GB/T 16935.4-2011低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第4部分：高頻電壓應(yīng)力考慮事項

ICS29120

K30.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T169354—2011/IEC60664-42005

.:

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合

第4部分高頻電壓應(yīng)力考慮事項

:

Insulationcoordinationforequipmentwithinlow-voltagesystems—

Part4Considerationofhih-freuencvoltaestress

:gqyg

(IEC60664-4:2005,IDT)

2011-12-30發(fā)布2012-05-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T169354—2011/IEC60664-42005

.:

目次

前言…………………………

Ⅰ

引言…………………………

Ⅱ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語和定義………………

32

電氣間隙…………………

42

爬電距離…………………

55

固體絕緣…………………

67

高頻試驗(yàn)…………………

79

非正弦電壓………………

811

附錄資料性附錄高頻電壓下電氣間隙的絕緣特性………………

A()13

附錄資料性附錄高頻電壓下爬電距離的絕緣特性………………

B()18

附錄資料性附錄高頻電壓下固體絕緣的絕緣特性………………

C()21

附錄規(guī)范性附錄高頻電壓下的絕緣試驗(yàn)…………

D()27

附錄資料性附錄非正弦高頻電壓作用下的絕緣特性……………

E()38

附錄資料性附錄絕緣尺寸確定程序框圖…………

F()43

參考文獻(xiàn)……………………

45

GB/T169354—2011/IEC60664-42005

.:

前言

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合分為以下個部分

GB/T16935《》4:

第部分原理要求和試驗(yàn)

———1:、;

第部分利用涂層罐封和模壓進(jìn)行防污保護(hù)

———3:、;

第部分高頻電壓應(yīng)力考慮事項

———4:;

第部分不超過的電氣間隙和爬電距離的確定方法

———5:2mm。

本部分是的第部分

GB/T169354。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第部分高頻電壓

IEC60664-4:2005《4:

應(yīng)力考慮事項

》。

本部分應(yīng)與低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第部分原理要求和試驗(yàn)

GB/T16935.1—2008《1:、》

及低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第部分不超過

(IEC60664-1:2007,IDT)GB/T16935.5—2008《5:

的電氣間隙和爬電距離的確定方法配合使用

2mm》(IEC60664-5:2007,IDT)。

本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會提出

。

本部分由全國低壓設(shè)備絕緣配合標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC417)。

本部分起草單位上海電器科學(xué)研究院

:。

本部分主要起草人章建兵包革吳慶云

:、、。

Ⅰ

GB/T169354—2011/IEC60664-42005

.:

引言

低壓設(shè)備內(nèi)也可產(chǎn)生較高的電壓應(yīng)力低壓設(shè)備電壓頻率通常情況下為但在某些情況

。50/60Hz,

下低壓系統(tǒng)中可存在較高的電壓頻率或較低的頻率及直流電壓一個更特殊的

,(400Hz)(162/3Hz)。

情況是大功率射頻發(fā)送器這類設(shè)備的開發(fā)使得針對射頻條件下設(shè)備的絕緣耐受能力的研究得以較早

。

地開展然而伴之而來的高頻電壓應(yīng)力問題則未得到足夠重視

,。

當(dāng)前頻率超過的高頻工作電壓越來越頻繁地被應(yīng)用到低壓設(shè)備中對于兆赫茲級別的高

,30kHz,

頻電壓的應(yīng)用也將逐步展開這些高頻電壓常常不是正弦波形為了微縮電氣部件并獲得設(shè)計的高

。。,

效需要將絕緣尺寸降至很小的范圍從而對固體絕緣造成很高的電壓應(yīng)力

,,。

電壓頻率增高的同時局部放電對絕緣材料性能造成的退化效應(yīng)也愈明顯兩者大致成正比關(guān)系

,,。

從而在高電壓頻率情況下局部放電對絕緣尺寸的影響遠(yuǎn)較工頻情況下顯著

,。

隨著電壓頻率的越來越高及絕緣尺寸的越來越小且未來這種情況會愈發(fā)加劇為保證操作人員安

,,

全及設(shè)備的可靠性由頻率高至的高頻電壓形成的電壓應(yīng)力應(yīng)納入低壓設(shè)備絕緣配合的考慮

,100MHz

事項之中

。

本部分概括總結(jié)了有關(guān)高頻絕緣應(yīng)力的一些最為重要的數(shù)據(jù)并闡釋高頻絕緣應(yīng)力對絕緣材料及

,

其尺寸的影響規(guī)定了電氣間隙爬電距離及固體絕緣的數(shù)據(jù)本部分亦給出了有關(guān)高頻應(yīng)力的試驗(yàn)

,、。

方法

。

Ⅱ

GB/T169354—2011/IEC60664-42005

.:

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合

第4部分高頻電壓應(yīng)力考慮事項

:

1范圍

的本部分按電氣設(shè)備的性能標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電氣設(shè)備的電氣間隙爬電距離及固體絕緣

GB/T16935、

的要求本部分包含了有關(guān)絕緣配合的電氣試驗(yàn)方法

。。

本部分規(guī)定的最小電氣間隙的值不適用于存在離子化氣體的情況針對該情況的特殊要求將由相

,

關(guān)技術(shù)委員會規(guī)定

。

本部分適用于低壓設(shè)備內(nèi)耐受高頻電壓應(yīng)力的基本絕緣附加絕緣及加強(qiáng)絕緣本部分中的絕緣

、。

尺寸數(shù)據(jù)直接適用于基本絕緣對于加強(qiáng)絕緣中給出的附加要求適用本部分適用于基

;,IEC60664-1;

波頻率在至范圍之內(nèi)的任意類型的周期電壓作用條件下的電氣間隙爬電距離及固體

30kHz10MHz、

絕緣尺寸的確定

。

本部分應(yīng)與或配合使用通過上述三項標(biāo)準(zhǔn)的配合使用可使得

IEC60664-1IEC60664-5。,

及的電壓頻率限值提高至以上

IEC60664-1IEC60664-530kHz。

在電壓頻率超過時本部分也適用于及對類型的保護(hù)對于類型的保護(hù)

30kHz,IEC60664-31。2

仍在考慮之中

。

注1頻率范圍超過的尺寸數(shù)據(jù)在考慮之中

:10MHz。

注2本部分未考慮對主電路的高頻放射在設(shè)備的正常使用過程中一般認(rèn)為放射到主電路上的高頻電壓所形成

:。,

的干擾與絕緣應(yīng)力相比可忽略故可不予考慮

,。

本部分適用于應(yīng)用在海拔不超過環(huán)境中額定電壓不超過交流的電器設(shè)備

2000m、1000V。

本部分不適用于以下場合

:

在液態(tài)環(huán)境中

———;

除空氣外的其余氣體環(huán)境中

———;

在壓縮空氣中

———。

注3在電器設(shè)備的內(nèi)部電路中可能會存在更高的電壓

:。

注4用于海拔超過場合的要求可從附錄的表中給出

:2000mIEC60664-1AA.2。

本部分旨在為負(fù)責(zé)各種不同電器設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)委員會提供指導(dǎo)以協(xié)調(diào)各設(shè)備的相關(guān)要求使得

,,

在規(guī)定空氣中的電氣間隙爬電距離及固體絕緣時可達(dá)到絕緣配合的目的

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