標準解讀

GB/T 14145-1993 是一項中華人民共和國國家標準，全稱為《硅外延層堆垛層錯密度測定　干涉相襯顯微鏡法》。該標準規(guī)定了利用干涉相襯顯微鏡技術來測定硅外延層中堆垛層錯密度的方法、步驟及要求，旨在為半導體材料的質量控制和性能評估提供統(tǒng)一的測試和評價依據(jù)。

標準內容概覽

  1. 范圍：明確了本標準適用于單晶硅片上外延生長的硅層中堆垛層錯（Stacking Faults）的檢測與密度測定，特別適用于薄層外延硅材料的質量檢驗。

  2. 術語和定義：對硅外延層、堆垛層錯、干涉相襯顯微鏡等關鍵術語進行了明確界定，為標準的準確應用奠定基礎。

  3. 原理：闡述了干涉相襯顯微鏡技術的基本工作原理，即通過光波干涉效應增強樣品表面微觀結構的對比度，使得堆垛層錯在顯微鏡下可見，從而可以進行觀察和測量。

  4. 試驗設備與材料：詳細描述了進行測試所需的儀器設備規(guī)格和要求，如干涉相襯顯微鏡的配置、照明條件、硅片樣品的準備方法等。

  5. 試驗步驟：

    • 樣品制備：包括對外延硅層的切割、拋光和清洗，確保表面無損且清潔。
    • 觀察與測量：使用干涉相襯顯微鏡在適宜的放大倍數(shù)下對樣品進行掃描觀察，記錄堆垛層錯的特征圖像。
    • 數(shù)據(jù)分析：根據(jù)觀察到的層錯圖像，采用特定的計算方法確定堆垛層錯密度，通常涉及計數(shù)單位面積內的層錯數(shù)量。

  6. 結果處理：規(guī)定了數(shù)據(jù)處理方法和表達形式，包括如何計算平均堆垛層錯密度、數(shù)據(jù)的有效位數(shù)以及報告格式等。

  7. 試驗報告：要求試驗報告應包含實驗條件、所用設備、測試結果及必要的圖表說明，確保測試結果的可追溯性和重復性。

實施意義

該標準的實施有助于提高硅基半導體器件的制造質量，通過標準化的檢測手段有效監(jiān)控外延生長過程中堆垛層錯的形成，對優(yōu)化生產工藝、提升產品性能具有重要指導意義。它為硅外延材料的生產商、研究機構及質量檢測部門提供了統(tǒng)一的檢測方法和評判準則，促進了行業(yè)內的技術交流與產品質量的國際接軌。


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  • 廢止
  • 已被廢除、停止使用，并不再更新
  • 1993-02-06 頒布
  • 1993-10-01 實施
?正版授權
GB/T 14145-1993硅外延層堆垛層錯密度測定干涉相襯顯微鏡法_第1頁
GB/T 14145-1993硅外延層堆垛層錯密度測定干涉相襯顯微鏡法_第2頁
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GB/T 14145-1993硅外延層堆垛層錯密度測定干涉相襯顯微鏡法-免費下載試讀頁

文檔簡介

UDC669.782H24中華人民共和國國家標準CB/T14145-93硅外延層堆垛層錯密度測定干涉相襯顯微鏡法Testmethodforstackingfaultdensityofepitaxiallayersofsiliconbyinterference-contrastmicroscopy1993-02-06發(fā)布1993-10-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準硅外延層堆垛層錯密度測定GB/T14145-93干涉相襯顯微鏡法Testmethodforstackingfaultdensityofepitaxiallayersofsiliconbyinterference-contrastmicroscopy主題內容與適用范圍本標準規(guī)定了使用干涉相襯顯微鏡非破壞性測量硅外延層堆垛層錯密度的方法本標準適用于硅外延層厚度不小于3m、外延層晶向偏離(111)品面或(100)品面角度較小的試樣的堆垛層錯密度測量。當堆垛層錯密度超過15000cm-或當外延層品向與(111)品面或(100)晶面偏離角度較大時·測量精度將有所降低。2引用標準GB2828逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表（適用于連續(xù)批的檢查方法提要用干涉相襯顯微鏡，根據(jù)物體表面微小的高度差或傾斜，呈現(xiàn)出不同明暗襯度或色襯度而顯示無明顯光吸收的硅表面的精細結構，以一個合適的放大倍數(shù)觀察外延生長表面9個規(guī)定測量位置上的堆場層錯數(shù)。在每個測量位置上,對所觀察到的層錯,包括單條直線、不完整多邊形及完整多邊形進行計數(shù)側量顯微鏡的視場直徑,從9個測量位置上測得的層錯數(shù)的總和及顯微鏡的視場直徑可計算出試樣的外延層堆垛層錯的密度。量儀器干涉相襯顯微鏡,物鏡8～40×，目鏡10×左右，帶刻度的X-Y載物臺，刻度精確到0.5mm。42微標尺,1mm長，最小分度0.01mm;5mm長，最小分度0.05mm.A3螺旋測微計或游標卡尺，精確到0.1mnmn。武驗樣品5.1測量試樣的選取從一批硅外延片中按GB2828計數(shù)抽樣方案或商定的方案抽取試樣。5.2參比樣品的選取5.2.1在干涉相襯顯微鏡下觀察未腐蝕過的有堆垛層錯的硅外延片，從中選取參比樣品5.2.2按檢測步驃6.2.1～6.2.7條，一片至少測5次。計算該片層錯密度的平均值及相對標準偏差：5.2.3：將將相對標準偏差不大于25%的硅外延片作為參比樣品，供校對使用。5.2.4重重復以上步，使得對于每種品向、每個十

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