IO薄膜簡(jiǎn)介與產(chǎn)品介紹

ITO薄膜簡(jiǎn)介與產(chǎn)品介紹1大綱透明導(dǎo)電薄膜的介紹與應(yīng)用ITO薄膜的特性及製程介紹ITO薄膜的結(jié)晶性V.S.製程參數(shù)公司的簡(jiǎn)介與產(chǎn)品介紹2透明導(dǎo)電薄膜的介紹透明導(dǎo)電膜(Transparentconductingoxidesfilms,TCOs)：在可見(jiàn)光的範(fàn)圍內(nèi)具有高穿透度：T>85%。低電阻率：＜10-3

W-cm。種類：金屬薄膜金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜應(yīng)用領(lǐng)域片電阻值需求光穿透度需求液晶顯示器≦100W/sq.≧85%觸控面板100W/sq.-1000W/sq.≧85%抗靜電塗層100-109

W/sq.≧85%太陽(yáng)能電池≦100W/sq.≧80%電致色變?cè)Q20W/sq.≧80%有機(jī)發(fā)光二極體≦100W/sq.≧85%3電阻式觸控面板透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用範(fàn)圍薄膜電晶體4有機(jī)發(fā)光二極體電致色變?cè)?非晶矽可撓太陽(yáng)電池染料敏化太陽(yáng)電池6導(dǎo)電特性ITO薄膜的導(dǎo)電性屬於N型半導(dǎo)體，導(dǎo)電機(jī)制有兩種，一種雜質(zhì)摻雜機(jī)制，另一種則為氧空位機(jī)制。由於Sn4+取代In3+，提供額外的電子。氧空缺提供兩個(gè)額外的電子。(O2→2Vo¨+2e-)InOSnAbsentOatomSnsubstitutionalSninterstitiale-e-e-Sn+7透光特性ITO薄膜的可見(jiàn)光可穿透能隙寬度約為3.5-4.3eV，可見(jiàn)光波長(zhǎng)範(fàn)圍對(duì)應(yīng)的能量為1.7-3.1eV，不足以讓電子在能帶間躍遷而產(chǎn)生光的吸收，故在可見(jiàn)光的範(fàn)圍內(nèi)有很高的穿透度。GlassPETITOfilmTiO2film8ITO薄膜的製程介紹磁控濺鍍法(Magnetronsputtering)為目前在諸多製程中和積體電路製程技術(shù)相容性較高的技術(shù)，具有可連續(xù)生產(chǎn)高品質(zhì)薄膜的特性，低製程溫度且適用在大面積的各種基板上，因此磁控濺鍍法是目前使用最普遍用來(lái)沉積ITO薄膜的技術(shù)。脈衝雷射鍍法(Pulsedlaserdeposition)固定脈衝頻率、能量約為40-300mJ的準(zhǔn)分子雷射，將雷射脈衝轟擊在ITO靶材上，並加上垂直方向的磁場(chǎng)。此種製程下之成膜速率低，非常耗時(shí)。電弧放電離子鍍(Arcdischargeionplating)電弧離子鍍乃是運(yùn)用電弧放電電漿，將原料進(jìn)行蒸發(fā)與離子化，藉由基材通以負(fù)偏壓吸引離子加速撞擊並還原沉積於基材表面形成鍍膜的工作方式。在沉積過(guò)程中會(huì)有微粒產(chǎn)生，導(dǎo)致薄膜變粗糙影響鍍膜的品質(zhì)。9反應(yīng)性蒸鍍(Reactiveevaporation)藉著對(duì)被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在接近熔點(diǎn)時(shí)的高溫所具備的飽和蒸氣壓，來(lái)進(jìn)行薄膜沉積。在真空中通過(guò)電流加熱、電子束轟擊加熱和鐳射加熱等方法，使薄膜材料蒸鍍成為原子或分子，它們隨即以較大的自由程作直線運(yùn)動(dòng)，碰撞基片表面而凝結(jié)，形成一層薄膜。離子束濺鍍法(Ionbeamsputtering)離子束助鍍法(Ionbeamassisteddeposition)10ITO薄薄膜的結(jié)結(jié)晶性V.S.製製程參數(shù)數(shù)製程溫度度對(duì)薄膜電電阻、載載子遷移移率、載載子濃度度有密切切之關(guān)聯(lián)聯(lián)。