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高中化競(jìng)價(jià)層電子對(duì)互斥_第2頁(yè)
高中化競(jìng)價(jià)層電子對(duì)互斥_第3頁(yè)
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第二節(jié)分子的立體構(gòu)型H2HClH2OCO2C2H2CH2ONH3CH4107°105°120°180°180°109°28’V形直線形直線形

平面三角形三角錐形正四面體CH3CH2OHCH3COOHC6H6C8H8一、形形色色的分子P4C60C20C40C60C70納米碳

同為三原子分子CO2和H2O,四原子分子NH3和CH2O,它們的空間結(jié)構(gòu)為什么不同?——現(xiàn)代儀器:P.37科學(xué)視野——結(jié)構(gòu)理論:這些分子結(jié)構(gòu)是怎么測(cè)定的?二、價(jià)層電子對(duì)互斥理論模型(VSEPR模型):(2)價(jià)層電子數(shù)(1)適用于ABn型分子=中心原子A的價(jià)電子數(shù)+周圍原子B供給的電子總數(shù)【規(guī)定】a、B是氫原子、鹵素原子時(shí)提供1個(gè)電子。b、B是氧、硫等氧族原子提供的電子不計(jì)入計(jì)算。c、離子的價(jià)電子數(shù)加減所帶電荷數(shù)。d、成單電子當(dāng)作電子對(duì)存在。1、理論要點(diǎn):

價(jià)層電子對(duì)數(shù)=價(jià)層電子數(shù)/2計(jì)算下列分子或離子的價(jià)層電子對(duì)數(shù):CH4H2ONH3CO2SO2NO2SO3NH4+

H3O+CO32-SO42-CCl4BF3BeCl2PCl5223333444444435

中心原子的價(jià)層電子對(duì)之間存在排斥力,為使分子體系能量最低,分子的幾何構(gòu)型總是采取電子對(duì)相互排斥力最小即距離最遠(yuǎn)的那種構(gòu)型。(3)互斥模型:電子對(duì)相互排斥最小的構(gòu)型2、VSEPR模型的確定23

465直線形平面三角形四面體三角雙錐八面體

根據(jù)下列分子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)指出其價(jià)層電子對(duì)互斥模型:CH4BF3BeCl2H2OPCl5SF6NH3SO2(1)一類是中心原子上的價(jià)電子都用于形成共價(jià)鍵,沒(méi)有孤對(duì)電子。直線形平面正三角形正四面體BeCl2BF3CH43、用VSEPR模型確定分子的構(gòu)型(2)另一類是中心原子上有孤對(duì)電子的分子,中心原子上的孤對(duì)電子也要占據(jù)中心原子周圍的空間,并與成鍵電子對(duì)互相排斥。三角錐形V形H2ONH3孤對(duì)電子對(duì)數(shù)分子模型就是VSEPR模型除去孤對(duì)電子后的構(gòu)型=價(jià)層電子對(duì)數(shù)-周圍原子數(shù)n

根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型和孤對(duì)電子數(shù)指出下列分子或離子的空間構(gòu)型:NH4+

H3O+CH3+SiCl4BeF2PCl3H2SSO2CS2NO3-

SO42-SO32-424001432210443010344001ABn型分子的VSEPR模型和立體結(jié)構(gòu)VSEPR模型分子類型孤對(duì)電子對(duì)數(shù)電子對(duì)排布模型

立體結(jié)構(gòu)

實(shí)例

23平面三角形AB2直線形

AB3AB2價(jià)層電子對(duì)數(shù)平面正三角形V形SO2直線形CO2【小結(jié)】001BF3價(jià)層電子對(duì)數(shù)VSEPR模型分子類型孤對(duì)電子對(duì)數(shù)電子對(duì)的排布分子構(gòu)型

實(shí)例模型4四面體0

2正四面體三角錐形V形H2OAB4AB31AB2CH4NH3價(jià)層電子對(duì)數(shù)價(jià)層電子對(duì)排布成鍵電子對(duì)數(shù)孤對(duì)電子對(duì)數(shù)分子類型電子對(duì)的排分子構(gòu)型 實(shí)例布方式5三角雙錐5 0AB54 1AB43 2AB32 3AB2三角雙錐 變形四面體T形直線形 僅作了解PCl5SF4ClF3價(jià)層電子對(duì)數(shù)價(jià)層電子對(duì)排布成鍵電子對(duì)數(shù)孤對(duì)電子對(duì)

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