2023屆高三化學(xué)二輪復(fù)習(xí)突破訓(xùn)練　物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題

物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題1.(2022·海南卷)以Cu2O、ZnO等半導(dǎo)體材料制作的傳感器和芯片具有能耗低、效率高的優(yōu)勢(shì)?；卮饐栴}：(1)基態(tài)O原子的電子排布式_______________________，其中未成對(duì)電子有________個(gè)。(2)Cu、Zn等金屬具有良好的導(dǎo)電性，從金屬鍵的理論看，原因是_________________________________________________________________。1s22s22p4或[He]2s22p42金屬晶體中有大量自由移動(dòng)的電子，自由電子在外加電場(chǎng)中作定向移動(dòng)sp2兩者均為分子晶體，后者能形成分子間氫鍵，使分子間作用力增大，熔點(diǎn)更高(4)金屬Zn能溶于氨水，生成以氨為配體，配位數(shù)為4的配離子，Zn與氨水反應(yīng)的離子方程式為___________________________________________________。(5)ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能，Zn—N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn—O鍵，原因是_____________________________________________________________。Zn＋4NH3＋2H2O===[Zn(NH3)4]2＋＋2OH－＋H2↑電負(fù)性O(shè)＞N，O對(duì)電子的吸引能力更強(qiáng)，Zn和O更易形成離子鍵(6)左下圖為某ZnO晶胞示意圖，右下圖是若干晶胞無(wú)隙并置而成的底面O原子排列局部平面圖。

abcd為所取晶胞的下底面，為銳角等于60°的菱形，以此為參考，用給出的字母表示出與所取晶胞相鄰的兩個(gè)晶胞的底面__________、__________。2.(2022·湖南六校聯(lián)考)高熵合金通常被定義為含有5種或5種以上等量或大約等量金屬形成的合金。這個(gè)概念已經(jīng)擴(kuò)展到創(chuàng)造穩(wěn)定的功能材料中。已報(bào)道的熵穩(wěn)定高熵功能材料有Mg、Co、Ni、Cu、Zn的氧化物，以及尖晶石、碳化物和硅化物等。(1)基態(tài)Ni原子的價(jià)電子排布式為____________，有________個(gè)未成對(duì)電子。(2)鎳及其化合物常用作有機(jī)合成的催化劑，如Ni(PPh3)2(Ph表示苯基)，在該化合物中，配體的空間構(gòu)型為________________；Ni(PPh3)2晶體中存在的化學(xué)鍵類型有____________(填標(biāo)號(hào))。A.離子鍵

B.極性鍵

C.非極性鍵

D.金屬鍵E.配位鍵 F.氫鍵3d84s22三角錐形BCE(3)尖晶石是鎂鋁氧化物組成的礦物，含有鐵、鋅、錳等元素。Fe、Mn、Zn三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)開___________________。(4)已知：[Co(CN)6]4－是強(qiáng)還原劑，與水反應(yīng)能生成[Co(CN)6]3－，CN－中含有σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為______________，該離子中C的雜化方式為________。(5)β－SiC的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，若碳和硅的原子半徑分別為apm和bpm，晶體密度為ρg·cm－3，其原子的空間利用率(即晶胞中原子體積占空間體積的百分率)為____________________(用含a、b、ρ、NA的代數(shù)式表示，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。Zn＞Fe＞Mn1∶2sp3.(2022·龍巖一模)銅及其化合物有廣泛的用途?；卮鹣铝袉栴}：(1)同周期元素中，與Cu最外層電子數(shù)相同的元素還有________(填元素符號(hào))。(2)往CuSO4中逐滴加入氨水至沉淀恰好溶解，將該溶液冷卻結(jié)晶，得到藍(lán)色晶體。①該晶體中各元素電負(fù)性由大到小順序?yàn)開______________________；②該晶體中不存在的作用力為________。A.離子鍵

B.氫鍵

C.金屬鍵

D.σ鍵E.范德華力 F.配位鍵③已知NH3分子中鍵角為107°，則上述晶體中氮?dú)渲g的鍵角________107°(填選項(xiàng)標(biāo)號(hào))。A.大于

B.小于

C.等于

D.無(wú)法確定K、CrO>N>S>H>CuCEA(3)已知銅的某些化合物的熔點(diǎn)如表所示。三者熔點(diǎn)出現(xiàn)差異的原因是：__________________________________________________________________________________________________________________________。

