凝聚態(tài)物理2隧穿晶體管劉強課件_第1頁
凝聚態(tài)物理2隧穿晶體管劉強課件_第2頁
凝聚態(tài)物理2隧穿晶體管劉強課件_第3頁
凝聚態(tài)物理2隧穿晶體管劉強課件_第4頁
凝聚態(tài)物理2隧穿晶體管劉強課件_第5頁
已閱讀5頁，還剩8頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

隧穿晶體管（TFET）—高能效電子開關報告人：劉強導師：任偉教授日期：2014.10.8主要內(nèi)容2023/1/1621.隧穿晶體管工作機制2023/1/163原理闡述GN+N+P摻雜1.2V1.2VN-GN+P++1.2V1.2V關斷狀態(tài)關斷狀態(tài)加柵極電壓加柵極電壓1.隧穿晶體管工作機制2023/1/165原理闡述特點：1.隧穿過程不受溫度的一級影響；2.要增大隧穿概率，需要：2.隧穿晶體管的性能改良2023/1/166增大的方法1.減小柵氧厚度2.多柵與環(huán)柵2.隧穿晶體管的性能改良2023/1/167增大的方法3.減少體厚：可以保證繼續(xù)減小柵長2.隧穿晶體管的性能改良2023/1/169漏電流的產(chǎn)生漏電流的產(chǎn)生：降低摻雜濃度2.隧穿晶體管的性能改良2023/1/1610III-V族半導體柵極電壓Vg

如何有窄的Eg和有效質(zhì)量較小的載流子？GroupIII-V-semiconductor-based

TFETsSi、Ge是間接帶隙半導體，而GaAs、InAs、InSb等是直接帶隙半導體，可以提供較高的遷移率。2.隧穿晶體管的性能改良2023/1/1611TFET的缺點缺點1：工作電流太小缺點2：工作頻率低可應用于高溫中頻低功耗電路。參考文獻2023/1/1613[2]UygarE.Avci,IanAYoung,.HeterojunctionTFETscalingandresonant-TFETforsteepsubthresholdslopeatsub-9nmgate-length.[C].Vol[13],IEEEint.InternationalElectronDeviceMeeting,2013Vol[13]:96-100.[1]AdrianM.Ionescu,Heike.Riel,.Tunnelfield-effecttransistorsasenergy-efficientelectronicswitches[J].Nature,2011:Vol[479]329-337.[3]WeiCao,DebinaSarkar,YasinKhatami,JiahaoKang,KaustavBanerjee,.Subthreshold-swingphysicsoftunnelfie

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論