第2講-非均勻電場(chǎng)氣隙的擊穿

會(huì)計(jì)學(xué)1第2講-非均勻電場(chǎng)氣隙的擊穿2湯森德放電理論和流注理論的推導(dǎo)和分析是在均勻電場(chǎng)中進(jìn)行的，但這兩種理論并不局限在均勻電場(chǎng)。S<0.26cm時(shí)，按湯森進(jìn)行，否則按流注。不均勻電場(chǎng)，分為稍不均勻電場(chǎng)和極不均勻電場(chǎng)，稍不均勻電場(chǎng)大部分，按流注機(jī)理進(jìn)行，即不均勻電場(chǎng)幾乎全是按流注機(jī)理進(jìn)行。極不均勻電場(chǎng)的分析電極采用棒—棒、棒—板。稍不均勻一般指球狀電極。第1頁(yè)/共14頁(yè)3一、極不均勻電場(chǎng)中的放電過(guò)程（短間隙）1.非自持放電階段當(dāng)棒具有正極性時(shí)棒極附近電場(chǎng)強(qiáng)度大，產(chǎn)生電子崩，崩頭的電子進(jìn)入棒極，崩尾的正空間電荷積聚在棒的前方，由于正電荷的作用，減少了緊貼棒極附近的電場(chǎng)，而加強(qiáng)了前方的電場(chǎng)。造成棒極附近難以造成流注，使得自持放電、即電暈放電難以形成；而前方卻容易產(chǎn)生新的電子崩。第2頁(yè)/共14頁(yè)4當(dāng)棒具有負(fù)極性時(shí)電子崩中電子離開(kāi)強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)后，不再引起電離，正離子逐漸向棒極運(yùn)動(dòng)，在棒極附近出現(xiàn)了比較集中的正空間電荷，使電場(chǎng)畸變棒極附近的電場(chǎng)得到增強(qiáng)，因而自待放電條件就易于得到滿足、易于轉(zhuǎn)入流注而形成電暈放電；前方的電場(chǎng)削弱使得前方產(chǎn)生電子崩的幾率減小。第3頁(yè)/共14頁(yè)5當(dāng)棒具有正極性時(shí)由于前方電場(chǎng)加強(qiáng)產(chǎn)生新電子崩，其電子向正棒移動(dòng)時(shí)要經(jīng)過(guò)電場(chǎng)減弱后的正電荷區(qū)，形成等離子通道；其尾部的正離子構(gòu)成等離子通道前方的的正電荷區(qū)，于是在等離子通道前方與正電荷區(qū)之間又形成弱電場(chǎng)區(qū)，以及正電荷區(qū)前方的強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)。

（曲線3）上述過(guò)程持續(xù)進(jìn)行，移促進(jìn)等離子通道進(jìn)一步發(fā)展，逐漸向板極推進(jìn)2.流注發(fā)展階段第4頁(yè)/共14頁(yè)6棒極的強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)產(chǎn)生大量的電子崩，匯入圍繞棒極的正空間電荷，由于此處的電場(chǎng)強(qiáng)度大，等離子體形成困難，電子跑出正電荷區(qū)，消失在間隙中。（曲線2）升高電壓待前方電場(chǎng)足夠強(qiáng)后，發(fā)展新電子崩，其正電荷密度增大，棒極附近的強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)產(chǎn)生的大量電子，與其混合，混合密度越大，導(dǎo)電性越好，電場(chǎng)下降，達(dá)到一定程度時(shí)，等離子體形成（曲線3），相當(dāng)于棒極板極推進(jìn)。當(dāng)棒具有負(fù)極性時(shí)第5頁(yè)/共14頁(yè)7當(dāng)?shù)入x子通道向板極推進(jìn)時(shí)（不論正負(fù)，只是正極推進(jìn)容易，負(fù)極推進(jìn)困難），由于通道的電壓降，前方的電場(chǎng)越來(lái)越弱，深入間隙一段距離后，就停止不前了，形成電暈放電或刷狀放電，電壓越高，等離子通道越長(zhǎng)。外電壓足夠高時(shí)，等離子通道逼近板極，電場(chǎng)逐步升高，導(dǎo)致放電加劇，形成正反饋，從而導(dǎo)致間隙完全擊穿

