標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 17008-1997 是一項由中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會頒布的標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號》。這項標(biāo)準(zhǔn)主要針對絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）領(lǐng)域，旨在統(tǒng)一和規(guī)范該領(lǐng)域內(nèi)使用的專業(yè)術(shù)語及其對應(yīng)的文字符號，以促進(jìn)技術(shù)交流、設(shè)計、生產(chǎn)和應(yīng)用等方面的一致性和準(zhǔn)確性。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽

  1. 術(shù)語定義：標(biāo)準(zhǔn)首先明確了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的基本概念，以及與之相關(guān)的技術(shù)術(shù)語。這些術(shù)語涵蓋了IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理、性能參數(shù)、制造工藝等多個方面，為行業(yè)內(nèi)的溝通提供了共同的語言基礎(chǔ)。

  2. 文字符號規(guī)定：為了便于電路圖的設(shè)計與閱讀，標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了各類IGBT及其相關(guān)元件在電氣工程圖紙上的文字符號表示方法。這些符號簡潔明了，能夠快速傳達(dá)元器件的功能和連接方式，對于設(shè)計人員、制造者及維護(hù)人員來說極為重要。

  3. 分類與命名規(guī)則：根據(jù)IGBT的不同特性、封裝形式或應(yīng)用領(lǐng)域，標(biāo)準(zhǔn)還對它們進(jìn)行了分類，并給出了相應(yīng)的命名規(guī)則。這有助于用戶快速識別和選擇合適的IGBT型號，滿足特定應(yīng)用需求。

  4. 測試與評估方法：雖然標(biāo)準(zhǔn)主要關(guān)注詞匯和文字符號，但也可能簡要提及IGBT性能測試和評估的基本原則或參考方法，以確保產(chǎn)品符合既定的質(zhì)量和性能標(biāo)準(zhǔn)。

實施意義

  • 提升標(biāo)準(zhǔn)化水平：統(tǒng)一的術(shù)語和文字符號減少了因理解差異導(dǎo)致的誤解和錯誤，提升了整個行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)化水平。
  • 促進(jìn)技術(shù)交流：便于國內(nèi)外技術(shù)文獻(xiàn)、專利、產(chǎn)品說明書等資料的相互理解和引用，加速技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用推廣。
  • 支持教育與培訓(xùn)：為電子工程等相關(guān)專業(yè)的教育與培訓(xùn)提供了一套清晰、規(guī)范的術(shù)語體系，有利于人才的培養(yǎng)。
  • 便利設(shè)計與制造：標(biāo)準(zhǔn)化的文字符號簡化了電路設(shè)計流程，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，降低了因溝通不暢導(dǎo)致的成本損失。


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  • 廢止
  • 已被廢除、停止使用，并不再更新
  • 1997-10-05 頒布
  • 1998-08-01 實施
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GB/T 17008-1997絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號_第1頁
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文檔簡介

5s.31.080.30K46中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T17008--1997絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號TerminologyandlettersymbolsForinsulated-gatebipolartransistor1997-10-05發(fā)布1998-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T17008-1997本標(biāo)準(zhǔn)主要依據(jù)下列國際標(biāo)準(zhǔn)或標(biāo)準(zhǔn)草案而制訂：IEC/TC47（CO)1339絕緣柵雙極型品體管的概念I(lǐng)EC/TC47（Sec）1251地緣柵雙極型品體管的新概念和文字符號IEC/TC47（See)1282絕緣柵雙極型品體管的額定值、特性和測試方法IEC747-8第Ⅱ章場效應(yīng)品體管的術(shù)語和文字符號凡上述標(biāo)準(zhǔn)中被本標(biāo)準(zhǔn)采納的術(shù)語和文字符號在技術(shù)內(nèi)容上等效。本標(biāo)準(zhǔn)編寫規(guī)則按等效采用了國際導(dǎo)則的GB/T1.1一1993《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1單元:標(biāo)準(zhǔn)的起草與表述規(guī)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)編寫的基本規(guī)定》。這樣，通過使我國標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容和編寫規(guī)則盡可能與國際-：一致或等同,以盡快適應(yīng)國際貿(mào)易、技術(shù)和經(jīng)濟(jì)交流以及采用國際標(biāo)準(zhǔn)飛躍發(fā)展的需要。本標(biāo)準(zhǔn)由機械工業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口本標(biāo)準(zhǔn)由機械部西安電力電子技術(shù)研究所負(fù)責(zé)起草本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：秦賢滿

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號GB/T17008--1997Terminologyandlettersymbolsforinsulated-gatebipolartransistor1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT)的類型、結(jié)構(gòu)、額定值和特性的術(shù)語及通用文字符號.本標(biāo)準(zhǔn)適用于制訂標(biāo)準(zhǔn)、編訂技術(shù)文件、編寫和翻譯專業(yè)手冊、教材及書刊。一般術(shù)語2.1源區(qū)sourceregion多數(shù)載流子流入溝道的起始區(qū)域2.2漏區(qū)drainrcgion接收從溝道流出的多數(shù)載流子的區(qū)域。2.3漏注人區(qū)draininjectorregion位于場效應(yīng)結(jié)構(gòu)的漏區(qū)和漏極間并與漏區(qū)極性相反的半導(dǎo)體界面區(qū)。1當(dāng)主電流流動時，漏注人區(qū)注入漏區(qū)的附加少數(shù)載流子使漏區(qū)電導(dǎo)增強22在實際器件制作中，IGBT的襯底起溫注人區(qū)的作用。2.4柵區(qū)gatercgion與柵電極連接的，柵極控制電壓產(chǎn)生的電場能起作用的區(qū)域2.5溝道channel在源區(qū)和漏區(qū)之間的半導(dǎo)體薄層·流經(jīng)該海層的電流受柵極電位控制。2.6亞溝道區(qū)subchannelregion源區(qū)和滿區(qū)之間的區(qū)域。?。阂话?，亞溝道區(qū)由兩個不同摻雜部分組成.即形成溝道的輕接雜部分和流過雙極品體管結(jié)構(gòu)的集電極電流的重穆雜部分。2.7漏極drain附于漏注人區(qū)上的電板、2.8集電極端collectorterminal連接漏極的端。2.9源極source附于源區(qū)和部分亞溝道區(qū)上的電極，該部分亞溝道區(qū)流過雙極品體管結(jié)構(gòu)的集電極電流2.10發(fā)射極端emitter

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