提高製程程溫度時(shí)時(shí)將使薄薄膜之結(jié)結(jié)晶性得得以提昇昇，而具具有結(jié)晶晶性的薄薄膜之可可見(jiàn)光穿穿透度與與導(dǎo)電特特性有明明顯助益益。氧分壓ITO薄薄膜之應(yīng)應(yīng)用原理理是利用用添加之之錫及氧氧形成之之空孔來(lái)來(lái)決定載載子濃度度。另一一方面，，氧空孔孔的形成成會(huì)造成成結(jié)晶學(xué)學(xué)上之缺缺陷結(jié)構(gòu)構(gòu)，而使使得載子子之遷移移率下降降。在濺鍍過(guò)程程中，導(dǎo)入入之氧分壓壓若增加，，會(huì)使得薄薄膜組織更更接近化學(xué)學(xué)計(jì)量比之之組成、結(jié)結(jié)晶之缺陷陷減少、載載子之遷移移率增加、、載子之密密度降低，，因此若要要兼顧載子子之遷移率率及密度，，必須得到到最佳氧分分壓之製程程參數(shù)。11沉積具結(jié)晶晶型的ITO薄膜高光學(xué)穿透透度以及低低電阻率。。ITO薄膜膜的光穿透透度與低電電阻率和薄薄膜的結(jié)晶晶性息息相相關(guān)。Light入射Light穿透ITOfilmSubstrate散射反射吸收ElectroncarriertransportElectronscatteringcrystallineamorphousSubstrate12具結(jié)晶型的的ITO薄薄膜之獲得得：製程溫度在在150oC以上。對(duì)ITO薄薄膜進(jìn)行200oC退火處理。。13初沉積-非非結(jié)晶結(jié)構(gòu)構(gòu)14低程度結(jié)晶晶15高程度結(jié)晶晶16公司簡(jiǎn)介2007-12竹竹科基地正正式啟用琦芯科技設(shè)設(shè)於新竹科科學(xué)園區(qū)-竹南基地地的廠房，，將於2008年1月2日正正式啟用。。2008-12捲捲對(duì)捲濺鍍鍍?cè)O(shè)備正式啟用捲捲對(duì)捲濺鍍鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行行ITOFilm的生產(chǎn)。。2009/1S開(kāi)開(kāi)始正式量量產(chǎn)。2009-01科科專計(jì)畫(huà)畫(huà)計(jì)畫(huà)為期1年9個(gè)月月，開(kāi)始經(jīng)經(jīng)濟(jì)部科專專計(jì)畫(huà)，開(kāi)開(kāi)發(fā)「彩色色軟性顯示示器」，從從「基材」」、「濺鍍鍍」、「阻阻水氣」三三方面著手手，將有助助我司技術(shù)術(shù)面的卓越越提升，以以及與他司司的技術(shù)交交流。2009-11後後結(jié)晶產(chǎn)品品問(wèn)世國(guó)內(nèi)第一家家生產(chǎn)後結(jié)結(jié)晶ITOFilm。2010-12設(shè)設(shè)置第二代代產(chǎn)線17非結(jié)晶型-霧面公司的產(chǎn)品品-產(chǎn)品型式18結(jié)晶型19非結(jié)晶型-亮面20公司的產(chǎn)品品-產(chǎn)品類別非結(jié)晶型霧霧面KCG-400A-11K2G-400A-13結(jié)晶型PCG-400A-21P2G-400A-23PCN-400A-24非晶型亮面面VSC-400A-1AT2C-400A-1BT2C-400B-1FKCN-400A-1421材料驗(yàn)證項(xiàng)項(xiàng)目物性量測(cè)HC層的硬硬度、附著著性、耐熱熱性以及耐耐化學(xué)特性性電氣特性電阻值以及及電阻均勻勻性光學(xué)特性穿透度、霧霧度、清晰晰度以及色色調(diào)(b*)環(huán)境測(cè)試恆溫恆濕、、高溫測(cè)試試、低溫測(cè)測(cè)試以及冷冷熱衝擊耐久性測(cè)試試畫(huà)線與打點(diǎn)點(diǎn)測(cè)試22物性量測(cè)HC層的硬硬度：500g/3H附著性：百百格刮刀，，符合ASTM-5B等級(jí)級(jí)耐熱性：烘烘烤條件150oC/60min，，R/R0≦1.3，，熱縮收率率≦1.0%耐化學(xué)特性性：丙酮、、甲苯以及及酒精浸置置60min。電氣特性阻值規(guī)格：：400±±100sq./ohm。。阻值均勻性性：U