北郵微電子器件基礎(chǔ)5-8章-要求掌握的重點

非平衡載流子注入探針注入小注入、大注入非平衡載流子濃度、非平衡多子濃度、非平衡少子濃度非平衡載流子壽命（少子壽命、壽命）準費米能級（電子準費米能級、空穴準費米能級）直接復(fù)合間接復(fù)合表面復(fù)合俄歇復(fù)合最有效復(fù)合中心陷阱效應(yīng)載流子擴散擴散長度連續(xù)性方程第五章非平衡載流子（非平衡半導(dǎo)體）一、概念（掌握基本的定義及其意義）最有效復(fù)合中心能帶示意圖

間接復(fù)合過程能帶示意圖俄歇復(fù)合過程能帶示意圖表面復(fù)合過程能帶示意圖非平衡半導(dǎo)體能帶圖（包括N型、P型、本征型）

有效陷阱的能帶示意圖表面復(fù)合對半導(dǎo)體載流子壽命的影響

金在硅半導(dǎo)體中的有效復(fù)合中心作用連續(xù)性方程中每一項的物理意義二、圖（能畫出坐標及圖形，并標示有關(guān)符號，解釋其對應(yīng)的機理）三、論述題（進行總結(jié)，并用文字進行簡明扼要的解釋說明）非平衡半導(dǎo)體價帶空穴濃度非平衡半導(dǎo)體導(dǎo)帶電子濃度凈復(fù)合率，或者用準費米能級表示的非平衡半導(dǎo)體載流子濃度（求準費米能級的位置），間接復(fù)合凈復(fù)合率四、關(guān)系式（公式）（記住并能靈活應(yīng)用）理解價帶空穴濃度與導(dǎo)帶電子濃度的乘積電子擴散電流密度電子漂移電流密度空穴電流密度電子電流密度半導(dǎo)體總電流密度空穴擴散電流密度空穴漂移電流密度愛因斯坦關(guān)系式一維空穴連續(xù)性方程一維電子連續(xù)性方程第六章

PN結(jié)突變結(jié)單邊突變結(jié)線性緩變結(jié)結(jié)深擴散結(jié)平衡PN結(jié)PN結(jié)空間電荷區(qū)PN結(jié)接觸電勢差PN結(jié)勢壘高度PN結(jié)勢壘寬度耗盡層近似12PN結(jié)正偏（正向偏壓）13PN結(jié)反偏（反向偏壓）14勢壘電容15擴散電容16

PN結(jié)雪崩擊穿17

PN結(jié)隧道擊穿18熱擊穿19隧道結(jié)20隧道二極管峰值電流、峰值電壓21隧道二極管谷值電流、谷值電壓22隧道二極管過量電流一、概念（掌握基本的定義及其意義）平衡PN結(jié)能帶圖

正向偏壓下，PN結(jié)能帶圖

PN結(jié)電流-電壓關(guān)系曲線突變PN結(jié)電場分布圖

隧道二極管電流-電壓曲線平衡PN結(jié)的形成原理

平衡PN結(jié)的性質(zhì)與特點

PN結(jié)勢壘電容是如何形成的？勢壘電容與雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)分布的關(guān)系？PN結(jié)擴散電容形成的原因用能帶圖說明隧道二極管電流-電壓關(guān)系的對應(yīng)機理雪崩擊穿電壓的溫度特性及解釋二、圖（能畫出坐標及圖形，并標示有關(guān)符號，解釋其對應(yīng)的機理）三、論述題（進行總結(jié)，并用文字進行簡明扼要的解釋說明）突變結(jié)泊松方程突變結(jié)空間電荷區(qū)寬度、電場強度、最大電場強度、電位求解突變結(jié)勢壘電容求解四、關(guān)系式（公式）（記住并能靈活應(yīng)用）第七章MS接觸半導(dǎo)體功函數(shù)電子親和能金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)差金屬-半導(dǎo)體接觸電勢差半導(dǎo)體表面空間電荷區(qū)電子阻擋層電子反阻擋層表面勢壘高度表面勢壘寬度半導(dǎo)體表面勢11表面態(tài)12釘扎效應(yīng)13施主型表面態(tài)14受主型表面態(tài)15表面中性能級16表面態(tài)密度17理想歐姆接觸18接觸電阻19高低結(jié)20肖特基勢壘二極管21MS肖特基模型22MS巴丁模型一、概念（掌握基本的定義及其意義）金屬-N型半導(dǎo)體接觸形成電子阻擋層情況下的能帶圖金屬-N型半導(dǎo)體接觸形成電子反阻擋層情況下的能帶圖正向偏壓下，金屬/N型半導(dǎo)體接觸能帶圖表示金屬與半導(dǎo)體歐姆接觸的基本結(jié)構(gòu)示意圖擴散理論模型對肖特基勢壘二極管電流-電壓關(guān)系的解釋熱電子發(fā)射理論模型對肖特基勢壘二極管電流-電壓關(guān)系的解釋形成金屬與半導(dǎo)體歐姆接觸的基本原理和手段肖特基勢壘二極管的主要特點半導(dǎo)體功函數(shù)計算按肖特基功函數(shù)模型計算MS接觸電勢差、勢壘高度MS接觸中，電子隧道穿透半導(dǎo)體表面勢壘的幾率二、圖（能畫出坐標及圖形，并標示有關(guān)符號，解釋其對應(yīng)的機理）三、論述題（進行總結(jié)，并用文字進行簡明扼要的解釋說明）四、關(guān)系式（公式）（記住并能靈活應(yīng)用）理想MIS結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體表面電場效應(yīng)表面堆積表面平帶表面耗盡表面本征表面弱反型表面臨界強反型表面強反型表面深耗盡臨界強反型半導(dǎo)體表面最大耗盡層寬度第八章半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)18反型層19費米勢20表面空間電荷區(qū)21表面空間電荷區(qū)寬度22表面勢23表面電場一、概念（掌握基本的定義及其意義）MIS結(jié)構(gòu)圖（包括半導(dǎo)體為P型、N型兩種）MIS結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體表面耗盡狀態(tài)下的能帶圖MIS結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體表面本征狀態(tài)下的能帶圖MIS結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體表面臨界強反型狀態(tài)下的能帶圖MIS結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體表面中的泊松方程

耗盡狀態(tài)下的表面勢、耗盡層寬度

臨界強反型狀態(tài)下的表面勢、耗盡層寬度

費米勢計算式在MI