GB/T 11446.1-1997電子級水

ICS31-030L90中華人民共和國國家標準GB/T11446.1一1997電子級水Electronicgradewater1997-09-01發(fā)布1998-09-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準電包子級水GB/T11446.1-1997中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471998年1月第一版204年12月電子版制作書號：155066·1-14534版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：（010）68533533

GB/T11446.1-1997本標準是對GB11446.1-89《電子級水》國家標準進行修訂原標準GB11446.1是參照1983年ASTM委員會電子級水規(guī)范草案8及D1193—77（82)試劑用水規(guī)范制定的。隨著電子工業(yè)、微電子工業(yè)的飛速發(fā)展對電子級水的質(zhì)量要求更嚴格。美國從1991年開始，頒布了新的ASTMD5127—90電子級水規(guī)范并沿用至今。我國原標準GB11446.1與1995年ASTMD5127-90電子級水規(guī)范相比，標準技術(shù)內(nèi)容中缺少金屬鎳、硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子、細菌內(nèi)毒素的技術(shù)指標。另外，由于當時我國分析手段的局限性，其中顆粒、細菌、總有機碳等技術(shù)指標水平規(guī)定得較低,因此與ASTMD5127—90電子級水規(guī)范水平相比有一定差距,已不能滿足電子工業(yè)發(fā)展的需要。為此，我們非等效地采用美國1995年ASTMD5127—90電子級水規(guī)范。本標準將原電子級水級別由5級改為4級，技術(shù)內(nèi)容增加了金屬鎳、硝酸根、磷酸根、硫酸根等指標;刪去了1995年ASTMD5127—90標準中未規(guī)定的金屬鋁、鐵、鈣技術(shù)指標,提高了顆粒和細菌的指標要求;增加了有關(guān)水的詞匯;同時考慮到目前我國實際情況，這次修訂時沒有規(guī)定細菌內(nèi)毒素的指標和檢測方法。本標準從實施之日起同時代替GB11446.1—89.本標準由中華人民共和國電子工業(yè)部提出。本標準由電子工業(yè)部標準化研究所歸口。本標準起草單位：中國科學院半導體研究所、電子工業(yè)部標準化研究所。本標準主要起草人：聞瑞梅、李曉英、王在忠、間桂珍。

中華人民共和國國家標準GB/T11446.1-1997子級水代替GB11446.1-89Electronicgradewater1范園本標準規(guī)定了電子級水的級別、要求、試驗方法和檢驗規(guī)則本標準適用于電子元器件生產(chǎn)和清洗用水。2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構(gòu)成為本標準的條文。。本標準出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應(yīng)探討使用下列標準最新版本的可能性。GB/T11446.3—1997電子級水測試方法通則GB/T11446.4一1997電子級水電阻率的測試方法GB/T11446.5一1997電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法GB/T11446.6一1997電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法GB/T11446.7-1997電子級水中痕量氯離子、硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子的離子色譜測試方法GB/T11446.8-1997電子級水中總有機碳的測試方法GB/T11446.9-1997電子級水中微粒的儀器測試方法GB/T11446.10-1997電電子級水細菌總數(shù)的濾膜培養(yǎng)測試方法3定義本標準采用下列定義。3.1電子級水electronicgradewater制造電子元器件工藝過程中所用的高純水.3.2電阻率resistivity在規(guī)定溫度下,1cm2水溶液兩相對面之間測得的電阻值。通常用符號表示，單位為Q·cm,純水的理論電阻率為18.3MQ·cm(25℃)。3.3全硅totalsilicon水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態(tài)存在的硅的總量。3.4可溶性硅solublesilicon以單一分子狀態(tài)存在于水中的溶解性硅酸鹽、3.5微粒性物質(zhì)granularmatter除氣體以外,以非液態(tài)分散在水中，并形成非均相混合物的物質(zhì)。3.66總有機碳(TOC）to