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溫差發(fā)電測塞貝克系數(shù)制作人：邱煬武健波黃慶煌時間：2014.11.10指導老師：趙麗莉1234實驗原理實驗設(shè)計裝置優(yōu)點應(yīng)用前景實驗原理半導體溫差發(fā)電模塊是根據(jù)塞貝克效應(yīng)制成的,即把兩種半導體的接合端置于高溫,處于低溫環(huán)境的另一端就可得到電動勢E。在兩種金屬A和B組成的回路中，如果使兩個接觸點的溫度不同，則在回路中將出現(xiàn)電流，稱為熱電流。塞貝克效應(yīng)的實質(zhì)在于兩種金屬接觸時會產(chǎn)生接觸電勢差，該電勢差的大小取決于金屬的電子溢出功和有效電子密度這兩個基本因素。一個典型的熱電模塊由兩片瓷片祖成，瓷片能為介于兩瓷片之間的N型和P型晶粒提供框架并電絕緣。當電子從低能級的P型材料流到高能級的N型時，熱量從冷面吸入；在熱面，能量隨電子從高能量的N材料流到低能量的P材料而放到散熱器上。實驗原理當兩種不同的金屬A、B組成回路，且兩接觸點的溫度不同時，在回路中產(chǎn)生電流，這稱為塞貝克效應(yīng)。當兩接觸點的溫差較小時，回路中的電動勢EAB與溫差有線性關(guān)系：

EAB=SABT；T－兩接觸點的溫差；SAB－相對塞貝克系數(shù)；SAB=SA–SB；SA、SB－金屬A、金屬B的絕對塞貝克系數(shù)。實驗原理實驗設(shè)計實驗內(nèi)容一、本儀器分為加熱部分、冷卻部分、測試部分；

二、首先用加熱板給半導體熱端加熱，通過溫控裝置保持溫度的準確性，同時冷端利用冰水混合物保持其溫度處于0度（利用流動水流控制冷端水溫度保持在室溫），將溫度計放入其中，進一步驗證溫度。三、最后通過改變其熱端溫度來改變溫差，測量其電勢差。四、最后確定溫差，改變其負阻，測量其電勢差。五、將數(shù)據(jù)匯總整理，觀察規(guī)律。實驗儀器實驗數(shù)據(jù)實驗數(shù)據(jù)實驗數(shù)據(jù)裝置優(yōu)點一、本裝置通過溫控裝置嚴格控制半導體冷熱兩端的溫度，將實驗誤差盡量縮小到最小，可以測量比較準確的實驗數(shù)據(jù)。二、實驗裝置由三部分組成，結(jié)構(gòu)簡單，易于操作，實驗數(shù)據(jù)易于記錄。三、實驗裝置利用水溫控制溫差，無污染，無噪聲。應(yīng)用前景溫差發(fā)電技術(shù)是一種綠色環(huán)保發(fā)電裝置，它可以合理利用太陽能、地熱能、海洋熱能、工業(yè)余熱等低品位能源轉(zhuǎn)換為電能。在實際生活中，溫差發(fā)電可以利用車用發(fā)電機的余熱溫差進行發(fā)電儲能，或者對于工業(yè)上的余熱處理也有很好的發(fā)電儲能效果，而且對于軍隊來講，坦克、步戰(zhàn)車等武器裝備廢棄余熱并沒有得到很好的利用，而溫差發(fā)電技術(shù)

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