO或IEC的國家成員團(tuán)體通過國際組織建立的各個(gè)技術(shù)委員會(huì)參與制定針對特定技術(shù)領(lǐng)域的國際標(biāo)準(zhǔn)。ISO和IEC技術(shù)委員會(huì)在共同感興趣的領(lǐng)域合作。其他與JSO和亞C有聯(lián)系的官方和非官方的各國際組織也參與此項(xiàng)工作。在信息技術(shù)領(lǐng)域,ISO和IEC建立了一個(gè)聯(lián)合技術(shù)委員會(huì),即ISO/IECJTC1。由聯(lián)合技術(shù)委員會(huì)提出的國際標(biāo)準(zhǔn)草案需分發(fā)給各成員團(tuán)體進(jìn)行表決。作為國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布至少需要75%的成員團(tuán)體投票贊成,國際標(biāo)準(zhǔn)ISO/IEC11694-3由聯(lián)合技術(shù)委員會(huì)ISO/IECJTCI(信息技術(shù))的分委員會(huì)SC17(識(shí)別卡及相關(guān)設(shè)備)制定。ISO/IEC11694在總標(biāo)題《識(shí)別卡光記憶卡線性記錄方法》下包括下述部分-第1部分:物理特性:一第2部分:可訪間光區(qū)域的尺寸和位置;-第3部分:光屬性和特性-第4部分:邏輯數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、
GB/r17550.3-1998本標(biāo)準(zhǔn)是描述光記憶卡的參數(shù)以及如何使用這種卡存儲(chǔ)和數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)交換的系列標(biāo)準(zhǔn)之一。本標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)為記錄和讀光記憶卡信息存在著不同的方法,其特性也隨所使用的記錄方法而確定,通常,這些不同的記錄方法彼此是不兼容的。因此,本標(biāo)準(zhǔn)采用一種一致的方法來組織,使之適應(yīng)現(xiàn)存的以及將來的記錄方法。本標(biāo)準(zhǔn)專用于使用線性記錄方法的光記憶卡。適用于其他特定的記錄方法的特性可以在獨(dú)立的標(biāo)準(zhǔn)文件中找到。本標(biāo)淮定義了光屬性和特性以及符合、加入和/或不符合此相關(guān)的基本文件GB/T17551的范圍
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)識(shí)別卡光記憶卡線性記錄方法GB/T17550.3-1998第3部分:光屬性和特性idtISO/IEC11694-3:1995Identificationcards-Opticalmemorycards-Linearrecordingmethod-Part3:Opticalpropertiesandcharacteristics范圍本標(biāo)準(zhǔn)定義了使用線性記錄方法的光記憶卡的光屬性和特性2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文,通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí),所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂,使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性.GB/T17551—1998識(shí)別卡光記憶卡一般特性(idtISO/IEC11693:1994)ISO/IEC11694-4:1996識(shí)別卡光記憶卡:線性記錄方法第4部分:邏輯數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu),讀/寫測試條件?。撼碛幸?guī)定外,這些測試條件適用于所有的測試3.1光源光源應(yīng)是波長為760nm到850nm之間的半導(dǎo)體激光二極管。3.2光束直徑光層表面的聚焦光束應(yīng)在1/e的點(diǎn)上測得。每次測試應(yīng)定義特定的光束直徑3.33讀功率光層表面的讀功率應(yīng)小于0.50mW3.44缺省測試環(huán)境和條件采用GB/T17551中定義的缺省測試環(huán)境和條件參數(shù)。4光特性在本標(biāo)準(zhǔn)中定義的測試條件下.期望達(dá)到這些特性。如果測試條件變化了,則在這里定義的光特性也會(huì)改變。4.1最低性能特性本條內(nèi)所包含的值均表示為了信息交換可接受的最低程度。因此·除卡的物理損壞之外,在卡的使用壽命期間,這些值表示了光卡應(yīng)滿足或超過的特性。注:使用壽命的定義因應(yīng)用而異。因此·將其留給卡的制造者和發(fā)行者,為他們特定的實(shí)現(xiàn)而做適當(dāng)?shù)亩x。4.1
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