芯片制造工藝課件

IC產(chǎn)業(yè)鏈的分工設(shè)計制造目前微電子產(chǎn)業(yè)已逐漸演變?yōu)樵O(shè)計，制造和封裝三個相對獨立的產(chǎn)業(yè)。IC制作InitialoxSisubstrateInitialoxSisubstratePRDiffmodulePHOTOmoduleETCHmoduleInioxSisubPRThinfilmmoduleInioxSisubDiff,PHOTO,ETCH,T/FICcrosssectionWATWaferSortingChipCutting初始晶片(primarywafer)BondingPackagingFinalTestIC制造過程IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)導(dǎo)電電路絕緣層硅底材元件結(jié)構(gòu)內(nèi)連導(dǎo)線架構(gòu)FieldOxideFieldOxideSource/DrainRegionsGateOxideNPN雙極型晶體管（三極管）MOS結(jié)構(gòu)0.1晶片制備1、材料提純（硅棒提純）2、晶體生長（晶棒制備）3、切割（切成晶片）4、研磨（機械磨片、化學(xué)機械拋光CMP）5、晶片評估（檢查）0.1.1材料提純（硅棒提純）提純原理：鹽水結(jié)冰后，冰中鹽的含量較低==〉在液態(tài)硅(熔區(qū))中,雜質(zhì)濃度大些提純方法：區(qū)域精煉法0.1.3切割（切成晶片）鋸切頭尾→檢查定向性和電阻率等→切割晶片晶片厚約50μm0.2掩模板制備特殊的石英玻璃上，涂敷一層能吸收紫外線的鉻層（氧化鉻或氧化鐵），再用光刻法制造光刻主要步驟涂膠曝光顯影顯影蝕刻光刻工藝0.3晶片加工主要步驟：氧化開窗摻雜金屬膜形成摻雜沉積鈍化0.3.1氧化氧化膜（SiO2、SiNH）的作用：保護：如，鈍化層（密度高、非常硬）摻雜阻擋：阻擋擴散，實現(xiàn)選擇性摻雜絕緣：如，隔離氧化層介質(zhì)：電容介質(zhì)、MOS的絕緣柵晶片不變形：與Si晶片的熱膨脹系數(shù)很接近，在高溫氧化、摻雜、擴散等公益中，晶片不會因熱脹冷縮而產(chǎn)生彎曲氧化氧化方法：濺射法、真空蒸發(fā)法、CVD、熱氧化法等例：干氧化法：Si+O2=SiO2（均勻性好）濕氧化法：Si+O2=SiO2（生長速度快）

Si+2H2O=SiO2+H20.3.3摻雜（擴散）擴散原理雜質(zhì)原子在高溫（1000-1200度）下從硅晶片表面的高濃度區(qū)向襯底內(nèi)部的低濃度區(qū)逐漸擴散。擴散濃度與溫度有關(guān)：（1000-1200度擴散快）0.3.4擴散擴散步驟：1、預(yù)擴散（淀積）恒定表面源擴散（擴散過程中，硅片的表面雜質(zhì)濃度不變），溫度低，時間短，擴散淺：控制擴散雜質(zhì)的數(shù)量。2、主擴散有限表面源擴散（擴散過程中，硅片的表面雜質(zhì)源不補充），溫度高，時間長，擴散深：控制擴散雜質(zhì)的表面濃度和擴散深度、或暴露表面的氧化。擴散擴散分類及設(shè)備：按照雜質(zhì)在室溫下的形態(tài)分為：液態(tài)源擴散、氣態(tài)源擴散、固態(tài)源擴散0.3.5.1薄膜淀積薄膜：小于1um，要求：厚度均勻、高純度、可控組分、臺階覆蓋好、附著性好、電學(xué)性能好薄膜淀積方法：1、物理氣相淀積（PVD）2、化學(xué)氣相淀積（CVD：APCVD、LPCVD、PECVD）薄膜淀積——物理氣相淀積（PVD）PVD：利用某種物理過程，例如蒸發(fā)或濺射現(xiàn)象，實現(xiàn)物質(zhì)轉(zhuǎn)移，即原子或分子從原料表面逸出，形成粒子射入到硅片表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜。1、真空蒸發(fā)PVD2、濺射PVD真空蒸發(fā)PVD濺射鍍鋁膜薄膜淀積——化學(xué)氣相淀積（CVD）CVD：利用含有薄膜元素的反應(yīng)劑在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在襯底表面淀積薄膜。常用方法：1、外延生長2、熱CVD（包括：常壓CVD=APCVD、低壓CVD=HPCVD）3、等離子CVD（=PECVD）CVD原理示意圖0.3.5.2金屬化、多