極性效應(yīng)正棒電暈起始電壓高，擊穿電壓低負(fù)棒電暈起始電壓低，擊穿電壓高3.放電及極性效應(yīng)第6頁(yè)/共14頁(yè)8二、極不均勻電場(chǎng)中的放電過(guò)程（長(zhǎng)間隙）1．先導(dǎo)放電1）由于場(chǎng)強(qiáng)逐漸減弱，放電停頓。2）空間電荷匯入等離子區(qū)，向根部流動(dòng)，造成根部熱游離。3）熱游離的根部電導(dǎo)加大，相當(dāng)于電阻更小的等離子通道電極代替了原通道的一部分。在頭部引起又一次放電過(guò)程。第7頁(yè)/共14頁(yè)9特點(diǎn)流注根部溫度升高熱電離過(guò)程先導(dǎo)通道電離加強(qiáng)，更為明亮電導(dǎo)增大軸向場(chǎng)強(qiáng)更低發(fā)展速度更快長(zhǎng)空氣間隙的平均擊穿場(chǎng)強(qiáng)遠(yuǎn)低于短間隙第8頁(yè)/共14頁(yè)102．主放電當(dāng)先導(dǎo)通道頭部極為接近板極時(shí)，間隙場(chǎng)強(qiáng)可達(dá)極大數(shù)值，引起強(qiáng)烈的電離，間隙中出現(xiàn)離子濃度遠(yuǎn)大于先導(dǎo)通道的等離子體新出現(xiàn)的通道大致具有極板的電位，在它與先導(dǎo)通道交界處保持極高的電場(chǎng)強(qiáng)度，繼續(xù)引起強(qiáng)烈的電離高場(chǎng)強(qiáng)區(qū)（強(qiáng)電離區(qū)）迅速向陽(yáng)極傳播，強(qiáng)電離通道也迅速向前推進(jìn)，這就是主放電過(guò)程。

１——主放電通道２——主放電和先導(dǎo)通道的交界區(qū)３——先導(dǎo)通道第9頁(yè)/共14頁(yè)11長(zhǎng)短間隙放電過(guò)程的對(duì)比分析均為等離子通道向棒極推進(jìn)，均在推進(jìn)到板極附近時(shí)由于電場(chǎng)增大的因素導(dǎo)致放電發(fā)展加速；長(zhǎng)間隙時(shí)，由于根部的熱電離使得等離子體的密度增大，因而導(dǎo)致放電的二次發(fā)展，短間隙不足以產(chǎn)生根部的熱電離；長(zhǎng)間隙時(shí)產(chǎn)生的高密度等離子通道（先導(dǎo)）使得通道接近板及時(shí)的電場(chǎng)增大十分顯著，從而發(fā)生強(qiáng)場(chǎng)電離（主放電），而短間隙時(shí)，由于通道的電阻大，壓減大，接近板極時(shí)的前方電場(chǎng)不足以引起強(qiáng)場(chǎng)電離，只是使流注發(fā)展加速，在貫穿電極后，電導(dǎo)電流才足以引起熱電離，發(fā)展成電弧。第10頁(yè)/共14頁(yè)12三、電暈電暈放電現(xiàn)象

電離區(qū)的放電過(guò)程造成。咝咝的聲音，臭氧的氣味，回路電流明顯增加(絕對(duì)值仍很小)，可以測(cè)量到能量損失脈沖現(xiàn)象

(a)時(shí)間刻度T=125s(b)0.7A電暈電流平均值(c)2A電暈電流平均值第11頁(yè)/共14頁(yè)13電暈起始電壓和電暈起始場(chǎng)強(qiáng)電暈是一種自持放電形式，起始電壓在原理上可由自持放電條件求得

對(duì)工程實(shí)踐有重要意義不利影響：能量損失；放電脈沖引起的高頻電磁波干擾；化學(xué)反應(yīng)引