CuOCuSCuSe熔點(diǎn)(℃)1326220387CuO為離子晶體，熔點(diǎn)高，CuS、CuSe的熔點(diǎn)較低為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大熔點(diǎn)越高(4)溴化亞銅(CuBr)常用作有機(jī)合成原料和反應(yīng)催化劑，其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。4.(2022·石家莊二模)新型半導(dǎo)體材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等在國(guó)防技術(shù)、航空航天及5G技術(shù)等領(lǐng)域扮演著重要的角色?；卮鹣铝袉栴}：(1)基態(tài)Si原子中，核外電子占據(jù)的最高能層的符號(hào)為________，占據(jù)最高能級(jí)的電子的電子云輪廓圖形狀為________________；基態(tài)Ga原子的核外電子排布為[Ar]3d104s24p1，其轉(zhuǎn)化為下列激發(fā)態(tài)時(shí)，吸收能量最少的是________(填選項(xiàng)字母)。M啞鈴(紡錘)BSi原子半徑大，原子之間形成的σ鍵鍵長(zhǎng)較長(zhǎng)，p－p軌道肩并肩重疊程度小或幾乎不重疊，難以形成π鍵正四面體形sp2雜化和sp3雜化(4)GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃，GaF3的熔點(diǎn)為1000℃，試分析GaCl3熔點(diǎn)低于GaF3的原因?yàn)開_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________；氣態(tài)GaCl3常以二聚體形式存在，二聚體中各原子均滿足8e－結(jié)構(gòu)，據(jù)此寫出二聚體的結(jié)構(gòu)式為____________________________________。GaCl3為分子晶體，熔化時(shí)破壞分子間作用力，GaF3為離子晶體，熔化時(shí)破壞離子鍵，離子鍵強(qiáng)于分子間作用力，所以GaCl3的熔點(diǎn)低于GaF3

(5)B和Mg形成的化合物刷新了金屬化合物超導(dǎo)溫度的最高記錄。該化合物的晶體結(jié)構(gòu)單元如圖所示，其中Mg原子間形成正六棱柱，6個(gè)B原子分別位于六個(gè)三棱柱體心。則該化合物的化學(xué)式可表示為_____________；相鄰B原子與Mg原子間的最短距離為__________________nm(用含x、y的代數(shù)式表示)。MgB25.(2022·梅州一模)銅及其化合物應(yīng)用廣泛。請(qǐng)回答下列問題：1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1正四面體形(或四面體形)sp3(3)Cu2(OH)2CO3不溶于水，但可溶于濃氨水，反應(yīng)的化學(xué)方程式為：Cu2(OH)2CO3＋8NH3·H2O===[Cu(NH3)4]CO3＋[Cu(NH3)4](OH)2＋8H2O。①氨水中的微粒存在的化學(xué)鍵有________(填標(biāo)號(hào))。A.極性鍵

B.非極性鍵C.氫鍵

D.σ鍵E.π鍵②[Cu(NH3)4]CO3中配體是________，所含元素中電負(fù)性最大的非金屬元素是________(填元素符號(hào))。ADNH3O(4)Cu2O的熔點(diǎn)比Cu2S高的原因是____________________________________________________________________________________________________。(5)銅鎳合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：①原子B的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為__________________。②若該晶體密度為dg·cm－3，則銅鎳原子間最短距離為__________________pm。Cu2O比Cu2S晶格能大(或Cu2O和Cu2S都屬于離子晶體，r(O2－)<r(S2－)，Cu2O的離子鍵比Cu2S的更強(qiáng))6.(2022·臨沂一模)硼的化合物在生產(chǎn)、生活和科研中應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：N＞H＞Bsp2、sp34(3)BF3與H2O結(jié)合形成固態(tài)化合物BF3·OH2…OH2，該物質(zhì)在6.2℃時(shí)熔化電離出H3O＋和一種含硼陰離子___________(填離子符號(hào))；H3O＋空間構(gòu)型為______________。(4)金屬硼氫化物可用作儲(chǔ)氫材料。圖2是一種金屬硼氫化物氨合物的晶體結(jié)構(gòu)示意圖。圖中八面體的中心代表金屬M(fèi)原子，頂點(diǎn)代表氨分子；四面體的中心代表硼原子，頂點(diǎn)代表氫原子。該晶體屬立方晶系，晶胞棱邊夾角均為90°，棱長(zhǎng)為apm，密度為ρg·cm－3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。①該晶體的化學(xué)式為________________。②金屬M(fèi)原子與硼原子間最短距離為____________pm。③金屬M(fèi)的相對(duì)原子質(zhì)量為______________________(列出表達(dá)式)。[BF3·OH]－三角錐形M(NH3)6B2H87.(2022·河北卷)含Cu、Zn、Sn及S的四元半導(dǎo)體化合物(簡(jiǎn)寫為CZTS)，是一種低價(jià)、無(wú)污染的綠色環(huán)保型光伏材料，可應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域。回答下列問題：(1)基態(tài)S原子的價(jià)電子中，兩種自旋狀態(tài)的電子數(shù)之比為________________。(2)Cu與Zn相比，第二電離能與第一電離能差值更大的是________，原因是_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________。1∶2或2∶1CuZn的第二電離能失去的是4s1的電子，第一電離能失去的是4s2電子，Cu的第二電離能失去的是3d10的電子，第一電離能失去的是4s1電子，3d10